固态微波毫米波、太赫兹器件与电路的新进展(续)

4GaNHEMT 20世纪90年代中期GaNHEMT诞生。GaN是宽禁带材料，具有电子饱和速度高、击穿场强高、SiC衬底导热性好、抗辐照等特点，且在A1GaN／GaN界面上存在自极化和压电等新的物理效应，

微波/毫米波器件及其电路的发展现状

重点阐述了微波／毫米波器件及其电路的发展现状，并对我国在这方面的发展目标提出初步设想。

微波／毫米波低噪声器件、新型固体器件及其电路的发展趋势与开发建议

综述了国内外半导体微波／毫米波低噪声器件及其电路、新型固体器件及其电路的发展现状与未来发展趋势，国内技术水平与国际水平相比的主要差距，及“九·五”期间在这些领域的开发建议。

InP基毫米波、太赫兹器件及电路

In P基材料具有载流子迁移率高、能带易于剪裁等优点,是毫米波、太赫兹电路的理想材料。利用In P基材料实现了HBT、HEMT、SBD器件及毫米波、太赫兹电路。HBT、HEMT的fmax分别达到600 GHz和1.0 THz,SBD的截止频率达到9.5 THz。基于In P HBT工艺研制了W波段放大器、W波段宽带高功率VCO、160 GHz高功率谐波振荡器等多款电路;基于In P HEMT工艺研制了W波段宽带低噪声放大器、300 GHz放大器等电路;基于In P SBD工艺,研制了170~500GHz频段多款太赫兹倍频电路模块,以及220 GHz^750 GHz频段多款检波器模块。研究结果表明,In P基器件和电路性能优异,可广泛应用于安检成像、星载空间技术、导航制导、无线通信等领域。

毫米波Gunn器件谐波振荡器电路分析

根据ＧａＡｓＧｕｎｎ器件的谐波大信号特性，应用描述函数法对毫米波二次谐波振荡器的电路特性进行了研究，分析了振荡频率和输出功率随器件大信号特性参数与外电路参数变化的规律。

微波/毫米波砷化镓单片集成电路及其应用(1)

主要介绍国外微波/毫米波砷化镓单片集成电路的开发及其应用。

微波／毫米波砷化镓单片集成电路及其应用（3）

主要介绍国外微波／毫米波砷化镓单片集成电路的开发及其应用。

太赫兹射频器件与电路(一)

文章叙述了将微波/毫米波器件与电路推广应用,包括信号的产生、倍频、变频等器件与电路,用来实现太赫兹发射、接收机的原理,最后给出了应用举例。

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室依托于中国电子科技集团第55研究所,主任高涛研究员,学术委员会主任委员郑有炓院士。重点实验室位于江苏省南京市,于1999年开始建设,2001年起试运行,2004年起正式运行。

南京电子器件研究所微波毫米波封装研究中心

该中心从事专业微波、毫米波器件封装有40多年历史，研制开发出多种封装类型、数十个系列产品。包括从厘米波段到毫米波段二端器件：S、C、X、K波段GaAs功率FET；P，L、S、C波段硅功率晶体管；GaAs微波毫米波单片集成电路和多芯片模块；

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室

微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室依托于中国电子科技集团第55研究所,主任高涛研究员,学术委员会主任委员郑有炓院士。重点实验室位于江苏省南京市,于1999年开始建设。

基于复合左右手理论的双模态低损耗宽带毫米波片上传输线

本文提出了一种基于复合左右手(Composite Right-/Left-Handed,CRLH)理论的双模态毫米波片上传输线(Transmission Line,TL),有效兼顾了宽频段和低损耗特性,并且同时包含支持前向波的右手频段和支持后向波的左手频段.为解决毫米波半导体衬底高损耗、高寄生干扰的问题,本文首先提出T型片上CRLH单元,通过研究CRLH传输线的电路拓扑与结构实现,减小了传输损耗并展宽带宽.此外,文章通过研究色散特性实现左手和右手通带两种模态.基于砷化镓(GaAs)基集成无源器件(Integrated Passive Device,IPD)工艺,加工并实测了一款工作频段覆盖18~44.5 GHz的3阶周期CRLH TL.本文提出的传输线尺寸紧凑,为1.3 mm×0.55 mm,带有GSG(Ground Signal Ground)焊盘,最小插入损耗为1.18 dB,3 dB相对带宽超过90%.该测试结果表明所提出的片上传输线可广泛应用于实现独特电磁相位特性的片上功能电路和系统.

高Tc超导传输线在微波/毫米波超导电子器件中的应用

本文介绍高Tc超导传输线在超导信号处理装置,超导卷积器,超导相关器,超导谐振器及超导体-半导体混合装置中的应用。

高效平面印刷毫米波段整流电路设计与实验

利用微带线设计了一种Ka波段毫米波整流电路.整流电路由输入阻抗匹配网络、整流二极管及输出直通滤波器构成,输入端口为50Ω微带线,便于实验及与天线集成.利用等效电路模型理论分析了肖特基二极管在Ka波段的整流特性,设计并加工电路.实验测得,在32.5GHz工作频率和20dBm输入功率下,整流电路在350Ω负载上获得57%的毫米波直流(MMW-DC)转换效率;在输入功率大于8dBm时,整流效率均大于30%.该整流电路采用传统的印制电路板(Printed Cireuit Board,PCB)制作工艺,具有造价低和易集成等优点,且整流效率高,可应用到毫米波无线输能系统中.

微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室

微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室成立于1998年,围绕微波毫米波材料、器件、电路等方面开展探索性、创新性应用基础研究和关键技术研究,推动和引领国内本专业领域的技术进步。研究队伍:重点实验室有一支由归国留学人员、国内知名专家和具有多年研究经验的高级工程师组成的代表本学科国家水平、并在年龄和专业知识结构上配置合理的科研队伍。

基于薄膜电路工艺的毫米波功分器设计

为实现毫米波多级固态功放小型化设计,根据传统Wilkinson功分器的设计原理,以新型材料以及薄膜电路加工工艺为基础,在HFSS中仿真设计了一款集成薄膜电阻的Ka波段Wilkinson功分器,其在10 GHz带宽内具有插损低,驻波小和隔离度高等特点,且尺寸小,结构简单,易于生产,适合于芯片功率合成或其他毫米波电路小型化设计应用。

光电器件模型在微波非线性电路模拟器中的实现

在微波非线性电路模拟器中实现了半导体激光器和光电探测器等效电路模型（包括噪声模型）及光纤传输函数系统模型，对２．５Ｇｂｉｔ／ｓ光纤通信系统的传输信号进行了时域计算机模拟分析，讨论了光频啁啾对接收机灵敏度下降的影响。

一种毫米波引信低频预处理电路

为了适应新型毫米波无线电引信的研制需要,设计出一种适合毫米波引信使用的宽频带、高增益、低功耗及噪声抑制能力强的低频预处理电路,并对该电路进行了实验室测试及炮射试验。结果表明:该电路性能良好,为新型毫米波无线电引信的发展提供了一定帮助。

《太赫兹真空电子器件(二)》专栏发刊词

人类从未停止过探索的脚步,太赫兹波是介于光学和微波毫米波之间的电磁频谱,在宇宙科学、材料科学、物理学、通信、感知探测成像等领域具有广阔的应用前景。真空电子器件在太赫兹频段具有大功率、高效率、小型化等优势,是太赫兹系统的核心器件,因此对真空电子器件的深入研究,能从根源上提升系统的性能。随着器件提升到太赫兹频段,面临结构特征尺寸小、互作用效率低、传输损耗大等一系列挑战。

真空微电子毫米波器件

介绍了真空微电子分布放大器和真空微电子微波管两类器件，对其优点和问题进行了探讨，并就我国发展真空微电子毫米波器件提出了看法．