微波低噪声场效应晶体管放大器的噪声特性与使用技术

本文讲述了微波小信号低噪声场效应晶体管（ＧａＡｓＦＥＴ）放大器的主要特性，提出了该器件在收信系统中的不同使用方案，还对每种方案进行了分析、探讨和系统嗓声系数计算。

微波功率场效应晶体管放大器的实验研究

本文阐述了微波功率场效应晶体管(FET)放大器的设计基础──动态阻抗测量法和S参数测量法。输入榆出匹配电路是采用电感输入型低通滤波阻抗变换器;介绍了FET功率放大器(以下简称功效)的调试要点、保护电路和消除寄生振荡的方法;最后给出国产BD4001型FET的设计实例。用微带工艺在30×50×1mm陶瓷基片上制作的E波段功放,获得了与计算结果吻合的实验数据,并已作为FET功放的第一级运用于某型雷达,获得了良好的结果。

采用MOS场效应晶体管的VHF高功率放大器

一、前言甚高频发射机用的固体化功率放大器必须要求高稳定、高可靠和维修检测方便。作为放大器件,至今主要还是采用大功率的双极型晶体管。近十多年来,这种管子的输出功率逐步提高。目前,输出功率300～800W的固体化功率放大器已投放市场。由于这种双极型晶体管有以下特性:(1)低电压、

微波场效应放大器的S参量设计与实验

S参量是描述微波晶体管特性较全面的参数,在现代技术条件下利用计算机控制的自动网络分析仪可迅速准确地测出微波晶体管的S参数。本文叙述了用S参量来设计中、小功率砷化镓微波场效应放大器的方法和实验研究测试结果。

微波功率晶体管放大器匹配电路的设计

对微波功率晶体管放大器的阻抗匹配电路提出了一种有效且简便的设计方法。着重分析了多节并联导纳匹配与ADS软件仿真相结合的设计方法的全过程,并对S波段功率晶体管的输出匹配电路进行了分析和计算,取得了较好的效果。根据本文方法,制作了某功率晶体管的放大测试电路并进行测试,其输出功率及效率均优于晶体管手册给出的典型值。

高电子迁移率晶体管放大器高功率微波损伤机理

在TCAD半导体仿真环境中,建立了0.25μm栅长的AlGaAs/InGaAs高电子迁移率晶体管(HEMT)低噪声放大器与微波脉冲作用的仿真模型,基于器件内部的电场强度、电流密度和温度分布的变化,研究了1GHz的微波从栅极和漏极注入的损伤机理。研究结果表明,从栅极注入约40.1dBm的微波时,HEMT内部峰值温度随着时间的变化振荡上升,最终使得器件失效,栅下靠源侧电流通道和强电场的同时存在使得该位置最容易损伤;从漏极注入微波时,注入功率的高低会使器件内部出现不同的响应过程,注入功率存在一个临界值,高于该值,器件有可能在第一个周期内损伤,损伤位置均在漏极附近。在1GHz的微波作用下,漏极注入比栅极注入更难损伤。

低噪声微波场效应管放大器的计算机辅助设计

本文探讨了低噪声微波场效应管放大器的设计方法和设计程序。最后介绍了用 CAD 方法制作的一个场效应管放大器。

微波晶体管放大器的图解设计法

在对线性两端口网络Ｓ参量分析的基础上，给出了利用史密斯圆图设计微波晶体管放大器的一般方法。

关于用微波晶体管功率放大器取代行波管的实践

本文阐述了模拟微波功率放大器——行波管功率放大器存在的种种弊端,介绍了用微波晶体管功率放大器取代行波管的具体电路,及该局14台设备改造后的技术效果和经济效益。

金刚石微波功率场效应晶体管

金刚石材料具有高热导率、高击穿场强、高硬度等众多的优异特性，在机械加工、光学系统、核探测器、声表器件、电力电子器件及大功率微波器件等众多领域具有重要的应用价值。由于现实及潜在的巨大军事、经济和技术价值，金刚石材料已经成为21世纪的战略材料之一。

小尺寸微波晶体管放大器的设计

通常用微带电路进行微波晶体管电路设计时,在微波的低频段,微带电路的尺寸比较大,给使用带来不便,为了缩小几何尺寸,本文着重讨论利用短微带线加以电抗支节调谐,作微波晶体管放大器级间匹配的设计方法。

微波GaAs功率场效应晶体管稳态温度场的数值模拟

根据微波功率ＧａＡｓ功率场效应晶体管芯片结构特点建立热模型，用有限元法对模型数值求解得到芯片稳态温度分布。分析了影响芯片表面沟道温度的诸因素：功耗、芯片周围环境温度、ＧａＡｓ材热导率、芯片厚度、芯片热源分布及其跨导。

L波段微波集成晶体管功率放大器

本文介绍了用于某工程便携发射机中的低电压宽频带微波集成功率晶体管放大器。文中对放大器的电路设计、计算作了较详细说明,并写出了实验结果。

微波场效应功率放大器的CAD技术

微波场效应晶体管（ＧａＡｓＦＥＴ）功率放大器的计算机辅助设计与分析（ＣＡＤ、ＣＡＡ）技术关键是微波非线性电路的分析方法和功率场效应管器件模型的建立。本文在概述微波ＧａＡｓＦＥＴＣＡＤ、ＣＡＡ基本原理基础上，着重阐述了分析微波非线性电路的频域谐波平衡法（ＦＤＨＢ），接着介绍了，个直接从ＧａＡｓＦＥＴ小信号Ｓ参数建立其大信号模型的新方法。上述技术可望在微波功率场效应放大器的批量研制中得到应用。

STS-LNP型微波晶体管前置放大器

介绍了STS -LNP型微波晶体管前置放大器的电路结构与功能 ,详细阐述了该放大器在获得低噪声系数、低电压驻波比、平坦的增益特性、较好的工作稳定性等方面所采用的特殊方法 ,微波器件的选择以及微波电路的组装工艺措施。并对其工作原理和特性进行了说明。

通信卫星用GaAs微波场效应晶体管的可靠性快速评价技术

一、引言 GaAs微波场效应晶体管是通信卫星转发器中的关键器件,除了电性能指标要求高以外,还要求高可靠、长寿命。目前,国际上大型通信卫星都装有十几个C波段和Ku波段转发器,要求在轨寿命为十五年。若采用常规的可靠性定级试验方法,需要投入大量的器件和很长的试验周期。例如,对CX562器件过去进行过六级失效率定级试验,投入458只器件,试验2000h,连续工作了三个月以零失效通过,当时样品费和试验费需要几十万元,费用极其昂费。

微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究：Ⅱ．射频烧毁

采用扫描电镜（ＳＥＭ）和扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）对国内研制开发的微波ＧａＡｓ功率ＦＥＴ芯片在射频测试中的烧毁进行了分析研究。探讨其烧毁机理及物理过程。