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铁杂质对微氮硅中氧沉淀的影响
1
作者
张溪文
杨德仁
阙端麟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期381-384,共4页
通过研究微氮掺铁硅单晶的氧沉淀行为,发现低温预处理有助于高温退火时的氧沉淀,且氮、铁杂质均对氧沉淀有明显促进作用.首次发现氮杂质部分抑制了铁对氧沉淀的促进作用.
关键词
微氮硅
氧沉淀
铁杂质
大规模集成电路
下载PDF
职称材料
微氮硅中热施主和浅热施主的低温远红外研究
2
作者
杨德仁
阙端麟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期608-610,共3页
利用低温(8K)远红外吸收技术,研究了硅单晶中氮杂质对热施主及浅热施主形成的影响,指出氮原子有抑制硅中热施主形成的能力,而微氮硅中的浅热施主和氧-氮复合体直接相关。
关键词
微氮硅
热施主
浅热施主
低温远红外
下载PDF
职称材料
题名
铁杂质对微氮硅中氧沉淀的影响
1
作者
张溪文
杨德仁
阙端麟
机构
浙江大学硅材料科学国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第5期381-384,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
通过研究微氮掺铁硅单晶的氧沉淀行为,发现低温预处理有助于高温退火时的氧沉淀,且氮、铁杂质均对氧沉淀有明显促进作用.首次发现氮杂质部分抑制了铁对氧沉淀的促进作用.
关键词
微氮硅
氧沉淀
铁杂质
大规模集成电路
Keywords
Impurities
Iron
Nitrogen
ULSI circuits
分类号
TN470.5 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
微氮硅中热施主和浅热施主的低温远红外研究
2
作者
杨德仁
阙端麟
机构
浙江大学高纯硅及硅烷国家重点实验室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第8期608-610,共3页
基金
国家教委博士点基金
文摘
利用低温(8K)远红外吸收技术,研究了硅单晶中氮杂质对热施主及浅热施主形成的影响,指出氮原子有抑制硅中热施主形成的能力,而微氮硅中的浅热施主和氧-氮复合体直接相关。
关键词
微氮硅
热施主
浅热施主
低温远红外
Keywords
Crystal impurities
Nitrogen
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铁杂质对微氮硅中氧沉淀的影响
张溪文
杨德仁
阙端麟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
0
下载PDF
职称材料
2
微氮硅中热施主和浅热施主的低温远红外研究
杨德仁
阙端麟
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995
0
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职称材料
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