基于微扰通孔法实现SIW宽阻带带通滤波器的设计

在单层结构中,滤波器采用直角耦合方式往往会破坏高次模TE102/TE201场的分布特性,导致场产生恶化,从而影响抑制效果。针对此问题,提出了加载金属微扰通孔的方法扰动场的分布特性,从而修复模式的本征抑制,最终抑制了TE102/TE201模的谐波通带。基于此方法,研究了二阶基片集成波导(Substrate Integrated Waveguide,SIW)带通滤波器的阻带宽度延伸及带外抑制优化的设计,中心频率f_(0)=9 GHz,相对带宽FBW为2.44%,插入损耗低于1.3 dB,回波损耗优于20 dB,阻带延伸至18.93 GHz时,带外抑制优于20 dB。最后,分别设计、制作了三阶、四阶SIW带通滤波器进行实物验证,实测的阻带宽度均超过2.05f0,且抑制深度均优于30 dB,验证了该设计方法的可行性和准确性。