期刊文献+
共找到47篇文章
< 1 2 3 >
每页显示 20 50 100
微晶硅同质结薄膜太阳电池的数值模拟分析 被引量:2
1
作者 赵明利 杨仕娥 +1 位作者 陈永生 卢景霄 《真空》 CAS 北大核心 2010年第1期46-50,共5页
采用太阳电池电容模拟软件(简称SCAPS)对p-i-n结构的微晶硅同质结薄膜太阳电池进行了数值模拟。研究了本征层的厚度和缺陷态浓度及窗口层的厚度等参数对电池性能的影响。得到的主要结论如下:(1)随着本征层缺陷态浓度Nt的增加,电池的各... 采用太阳电池电容模拟软件(简称SCAPS)对p-i-n结构的微晶硅同质结薄膜太阳电池进行了数值模拟。研究了本征层的厚度和缺陷态浓度及窗口层的厚度等参数对电池性能的影响。得到的主要结论如下:(1)随着本征层缺陷态浓度Nt的增加,电池的各性能参数均单调下降。(2)随着本征层厚度的增加,长波段的光谱响应逐渐改善,但该层过厚则导致中波段的光谱响应急剧下降,在Nt=1.0×1016/cm3的条件下,本征层厚度在1.5~2.0μm范围内电池效率均可达到7.0%以上。(3)p型窗口层的厚度对短波段的光谱响应及短路电流密度JSC有较大影响。 展开更多
关键词 微晶硅同质结薄膜太阳电池 数值模拟 SCAPS 电池性能 光谱响应
下载PDF
用于晶硅异质结太阳电池的透明导电薄膜研究进展
2
作者 王梦笑 王光红 +3 位作者 赵雷 莫丽玢 刁宏伟 王文静 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第11期16-22,共7页
提升晶硅异质结(HJT)太阳电池的电流有望进一步提高电池效率,透明导电氧化物薄膜(TCO)是影响HJT太阳电池电流的重要功能层。该文首先介绍了TCO薄膜的自身特性,包括掺杂元素和掺杂比例、制备技术对薄膜特性的影响。同时总结了薄膜特性对... 提升晶硅异质结(HJT)太阳电池的电流有望进一步提高电池效率,透明导电氧化物薄膜(TCO)是影响HJT太阳电池电流的重要功能层。该文首先介绍了TCO薄膜的自身特性,包括掺杂元素和掺杂比例、制备技术对薄膜特性的影响。同时总结了薄膜特性对HJT太阳电池性能的影响。最后阐述了TCO薄膜应用的最新进展及发展趋势,增加盖帽层或多层TCO薄膜有望改善薄膜整体特性及电池性能。以期指导TCO薄膜特性的优化,从而进一步提高HJT太阳电池效率,加快HJT太阳电池产业化进程。 展开更多
关键词 异质 太阳电池 透明导电氧化物薄膜 多层TCO薄膜 载流子迁移率 功函数
下载PDF
晶硅异质结太阳电池nc-Si:H/nc-SiOx:H叠层窗口层研究
3
作者 杨煜豪 刘文柱 +3 位作者 张丽平 孟凡英 高彦峰 刘正新 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第8期203-207,共5页
该研究制备高电导、高透明的磷掺杂氢化纳米晶硅氧(nc-Si Ox:H)薄膜,应用于晶硅异质结(SHJ)太阳电池的窗口层以替代传统的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。与以a-Si:H薄膜为窗口层的电池相比,短路电流密度提高0.5 m A/cm^(2),达到38.5 m A/cm^(... 该研究制备高电导、高透明的磷掺杂氢化纳米晶硅氧(nc-Si Ox:H)薄膜,应用于晶硅异质结(SHJ)太阳电池的窗口层以替代传统的氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜。与以a-Si:H薄膜为窗口层的电池相比,短路电流密度提高0.5 m A/cm^(2),达到38.5 m A/cm^(2),填充因子为82.7%,光电转换效率为23.5%。实验发现,在nc-Si Ox:H薄膜沉积前对本征非晶硅层表面进行处理,沉积1 nm纳米晶硅(nc-Si:H)种子层,可改善nc-Si Ox:H薄膜的晶化率,降低薄膜中的非晶相含量。与单层nc-Si Ox:H窗口层的电池相比,nc-Si:H/nc-Si Ox:H叠层结构提高电池填充因子,达到83.4%,光电转换效率增加了0.3%,达到23.8%。 展开更多
关键词 纳米晶材料 太阳电池 薄膜生长 异质太阳电池 纳米晶氧(nc-SiOx:H) 界面处理
下载PDF
微晶硅锗薄膜作为近红外光吸收层在硅基薄膜太阳电池中的应用 被引量:5
4
作者 曹宇 薛磊 +3 位作者 周静 王义军 倪牮 张建军 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2016年第14期209-216,共8页
采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了具有一定晶化率不同Ge含量的氢化微晶硅锗(μcSi1-xGex:H)薄膜.通过Ⅹ射线荧光谱、拉曼光谱、X射线衍射谱、傅里叶红外谱、吸收系数谱和电导率的测试,表征了μc-Si_(1-x)Ge_x:H的材料微结构... 采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了具有一定晶化率不同Ge含量的氢化微晶硅锗(μcSi1-xGex:H)薄膜.通过Ⅹ射线荧光谱、拉曼光谱、X射线衍射谱、傅里叶红外谱、吸收系数谱和电导率的测试,表征了μc-Si_(1-x)Ge_x:H的材料微结构随Ge含量的演变.研究表明:提高Ge含量可以增强μc-Si_(1-x)Ge_x:H薄膜的吸收系数.将其应用到硅基薄膜太阳电池的本征层中可以有效提高电池的短路电流密度(J_(sc)).特别是在电池厚度较薄或陷光不充分的情况下,长波响应的提高会更为显著.应用ZnO衬底后,在Ge含量分别为9%和27%时,μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池的转换效率均超过了7%.最后,将μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池应用在双结叠层太阳电池的底电池中,发现μc-Si_(0.73)Ge_(0.27):H底电池在厚度为800 nm时即可得到比1700 nm厚微晶硅(μc-Si:H)底电池更高的长波响应.以上结果体现μc-Si_(1-x)Ge_x:H太阳电池作为高效近红外光吸收层,在硅基薄膜太阳电池中应用的前景. 展开更多
关键词 氢化微晶 近红外响应 薄膜太阳电池 等离子体增强化学气相沉积
下载PDF
微晶硅薄膜太阳电池中孵化层研究 被引量:3
5
作者 张晓丹 赵颖 +5 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第6期1030-1033,共4页
对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适... 对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适当的辉光功率来降低孵化层的厚度. 展开更多
关键词 微晶薄膜太阳电池 孵化层 喇曼光谱
下载PDF
微晶硅/晶体硅HIT结构异质结太阳电池的模拟计算与分析 被引量:3
6
作者 韩兵 周炳卿 +2 位作者 郝丽媛 王立娟 那日苏 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 2010年第3期257-262,共6页
运用AFORS-HET程序模拟分析μc-Si(p)/μc-Si(i)/c-Si(n)HIT结构异质结太阳电池的光伏特性,并研究发射层厚度、本征层厚度、本征层能隙宽度、界面态密度以及能带失配等参数对太阳能电池光伏特性的影响.计算结果表明:插入5 nm较薄微晶硅... 运用AFORS-HET程序模拟分析μc-Si(p)/μc-Si(i)/c-Si(n)HIT结构异质结太阳电池的光伏特性,并研究发射层厚度、本征层厚度、本征层能隙宽度、界面态密度以及能带失配等参数对太阳能电池光伏特性的影响.计算结果表明:插入5 nm较薄微晶硅本征层,电池的转换效率最佳;随着微晶硅本征层厚度增加,电池性能降低,电池的界面缺陷态显著影响电池的开路电压和填充因子.对能带补偿情况进行模拟分析,结果显示,随着价带补偿(ΔEV)的增大,由界面态所带来的电池性能的降低逐渐被消除,当ΔEV=0.25eV时,界面态带来的影响几乎完全消除.通过优化各参数,获得微晶硅/晶体硅HIT结构异质结太阳能电池的最佳转换效率为19.86%. 展开更多
关键词 微晶/晶体 异质 太阳电池 模拟计算
下载PDF
nc-Si:H/c-Si硅异质结太阳电池中本征硅薄膜钝化层的优化 被引量:4
7
作者 乔治 解新建 +4 位作者 薛俊明 刘辉 梁李敏 郝秋艳 刘彩池 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2015年第6期1207-1214,共8页
采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在低温、低功率的条件下制备了一系列本征硅薄膜,研究了硅烷浓度(CS)对薄膜微结构、光电特性及表面钝化性能的影响.将本征硅薄膜作为钝化层应用到氢化纳米晶硅/晶硅(nc-Si:H/c-Si)... 采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)法在低温、低功率的条件下制备了一系列本征硅薄膜,研究了硅烷浓度(CS)对薄膜微结构、光电特性及表面钝化性能的影响.将本征硅薄膜作为钝化层应用到氢化纳米晶硅/晶硅(nc-Si:H/c-Si)硅异质结(SHJ)太阳电池中,研究了硅烷浓度和薄膜厚度对电池性能的影响.实验发现:随着硅烷浓度的降低,本征硅薄膜的晶化率、氢含量、结构因子、光学带隙和光敏性等都在过渡区急剧变化;本征硅薄膜的钝化性能由薄膜的氢含量及氢的成键方式决定.靠近过渡区的薄膜具有较好的致密性和光敏性,氢含量最高,带隙态密度低,且主要以Si H形式成键,对硅片表现出优异的钝化性能,使电池的开路电压大幅提高.但是,当薄膜的厚度过小时,会严重影响其钝化质量.本实验中,沉积本征硅薄膜的最优硅烷浓度为6%(摩尔分数),且当薄膜厚度为~8 nm时,所制备电池的性能最好.实验最终获得了开路电压为672 m V,短路电流密度为35.1 m A·cm-2,填充因子为0.73,效率为17.3%的nc-Si:H/c-Si SHJ太阳电池. 展开更多
关键词 本征薄膜 射频等离子体增强化学气相沉积 界面钝化 少子寿命 异质太阳电池
下载PDF
隧穿结对柔性衬底非晶硅/微晶硅叠层太阳电池特性的影响 被引量:2
8
作者 周丽华 刘成 +2 位作者 叶晓军 钱子勍 陈鸣波 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1136-1140,共5页
采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法在不锈钢柔性衬底上制备了不同厚度的硅基p+/n+隧穿结,应用于非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,分析了其对太阳电池电学和光学特性的影响。发现p+层厚度增加后,电池的开路电压提高,短路电流密度减小;随着n... 采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法在不锈钢柔性衬底上制备了不同厚度的硅基p+/n+隧穿结,应用于非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,分析了其对太阳电池电学和光学特性的影响。发现p+层厚度增加后,电池的开路电压提高,短路电流密度减小;随着n+层厚度的变化,电池的短路电流密度和填充因子均存在一个最佳值。将优化后的p+/n+隧穿结分别应用于不锈钢衬底和聚酰亚胺衬底的非晶硅/微晶硅叠层太阳电池,分别获得了9.95%(AM0,1353 W/m2)和9.87%(AM0,1353 W/m2)的光电转换效率。 展开更多
关键词 柔性衬底 隧穿 非晶/微晶 叠层太阳电池
下载PDF
基于溅射后腐蚀ZnO的单结微晶硅太阳电池中的陷光研究 被引量:1
9
作者 白立沙 刘伯飞 +2 位作者 赵慧旭 赵颖 张晓丹 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第4期801-807,共7页
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究衬底表面形貌和电学特性的变化对微晶硅单结太阳电池性能的影响。通过对不同腐蚀时间溅射ZnO∶Al衬底及基于此的微晶硅单结电池进行研究发现:衬底表面横纵特征尺寸可通过腐蚀时... 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,研究衬底表面形貌和电学特性的变化对微晶硅单结太阳电池性能的影响。通过对不同腐蚀时间溅射ZnO∶Al衬底及基于此的微晶硅单结电池进行研究发现:衬底表面横纵特征尺寸可通过腐蚀时间进行有效调控,光电性能的权衡使其存在最优化衬底腐蚀时间,从而使微晶硅单结电池达到最大光吸收和高电学性能。对衬底陷光结构和电池工艺进一步调整,获得初始效率达10.01%的单结微晶硅薄膜太阳电池,将其应用到非晶硅/非晶硅锗/微晶硅三结叠层电池中,电池效率可达14.51%。 展开更多
关键词 微晶薄膜太阳电池 VHF-PECVD 衬底 陷光
下载PDF
优化沉积参数对微晶硅薄膜太阳电池性能的影响 被引量:1
10
作者 张晓丹 赵颖 +5 位作者 高艳涛 朱锋 魏长春 孙建 耿新华 熊绍珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期170-172,169,共4页
本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度... 本文主要采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了不同硅烷浓度、辉光功率和反应气体流量的单结微晶硅薄膜太阳电池。电池的I-V测试结果表明:电池的开路电压随功率的降低、硅烷浓度和气体流量的增加而增加,而对应的短路电流密度在一定的硅烷浓度条件下达到最大,填充因子也在逐渐的增加。文中对具体内容进行了详细的分析。 展开更多
关键词 微晶薄膜太阳电池 气体流量 烷浓度
下载PDF
p型微晶硅膜的研究及其在异质结太阳电池中的应用 被引量:6
11
作者 赵会娟 谷锦华 +3 位作者 吴晨阳 杨仕娥 陈永生 卢景霄 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第3期248-251,共4页
首先采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了电导率为0.13 S/cm、晶化率为50%的p型微晶硅,然后制备了μc-Si∶H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池。初步研究了硼掺杂比、辉光功率密度、p型硅薄膜的厚度和氢处理时间等这些参数对电池开压... 首先采用射频等离子体增强化学气相沉积技术制备了电导率为0.13 S/cm、晶化率为50%的p型微晶硅,然后制备了μc-Si∶H(p)/c-Si(n)异质结太阳电池。初步研究了硼掺杂比、辉光功率密度、p型硅薄膜的厚度和氢处理时间等这些参数对电池开压的影响。在优化的工艺参数下得到异质结电池最大开路电压Voc为564mV。 展开更多
关键词 p型薄膜 异质太阳电池 开路电压 射频等离子体增强化学气相沉积
下载PDF
基于P型晶体硅异质结太阳电池的结构设计与性能分析 被引量:5
12
作者 邸明东 周骏 +1 位作者 孙铁囤 孙永堂 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第10期1343-1348,共6页
针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响。结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背... 针对两种a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池结构,应用AFORS_HET软件,分析氢化非晶硅(a-Si:H)和氢化微晶硅(μc-Si:H)两种材料作为背面场时的特性参数对a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池性能的影响。结果表明:P型氢化微晶硅(μc-Si:H(p))为背面场时电池性能得到提高,μc-Si:H(p)的背面场特性是关键因素。最后,优化设计出以a-Si:H为窗口层、μc-Si:H为背面场的a-Si(n)/c-Si(p)异质结太阳电池TCO/a-Si:H(n)/a-Si:H(i)/c-Si(p)/a-Si:H(i)/μc-Si:H(p)/TCO,并获得20%的转换效率。 展开更多
关键词 a-Si(n)/c—Si(p)异质太阳电池 微晶 背面场 AFORS—HET
下载PDF
P型微晶硅在柔性太阳电池中的应用研究 被引量:2
13
作者 靳果 袁铸 胡居涛 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2017年第7期1025-1027,共3页
以B(CH_3)_3为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、B(CH_3)_3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量,对P型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 nm左右的P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜,通过测试材料暗态电... 以B(CH_3)_3为掺杂剂,采用正交实验法,以硅烷浓度、B(CH_3)_3掺杂比、反应压强及气体总流量等主要沉积参数为实验组变量,对P型微晶硅薄膜进行初步优化。在玻璃衬底上沉积厚度为80 nm左右的P型微晶硅(μc-Si:H)薄膜,通过测试材料暗态电导率、XRD、Raman等,研究了上述沉积参数对材料电学和微结构性能的影响,并在此基础上做进一步的参数优化,得到更高电导的微晶硅薄膜;将其应用于PEN衬底的非晶硅薄膜太阳电池中,得到6%的初始效率。 展开更多
关键词 P型微晶薄膜 B(CH3)3 柔性衬底 非晶太阳电池
下载PDF
P型微晶硅碳的性能研究及其在柔性衬底太阳电池中的应用
14
作者 蔡宏琨 陶科 +2 位作者 赵敬芳 胡居涛 张德贤 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第11期1841-1844,共4页
采用RF-PECVD技术,将甲烷(CH4)作为碳的掺杂源沉积P型微晶硅碳薄膜材料,主要讨论P型微晶硅碳材料的结构和性能随CH4掺杂量的变化。采用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪和傅里叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行表征。随CH4掺杂... 采用RF-PECVD技术,将甲烷(CH4)作为碳的掺杂源沉积P型微晶硅碳薄膜材料,主要讨论P型微晶硅碳材料的结构和性能随CH4掺杂量的变化。采用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪和傅里叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行表征。随CH4掺杂量的增加,材料的暗态电导率σd减小,薄膜的晶化程度降低。通过调整CH4的掺杂量得到暗态电导率σd为0.15S/cm和光学带隙Eg大于2.0eV的P型微晶硅碳材料。将其应用到PEN柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池上,得到电池效率为5.87%。 展开更多
关键词 微晶薄膜 太阳电池 柔性衬底 PEN
下载PDF
863计划:“效率10%以上50MW非晶/微晶硅叠层薄膜太阳电池成套制造工艺技术研发”通过验收
15
《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期280-280,共1页
“十二五”国家863计划主题项目“效率10%以上50MW非晶/微晶硅叠层薄膜太阳电池成套制造工艺技术研发”由浙江正泰太阳能科技有限公司、中国科学院微电子所两家单位共同完成。科技部高新司组织项目验收,专家组一致认为,该项目完成... “十二五”国家863计划主题项目“效率10%以上50MW非晶/微晶硅叠层薄膜太阳电池成套制造工艺技术研发”由浙江正泰太阳能科技有限公司、中国科学院微电子所两家单位共同完成。科技部高新司组织项目验收,专家组一致认为,该项目完成了立项通知规定的研究内容及主要考核指标,同意通过验收。 展开更多
关键词 国家863计划 制造工艺技术 薄膜太阳电池 微晶 研发 叠层 非晶 中国科学院
下载PDF
薄膜太阳电池系列讲座(10) 硅基薄膜太阳电池(二)
16
作者 张晓丹 赵颖 熊绍珍 《太阳能》 2012年第5期13-16,共4页
2掺杂问题 掺杂是决定材料和器件电学性能的关键之一,希望材料的电导特性能够有序调制,即能够按照需要调节导电类型及其电导率,以满足器件性能要求。在晶体硅器件中,它的基本材料是事先预定的,随后掺杂形成的P-n结,也有成熟的工... 2掺杂问题 掺杂是决定材料和器件电学性能的关键之一,希望材料的电导特性能够有序调制,即能够按照需要调节导电类型及其电导率,以满足器件性能要求。在晶体硅器件中,它的基本材料是事先预定的,随后掺杂形成的P-n结,也有成熟的工艺予以调制,因此器件的重复性可得到保证。但在薄膜硅基器件中,器件的形成伴随着材料的生长同步完成。 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 电学性能 器件 导电类型 性能要求 P-N 电导率
下载PDF
薄膜太阳电池系列讲座(2) 减薄晶体硅太阳电池给薄膜太阳电池的启示(下)
17
作者 张晓丹 熊绍珍 赵颖 《太阳能》 2011年第13期13-17,共5页
二减薄电池的发展 1厚度减薄问题的提出 减薄材料厚度除成本优势外,还会带来什么好处以及相应难点?事实上减薄厚度有利于增强PN结电池内光生载流子的收集。美国RCA的David Redfield等于1974年首先对晶硅太阳电池的厚度提出“疑议”,
关键词 晶体太阳电池 薄膜太阳电池 减薄 材料厚度 光生载流子 成本优势 PN RCA
下载PDF
硅基薄膜太阳电池(九)
18
作者 张晓丹 赵颖 熊绍珍 《太阳能》 2012年第19期15-18,8,共5页
三单结硅基薄膜太阳电池的结构和工作原理 1硅基薄膜太阳电池结构 在常规的单晶和多晶太阳电池中,通常用p-n结结构。但对于硅基薄膜电池,所用的材料通常是非晶和微晶材料,由于非晶硅内存在大量尾态和悬挂键等缺陷态,载流子的迁移... 三单结硅基薄膜太阳电池的结构和工作原理 1硅基薄膜太阳电池结构 在常规的单晶和多晶太阳电池中,通常用p-n结结构。但对于硅基薄膜电池,所用的材料通常是非晶和微晶材料,由于非晶硅内存在大量尾态和悬挂键等缺陷态,载流子的迁移率很低,扩散系数也很低。 展开更多
关键词 薄膜太阳电池 薄膜 电池 微晶材料 工作原理 P-N 薄膜电池 扩散系数
下载PDF
薄膜太阳电池系列讲座(9) 硅基薄膜太阳电池(一)
19
作者 张晓丹 赵颖 熊绍珍 《太阳能》 2012年第3期10-12,16,共4页
概述了硅基薄膜太阳电池所涉及的关键材料及其结构、电学和光学特性,同时结合高效率电池发展的趋势,对多结硅基薄膜太阳电池的结构设计、子电池带隙选择和影响其效率的隧穿结和陷光等方面进行了深入阐述,拟为获得高效率的硅基薄膜多结... 概述了硅基薄膜太阳电池所涉及的关键材料及其结构、电学和光学特性,同时结合高效率电池发展的趋势,对多结硅基薄膜太阳电池的结构设计、子电池带隙选择和影响其效率的隧穿结和陷光等方面进行了深入阐述,拟为获得高效率的硅基薄膜多结电池提供一定的技术资料。 展开更多
关键词 薄膜 太阳电池 陷光
下载PDF
氢注入在硅异质结太阳电池a-Si:H窗口层中的研究 被引量:1
20
作者 陈仁芳 张丽平 +3 位作者 吴卓鹏 李振飞 孟凡英 刘正新 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第6期103-108,共6页
基于热丝化学气相沉积(Cat-CVD)系统开展氢注入对超薄(<10 nm)氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜特性改善的研究,发现适当的氢注入可提高薄膜内的氢含量、降低其微结构因子并展宽其光学带隙。将该方法用于处理硅异质结(SHJ)太阳电池入光侧的本... 基于热丝化学气相沉积(Cat-CVD)系统开展氢注入对超薄(<10 nm)氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜特性改善的研究,发现适当的氢注入可提高薄膜内的氢含量、降低其微结构因子并展宽其光学带隙。将该方法用于处理硅异质结(SHJ)太阳电池入光侧的本征非晶硅(i-a-Si:H)及N型非晶硅(n-a-Si:H)薄膜钝化层,可显著提升晶体硅的表面钝化质量。通过使用AFORSHET软件模拟SHJ太阳电池入光面的界面缺陷及n-a-Si:H体缺陷对电池性能的影响,分析得到:将氢注入用于处理a-Si:H窗口层,SHJ太阳电池性能的提升源于电池入光侧界面及a-Si:H体材料的结构改善。电池的开路电压(Voc,728.4~736.1 mV)、短路电流密度(Jsc,37.99~38.20 mA/cm2)、填充因子(FF,79.67%~81.07%)及转换效率(Eff,22.04%~22.79%)均得到明显提升。 展开更多
关键词 氢注入 异质太阳电池 非晶薄膜 钝化 缺陷态
下载PDF
上一页 1 2 3 下一页 到第
使用帮助 返回顶部