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题名自抗扰控制技术在微机电换能器中的应用分析
被引量:2
- 1
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作者
李春蕾
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机构
山东省寒亭区技工学校
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出处
《才智》
2017年第33期242-242,共1页
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文摘
自抗扰技术可以补偿微机电制造过程中的一些缺陷,避免被周围环境扰动,有效提高微机电传感器以及执行器的工作性能,提升其测量及移动精度。文章就一微机电陀螺仪这一微机电换能器为例就自抗扰控制技术的实践应用问题进行简要的讨论分析。
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关键词
自抗扰控制技术
微机电换能器
控制方法
仿真试验
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分类号
TN96
[电子电信—信号与信息处理]
TP273
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
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题名MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法
被引量:3
- 2
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作者
富迪
陈豪
杨轶
任天令
刘理天
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机构
清华大学微电子学研究所
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出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2011年第8期523-527,共5页
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基金
国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2006AA04Z372)
北京市科委基金资助项目(GYYKW05070013)
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文摘
针对超声换能器阵列中阵元密度难以提升和工艺重复性差等问题,提出了一种基于硅-硅键合技术的MEMS压电超声换能器二维阵列的制备方法,并采用该方法制备了阵元间距小至150μm的密排二维换能器阵列。阵列中每个声学单元均为由上电极、压电材料(PZT)层、下电极和支撑层组成的多层膜结构,并通过其弯曲振动模式实现超声波的发射和接收。制备样品的测试结果表明,采用该方法制作MEMS压电超声换能器阵列,具有阵元间距小、工艺流程可靠、成品率高、一致性好、工作频率(2.45MHz)与设计值(2.5MHz)的吻合度高等优点,适用于医学成像等高频超声成像系统。
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关键词
硅-硅键合
微机电压电超声换能器(pMUT)
PZT膜
高频换能器阵列
医学超声成像
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Keywords
silicon-silicon bonding
piezoelectric micromachined ultrasonic transducer(pMUT)
piezoelectric transducer film
high frequency transducer array
medical ultrasonic imaging
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分类号
TP212
[自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
TN64
[电子电信—电路与系统]
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