微波小型化固态介质谐振器振荡器的发展

介绍了近年来微波小型化固态介质谐振器振荡器（ＤＲＯ）研究方面的新成就。重点介绍了介质材料、ＤＲＯ的频率调谐特性、相位噪声性能的优化、ＤＲＯ的拓展设计以及焊封和可靠性。

采用介质谐振器的高稳定度GaAs FET振荡器

在对介质谐振器特性及其反馈电路特性分析的基础上 ,采用微波集成电路技术研制出一种新型的用介质谐振器作为反馈电路且具有高频率稳定度的 Ga As FET振荡器 ,并考虑了该振荡器的偏置电路。结果表明 ,该振荡器具有大于 1 0 0 0的外部品质因素 ;在振荡频率为 1 1 .85GHz、输出功率为 70 m W时 ,其效率为 2 0 % ;大于 1 0 0 0 MHz的调谐范围 ;用同样的微带电路形式 ,用 5种不同的介质谐振器可以得到 9～ 1 4 GHz的振荡频率 ;在-2 0℃～ 60℃温度范围内可以得到低于 1 50 k Hz/℃的高频率稳定度。

光控介质谐振器振荡器的实验研究

本文报道了关于光控介质谐振器振荡器的实验结果。对一只9.5GHz的介质谐振器振荡器进行实验,用硅半导体光敏材料,入射15mW红光,光控频率调谐达17.5MHz,红光功率的平均频率调谐率为1.17MHz/mW。入射5.5mW紫光,光控频率调谐达到12.3MHz,紫光功率的平均频率调谐率为2.24MHz/mW。在整个调谐范围内振荡器的微波输出功率随光功率增加而略有上升。

介质谐振器稳频晶体管振荡器

介质谐振器(DR)系指采用高介电常数、低损耗的微波陶瓷材料所制成的谐振器。其介电常数高达30至90,其微波波段的无载品质因数则可达10,000以上;而且这种谐振器温度稳定性好,温度系数还可在一定范围内加以控制。由于DR体积小,可在较宽的微波波段与微波集成电路(MIC)相结合,并构成多种结构紧凑性能优良的无源与有源微波器件。除将要讨论的振荡器外还有滤波器、双工器、鉴频器、倍频器等等。其中介质谐振器稳频振荡器(DRO)是一种应用广泛并综合了颇多电路技术的器件。

介质谐振器稳频的微带体效应振荡器

简介了介质谐振器稳频的体效应振荡器的设计方法，分析了高Ｑ值介质谐振器在电路中的稳频作用。研制的８．５ＧＨｚ微带体效应振荡器输出功率大于３５ｍｗ，在２５℃～５０℃范围内频率稳定度为５ｐｐｍ／℃，且对介质谐振器自身频率温度系数的补偿作用进行了实验。

UHF微带裂环介质谐振器FET振荡器分析

本文提出了微带裂环介质谐振器FET振荡器电路,分析了FET电路和微带裂环谐振器的特性,最后给出设计这种振荡器的频率温度稳定性考虑与优化方法.

反射型介质谐振器稳频振荡器的计算机优化设计

本文提出了一种设计介质谐振器稳频振荡器(DRO)的新方法,并给出了实际制作的C波段振荡器的设计结果及测试指标。

介质谐振器反馈式振荡器(DRFO)的实用机辅设计方法

介绍了一种介质谐振器反馈式振荡器的实用机辅设计方法 ,并根据此方法设计出了 X波段振荡器 ,经测试 ,设计满足要求 ,工作稳定可靠。

基于高次谐波体声波谐振器的微波振荡器设计

基于高次谐波体声波谐振器(HBAR)的高品质因数(Q)值和多模谐振特性,设计了Colpitts和Pierce两种形式的微波振荡器。采用HBAR与LC元件组成谐振回路的方法,与放大电路构成反馈环路直接基频输出微波频段信号。Colpitts振荡器输出信号频率为980 MHz,信号输出功率为-4.92dBm,信号相位噪声达-119.64dBc/Hz@10kHz;Pierce振荡电路输出信号频率达到2.962GHz,信号输出功率为-9.77dBm,信号相位噪声达-112.30dBc/Hz@10kHz。

Ku波段介质谐振器稳频电调FET振荡器

目前,大多数FET DRO都采用反射型或反馈型电路形式。由于反馈型结构电路简单,频带宽,调试方便,不跳模,为此,采用反馈型电路,变容管通过一开路线与介质谐振器耦合,研制出一Ku波段介质谐振器稳频电调FET振荡器,其电路结构如图1所示。整个电路制作在22mm×15mm×0.6mm,ε_r=9.6的陶瓷基片上。

X波段介质谐振器振荡器和缓冲放大器的研究

微波振荡器代表所有基本微波通信系统的能源来源。研究设计8.95 GHz的低噪声砷化镓场效应管并联反馈介质谐振器振荡器,为了放大输出功率和提高负载牵引,在介质谐振器振荡器后一级加缓冲放大器,最终的输出功率是+13.33 dBm。测试证明输出信号的相位噪声偏离中心频率100 kHz可达-116.49 dBc/Hz,偏离中心频率10 kHz可达-91.74 dBc/Hz。

介质谐振器稳频晶体管振荡器

第二讲介质谐振器与微带的耦合介质谐振器如同其他微波谐振器,在由其谐振模式所确定的谐振频率附近具有尖锐的谐振特性,因而可用一个由集总元件组成的等效谐振电路来表示。当DR与外电路耦合时,其等效电路的三个基本参量是:无载谐振频率f_0,无载品质因素Qu以及与外电路的耦合系数K。这里所要讨论的与DR耦合的外电路是一端或两端加载的微带线。先考虑耦合区的情况,其结构如第一讲图1.1所示。

C波段介质谐振器稳频FET振荡器

本文运用电磁场理论对圆柱形介质谐振器进行了分析和计算,并设计制作了C波段反馈型介质谐振器稳频FET振荡器,其工作频率f_0=7.4GHz,输出功率P≥30mW,频率稳定度为±2×10^(-5)(-10～+50℃),频率温度系数为0.67ppm/℃。

一种微波介质谐振器介电常数测量方法

针对现有平行板开式腔谐振法测量介电常数时会有一部分能量顺着馈线和上下金属板之间的结构传输形成辐射损耗的特点,提出了一种复介电常数测量方法,通过在馈电侧上下金属板之间增加短路板来阻挡辐射损耗。设计制作了具有短路板的介质谐振器测试系统,采用单端口工作,给出了工作在TE011模下的介电常数和损耗角正切的计算方法,并对一圆柱形介质样品进行了测量试验。

L波段两端口介质谐振器振荡器的频率稳定性

本文评述了工作于1.5GHz和2.0GHz的介质谐振器振荡器,这种振荡器是以加到基本反馈环振荡器结构的两端口谐振器设计为基础的。这种振荡器表现出具有当前先进水平的近载频相位噪声性能。在偏离载频1kHz处,1.5GHz和2.0GHz振荡器的单边带相位噪声电平一般分别为-130dBC/Hz和-120dBc0/HZ。文中还研究了振动灵敏度,对1.5GHz和2.0GHz设计来说,相对频率变化的范围为 (10^(-9)～(^-7))/g。最后,为了说明2.0GHz介质谐振器振荡器设计的静态和动态温度灵敏度,对它进行了测量。测出的静态温度系数约为-1.40×10^(-6)/℃,而动态温度系数在27.5℃时标称为-3000×10^(-9)/℃/s.

一种求解微波介质谐振器复介电常数的方法

根据微波谐振系统中电场的波动方程,采用复频率和有耗导体的边界条件,导出以被测介质的复介电常数为本征值的微分和变分方程。使用MATLAB软件中的PDE工具箱,只要是能以二维形式作图表现的微波介质谐振器,都可以求解出其复介电常数,且与实验数据及不同方法计算的结果相吻合,该方法适用面广、计算精确、简洁方便。

一种通用的并联反馈式微波介质振荡器设计方法

介绍了并联反馈式介质振荡器的设计方法和相关理论,分析了影响介质振荡器性能的一些参数。采用高频路仿真和场仿真软件对13.20 GHz的介质振荡器进行设计,仿真结果表明,在偏离载频10 kHz处输出信号相噪为-113.6 dBc/Hz,功率为+10.026 dBm。

基于小信号模型的微波介质谐振器的设计

通过对介质谐振器的分析,提出了利用软件对小信号状态下介质谐振器振荡器的设计方法。实验结果表明,介质谐振器振荡器(DRO)具有频率稳定度高、易调谐、功耗低等优点,可用于移动通信、微波通信、智能天线等系统中。