一种新型硅基液晶微显示器件像素电路的研究

设计了一种新型硅基微显示器件场缓存像素电路结构,并通过SPICE模拟与其他像素电路做比较,分析了其电路特点。新型像素结构可使在电压保持期间影响液晶电容电压的晶体管数量降到最低,从而提高了像素电容的电压保持率,降低了闪烁,并减小了电磁干扰对像素电压的影响,提高了器件可靠性,同时提高了对光照的承受能力及对温度变化的适应能力,改善了显示品质,适用于高亮度显示器件。

高亮度顶发射单色绿光OLED微显示器件制备

通过采用高效磷光体系材料和顶发射有机发光结构,配合自有的SVGA060全数字信号电路系统架构CMOS硅基驱动电路,获得了发光峰位于535 nm的高亮度单色绿光、0.6英寸、800×600分辨率OLED微显示器件,最大亮度可达20000 cd/m^2。其起亮电压为2.6 V,亮度从20 cd/m^2到20000 cd/m^2的驱动电压摆幅为2.7 V,最大电流效率为24.43 cd/A。电流密度为20 m A/cm^2时,色坐标CIEX=0.286、CIEY=0.665。该器件在1000 cd/m^2和500 cd/m^2亮度下的半衰期为42559 h和186208 h。

微显示器件的研究进展

微小显示和虚拟显示研究得比较多的显示器件有微CRT、LCD、OLED、微LED、LCOS、MEMS等,由于原理不同,每一种微显示器工作的场合和环境也不同,各种器件各有用武之地。LED型微显示器件作为一种全固体的主动发光器件,拥有许多优点:工作电压低、发光效率较高、响应速度快、性能稳定可靠、工作温度范围宽等。在同一芯片上集成LED阵列技术可以很好地满足应用需求。

有源矩阵小分子型OLED微显示器件

便携性、高亮度、低功耗、高清晰度、无线连接是对电子技术提出的新挑战。为此，世界各大公司正对微显示器件不断增加研发和生产的力度。本文介绍了OLEO技术在微显示中的应用及SXGA级分辨率OLED微显示的设计和结构，并对有源短阵OLED微显示器的性能进行了讨论。

颜色性能改进的QVGAAMEL微显示器件

彩色有源矩阵电致发光微显示器件具有高亮度，低功耗，每种基色有256级灰度的优点，其新的薄膜结构，使得散射向邻近象素的光减少了，从而提高了颜色质量。

硅基OLED微显示技术的优势与发展现状

硅基OLED微显示器件以单晶硅芯片为基底,像素尺寸为传统显示器件的1/10。基于其技术优势和广阔的应用市场,它有望在军事以及消费类电子领域掀起近眼显示的新浪潮。

平板显示与混合信号集成电路设计研究室

南开大学电光学院平板显示与混合信号集成电路设计研究室成立于2013年8月份,隶属于南开大学,教育部光电信息科学重点实验室,教育部光电子工程中心和光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室。由原来的南开大学光电子薄膜器件与技术研究所硅基微显示课题组和南开大学微电子工程系共同组成,专业方向为硅基微显示器件、微纳电子器件和数模混合集成电路设计。

平板显示与混合信号集成电路设计研究室

南开大学电光学院平板显示与混合信号集成电路设计研究室成立于2013年8月份，隶属于南开大学，教育部光电信息科学重点实验室，教育部光电子工程中心和光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室。由原来的南开大学光电子薄膜器件与技术研究所硅基微显示课题组和南开大学微电子工程系共同组成，专业方向为硅基微显示器件、微纳电子器件和数模混合集成电路设计。从1998年开始，

LED阵列的设计和制作工艺研究

根据Al GaInP外延片的结构特点设计了LED型微显示器件的主要结构。利用Markus-Christian Amann等人提出的模型对器件电流注入后的空间分布进行了简单的理论分析,总结出了像素元和上隔离沟槽的理想尺寸分别是16μm×16μm和2μm。简述了减薄GaAs衬底的作用,设计衬底电隔离沟槽宽度为5μm。采用湿法腐蚀工艺进行器件结构制备,利用不同的腐蚀剂对金属层、p-GaP层、Al GaInP层和n-GaAs衬底层进行腐蚀。实验结果表明,腐蚀后的沟槽形貌较好,其深度和宽度可以达到设计要求。

用于微电子硅芯片液晶显示的反射式中继目视系统

设计了用对角为 18mm的微电子硅芯片液晶显示器、6 0°视场角的反射中继头盔显示系统。该系统由一个常用的艾尔弗 (Erfle)接目镜和一个反射中继镜组成。反射中继镜和接目镜的场曲异号 ,因此相互部分抵消 ,系统具有较小的场曲和像散。中继系统的采用 ,不仅保证了头盔显示的特定规格要求 ,诸如出瞳直径和出瞳距离 ,而且为反射式微电子硅芯片液晶显示器的照明光源提供了空间。该系统像差较小 ,尺寸和重量合理 。

发光二极管阵列中上隔离沟槽的设计与制备

分析了发光二极管阵列上隔离沟槽的理想尺寸。采用湿法腐蚀方法对金属层、p-GaP层及多层AlGaInP进行了逐层腐蚀,完成了宽2μm深6μm的上隔离沟槽的制作。腐蚀后的上隔离沟槽边缘平整,其深度和宽度可以解决注入电流在相邻像素之间产生的干扰问题。