通信卫星用GaAs微波场效应晶体管的可靠性快速评价技术

一、引言 GaAs微波场效应晶体管是通信卫星转发器中的关键器件,除了电性能指标要求高以外,还要求高可靠、长寿命。目前,国际上大型通信卫星都装有十几个C波段和Ku波段转发器,要求在轨寿命为十五年。若采用常规的可靠性定级试验方法,需要投入大量的器件和很长的试验周期。例如,对CX562器件过去进行过六级失效率定级试验,投入458只器件,试验2000h,连续工作了三个月以零失效通过,当时样品费和试验费需要几十万元,费用极其昂费。

C波段GaAs功率场效应晶体管可靠性快速评价技术

叙述了一种快速评价ＧａＡｓ微波功率场效应晶体管的方法——高温加速寿命试验，利用该方法对Ｃ波段ＧａＡｓ功率场效应晶体管ＤＸ００１１进行可靠性评估。在偏置Ｖ＿（ＤＳ）＝８Ｖ，Ｉ＿（ＤＳ）＝３７５ｍＡ，沟道温度Ｔｃｈ＝１１０℃，１０年的失效率λ≈２７ＦＩＴ。其主要失效模式是Ｉ＿（ＤＳＳ）退化，激活能Ｅ＝１．２８ｅＶ。

微波放大器稳定性分析与设计

提出了微波场效应晶体管(FET)放大器稳定性分析与步骤,总结了放大器稳定性设计方法。

GaAs微波功率FET的可靠性与功率特性的关系

采用射频最大饱和漏电流和射频击穿电压解释了影响GaAs微波功率FET功率特性的主要因素,GaAs FET栅漏间半导体表面负电荷的积累在引起器件电流偏移的同时还导致器件微波功率特性的退化,GaAs微波功率FET的可靠性和功率特性相互关联,高可靠的GaAs微波功率FET一定具有高性能的功率特性。在器件工艺中对表面态密度和陷阱能级密度严格控制是实现GaAs微波功率FET的高功率特性和高可靠性的关键。

高效率GaAs/InGaAsHFET功率放大器

研制成 Ga As/ In Ga As异质结功率 FET(HFET) ,该器件是在常规的高 -低 -高分布 Ga As MESFET的基础上 ,在有源层的尾部引入 i-In Ga As层。采用 HFET研制的两级 C波功率放大器 ,在 5 .0～ 5 .5 GHz带内 ,当Vds=5 .5 V时 ,输出功率大于 3 2 .3 1 d Bm(0 .1 77W/ mm ) ,功率增益大于 1 9.3 d B,功率附加效率 (PAE)大于3 8.7% ,PAE最大达到 49.4% ,该放大器在 Vds=9.0 V时 ,输出功率大于 3 6.65 d Bm(0 .48W/ mm) ,功率增益大于 2 1 .6d B,PAE典型值 3 5 %

GaAs MESFET开关模型

本文提出了一种MESFET开关的模型———附加栅控开关模型 ,适用于MMIC电路的设计 ,其具有很好的宽带微波特性。开关单片的设计值与模型模拟值吻合较好。

晶体管、MOS器件

Y2000-62067-215 0012685微波场效应晶体管直流与交流特性侧墙效应的实验证据=Experimental evidence of side-wall effects on mi-crowave-FET DC and AC performances[会,英]/Chen,H.R.& Huang,G.L.//1998 IEEE InternationalConference on Optoelectronic and Microelectronic Materi-als and Devices.—215～217(EC)