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SiGe HBT的发展及其在微波/射频通讯中的应用
被引量:
5
1
作者
周卫
刘道广
严利人
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期552-558,共7页
经过二十年的发展,SiGe HBT技术已经广泛应用于微波/射频通讯领域。它的快速发展首先得益于外延技术的提高,其次是它与硅工艺完全兼容,特别是与CMOS工艺兼容的特性,以及微波/射频通讯市场的巨大需求。文章简要回顾了SiGe HBT的发展过程...
经过二十年的发展,SiGe HBT技术已经广泛应用于微波/射频通讯领域。它的快速发展首先得益于外延技术的提高,其次是它与硅工艺完全兼容,特别是与CMOS工艺兼容的特性,以及微波/射频通讯市场的巨大需求。文章简要回顾了SiGe HBT的发展过程,认为SiGe技术今后将成为混合信号通讯系统SOC集成的技术平台。
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关键词
SiGe外延
SIGE
HBT
SIGE
BICMOS
微波/射频通讯
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职称材料
题名
SiGe HBT的发展及其在微波/射频通讯中的应用
被引量:
5
1
作者
周卫
刘道广
严利人
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006年第5期552-558,共7页
文摘
经过二十年的发展,SiGe HBT技术已经广泛应用于微波/射频通讯领域。它的快速发展首先得益于外延技术的提高,其次是它与硅工艺完全兼容,特别是与CMOS工艺兼容的特性,以及微波/射频通讯市场的巨大需求。文章简要回顾了SiGe HBT的发展过程,认为SiGe技术今后将成为混合信号通讯系统SOC集成的技术平台。
关键词
SiGe外延
SIGE
HBT
SIGE
BICMOS
微波/射频通讯
Keywords
SiGe epitaxy
SiGe HBT
SiGe BiCMOS
Microwave/RF communication
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
SiGe HBT的发展及其在微波/射频通讯中的应用
周卫
刘道广
严利人
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
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