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题名基于二极管电爆炸的单触发开关导通机理
被引量:2
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作者
徐聪
胡博
朱朋
叶迎华
沈瑞琪
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机构
南京理工大学化工学院
陆军炮兵防空兵学院
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出处
《含能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第6期465-472,I0005,共9页
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基金
江苏省自然科学基金(BK20151486)
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文摘
采用磁控溅射、紫外光刻、化学气相沉积等微机电加工技术,制备了基于Schottky结二极管和p-n结二极管的两种单触发开关,分析了无负载时它们的放电特性,两种开关在0.22μF/1500V、0.22μF/1200V下达至2000A左右的峰值电流。研究了触发电容容值、触发电压、主电压、绝缘层厚度和双二极管并联结构对导通性能的影响,发现随着触发电容容值的增加,最小触发电压逐渐降低;减小绝缘层厚度、提高触发电压和主电压,均有利于峰值电流的升高;双二极管并联作为触发元件时,峰值电流比基于单个二极管的单触发开关更高,上升时间更短。根据单触发开关的放电特性曲线,将其作用过程划分为二极管电爆炸、绝缘介质层击穿和脉冲大电流上升三个阶段,阐明了各阶段的作用机制,建立了相应的电阻模型,结果表明单触发开关的电阻可以视为常数,并且阻值在毫欧级。
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关键词
高压开关
单次触发
二极管电爆炸
导通机理
电阻模型
微机电系统加工技术
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Keywords
high-voltage switch
single shot
electro-explosion of diode
conduction mechanism
electrical resistance model
MEMS
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分类号
TJ45
[兵器科学与技术—火炮、自动武器与弹药工程]
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