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基于感应耦合等离子刻蚀技术的三维微拉伸梁制作工艺
1
作者
张段芹
褚金奎
+1 位作者
侯志武
王立鼎
《机械工程学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期182-186,共5页
根据感应耦合等离子(Inductively coupled plasma,ICP)刻蚀的机理,针对热氧化硅薄膜微拉伸梁的结构特点,研究ICP刻蚀制作3D微拉伸梁结构的工艺并解决其中的难点问题。介绍ICP刻蚀工艺参数对刻蚀质量的影响,包括存在的微负载效应和深宽...
根据感应耦合等离子(Inductively coupled plasma,ICP)刻蚀的机理,针对热氧化硅薄膜微拉伸梁的结构特点,研究ICP刻蚀制作3D微拉伸梁结构的工艺并解决其中的难点问题。介绍ICP刻蚀工艺参数对刻蚀质量的影响,包括存在的微负载效应和深宽比效应。详细介绍热氧化硅薄膜微拉伸梁的制作,其关键步骤是双掩膜两次ICP刻蚀形成阶梯状窗口结构,并在硅衬底表面形成释放了的热氧化硅薄膜梁。利用ICP刻蚀对单晶硅的高选择性,此制作工艺适用于各种薄膜的微拉伸梁制作。
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关键词
感应耦合等离子刻蚀
阶梯状窗口
热氧化硅薄膜
微拉伸梁
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职称材料
题名
基于感应耦合等离子刻蚀技术的三维微拉伸梁制作工艺
1
作者
张段芹
褚金奎
侯志武
王立鼎
机构
大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室
出处
《机械工程学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期182-186,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(50535030)
文摘
根据感应耦合等离子(Inductively coupled plasma,ICP)刻蚀的机理,针对热氧化硅薄膜微拉伸梁的结构特点,研究ICP刻蚀制作3D微拉伸梁结构的工艺并解决其中的难点问题。介绍ICP刻蚀工艺参数对刻蚀质量的影响,包括存在的微负载效应和深宽比效应。详细介绍热氧化硅薄膜微拉伸梁的制作,其关键步骤是双掩膜两次ICP刻蚀形成阶梯状窗口结构,并在硅衬底表面形成释放了的热氧化硅薄膜梁。利用ICP刻蚀对单晶硅的高选择性,此制作工艺适用于各种薄膜的微拉伸梁制作。
关键词
感应耦合等离子刻蚀
阶梯状窗口
热氧化硅薄膜
微拉伸梁
Keywords
Inductively coupled plasma etching Stair-opening structure Thermal silicon dioxide film Micro tensile beams
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于感应耦合等离子刻蚀技术的三维微拉伸梁制作工艺
张段芹
褚金奎
侯志武
王立鼎
《机械工程学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
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