微波放电法生长GaS薄膜的性质

报道了微波放电法在ＧａＡｓ表面与Ａｌ金属片上生长ＧａＳ薄膜．用俄歇电子能谱（ＡＥＳ）和卢瑟福背散射能谱（ＲＢＳ）分析了薄膜的成分，Ｘ射线衍射测试了薄膜的结构．结果表明，微波放电法生长的ＧａＳ薄膜是属于六方晶系的多晶材料．此外。

氧等离子体对金刚石膜的刻蚀研究

用微波放电法产生氧等离子体,通过改变系统中氧的浓度和金刚石膜的温度研究了氧等离子体对CVD多晶金刚石膜刻蚀的影响。实验结果表明:随着氧浓度的增加和金刚石膜温度的提高,刻蚀作用加剧;而在较低的氧浓度和金刚石膜温度条件下金刚石膜的晶界处首先被刻蚀,说明金刚石膜的境界处含有较多的非金刚石碳相。并且从等离子体对(100)和(111)面的刻蚀现象可知(100)面的生长是二维生长,(111)面的生长是岛状生长。