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微波等离子体化学气相沉积法制备大尺寸单晶金刚石的研究进展 被引量:2
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作者 牟草源 李根壮 +4 位作者 谢文良 王启亮 吕宪义 李柳暗 邹广田 《电子与封装》 2023年第1期30-39,共10页
金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPC... 金刚石作为一种超宽禁带半导体,是下一代功率电子器件和光电子器件最有潜力的材料之一。然而,高品质、大面积(大于2英寸)单晶衬底的制备仍是金刚石器件产业应用亟待解决的问题。介绍了目前受到广泛关注的微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)获得大尺寸金刚石单晶衬底的技术方案,即单颗金刚石生长、拼接生长以及异质外延生长。综述了大尺寸单晶金刚石外延生长及其在电子器件领域应用的研究进展。总结了大尺寸单晶金刚石制备过程中面临的挑战并提出了潜在的解决方案。 展开更多
关键词 金刚石 微波等离子体化学沉积 三维生长 拼接生长 异质外延
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微波化学气相沉积制备氧化铝薄膜及钝化性能研究 被引量:3
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作者 张健 巴德纯 +1 位作者 刘坤 杜广煜 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第5期529-533,共5页
AlO_x薄膜作为高效太阳能电池中P层钝化薄膜引起了光伏龙头企业的关注。本文利用最新研发的微波等离子增强化学气相沉积(MW-PECVD)系统,在单晶硅基体上用不同微波功率和生长温度制备氧化铝膜层样品,并通过扫描电镜、SE800椭偏仪和WT200... AlO_x薄膜作为高效太阳能电池中P层钝化薄膜引起了光伏龙头企业的关注。本文利用最新研发的微波等离子增强化学气相沉积(MW-PECVD)系统,在单晶硅基体上用不同微波功率和生长温度制备氧化铝膜层样品,并通过扫描电镜、SE800椭偏仪和WT2000少子寿命测量仪对薄膜的成分、表面形貌、厚度、沉积速度、钝化性能进行分析。实验结果表明,LMW-PECVD制备的AlO_x薄膜沉积速度快且薄膜质量高,适用于大规模企业生产。此外,微波功率和生长温度都对AlO_x薄膜的钝化性能有着显著的影响。 展开更多
关键词 线性微波化学沉积 氧化铝薄膜 少子寿命 微波功率 温度
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WC-8.0%Co基底上微波等离子化学气相沉积金刚石膜 被引量:3
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作者 刘泉 周健 +1 位作者 余卫华 刘桂珍 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第1期116-119,共4页
研究了基片预处理和工艺参数对微波等离子化学气相沉积金刚石涂层WC 8.0 %Co刀具质量的影响 ,研究了提高成核密度和沉积速率的方法 ,用SEM ,XRD ,激光Raman光谱分析了金刚石涂层质量 ,用切削试验检测金刚石涂层与刀具基底的附着情况。... 研究了基片预处理和工艺参数对微波等离子化学气相沉积金刚石涂层WC 8.0 %Co刀具质量的影响 ,研究了提高成核密度和沉积速率的方法 ,用SEM ,XRD ,激光Raman光谱分析了金刚石涂层质量 ,用切削试验检测金刚石涂层与刀具基底的附着情况。结果表明 ,在 1∶3的稀盐酸中酸洗 15min后用氨水浸泡 10min的基片处理方法能有效地抑制金属钴的溢出 ,从而提高金刚石涂层的质量 ,并且使刀具使用寿命提高 10倍以上。 展开更多
关键词 WC-CO刀具 金刚石膜 微波等离子化学沉积
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微波等离子体化学气相沉积法低温制备直纳米碳管膜 被引量:11
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作者 王升高 汪建华 +3 位作者 张保华 王传新 马志斌 满卫东 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2003年第3期329-332,共4页
Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma c... Among the three main methods for the s ynthesis of carbon nanotubes(CNTs ),chemical vapor deposition(CVD)has received a great deal of attentio n since CNTs can be synthesized at sig nificantly low temperature.Plasma chemical vapor deposition me thods can synthesize CNTs at lower te mperature than thermal CVD.But in th e usual catalytic growth of CNTs by CVD,CNTs are often tangled together and have some defects.These will limit t he property research and potential applications.How to synthesize the str aight CNTs at low temperature become s a challenging issue.In this letter,s traight carbon nanotube(CNT)films were achieved by microwave pla sma chemical vapor deposition(MWPCVD)catalyzed by round Fe-Co-Ni alloy particles on Ni substrate at 610℃.It wa s found that,in our experimental condition,the uniform growth rate along the circumference of round alloy particles plays a very important role in the gro wth of straight CNT films.And because the substrate is conducting,the straight CNT films grown at low temperature ma y have the benefit for property research and offer the possibility to use t hem in the future applications. 展开更多
关键词 直纳米碳管膜 Fe-Co-Ni合金 微波等离子体化学沉积 低温 镍基板
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微波等离子体化学气相沉积制备碳氮晶体薄膜 被引量:4
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作者 江锦春 程文娟 +2 位作者 张阳 朱鹤孙 沈德忠 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第6期930-934,939,共6页
利用微波等离子体化学气相沉积系统 ,以甲烷、氮气和氢气作为气源 ,在Si( 1 0 0 )衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜 ,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较。用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜 ,可以看出晶型完整 ,结构致密 ... 利用微波等离子体化学气相沉积系统 ,以甲烷、氮气和氢气作为气源 ,在Si( 1 0 0 )衬底上成功地制备出了碳氮晶体薄膜 ,并对两种衬底温度下的薄膜性质进行了比较。用高分辨率场发射扫描电子显微镜观察薄膜 ,可以看出晶型完整 ,结构致密 ,结晶质量较好。X射线能谱证明了碳氮是以C─N和CN共价键的形式存在 ,氮碳元素的原子比均为 1 .3。X射线衍射确定出在衬底温度为 90 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,立方C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .4 0 0 2nm) ,而在 95 0± 1 0℃时薄膜样品的主要晶相成份是α C3N4,β C3N4,赝立方C3N4,类石墨C3N4和一个未知相 (面间距d =0 .3 984nm)。喇曼光谱分析也证实了薄膜中主要存在α C3N4,β 展开更多
关键词 立方 晶体薄膜 衬底温度 微波等离子体化学沉积 原子 喇曼光谱 β-C3N4 结晶质量 X射线能谱
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微波等离子体化学气相沉积制备SiCN结晶膜及SiCN微米棒阵列(英文) 被引量:2
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作者 程文娟 张阳 +1 位作者 江锦春 朱鹤孙 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期496-499,共4页
本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,以CH4,H2 ,N2 作为源气体 ,以Si棒作为Si源 ,在Si衬底上制备出了SiCN结晶及SiCN微米棒阵列。样品的形貌由场发射扫描电子显微镜 (SEM)表征分析。用X射线光电子谱 (XPS)、Raman散射谱及X... 本文采用微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)系统 ,以CH4,H2 ,N2 作为源气体 ,以Si棒作为Si源 ,在Si衬底上制备出了SiCN结晶及SiCN微米棒阵列。样品的形貌由场发射扫描电子显微镜 (SEM)表征分析。用X射线光电子谱 (XPS)、Raman散射谱及X射线衍射 (XRD)对样品的键合状态及结构进行表征 ,结果表明 ,所得到的SiCN薄膜是一具有新的六方结构的三元化合物。 展开更多
关键词 微波等离子体化学沉积 制备 SiCN结晶膜 SiCN微米棒 CH4 H2 N2 氰化硅 甲烷
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微波等离子体化学气相沉积法制备石墨烯的研究进展 被引量:3
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作者 涂昕 满卫东 +1 位作者 游志恒 阳朔 《真空与低温》 2014年第2期63-70,76,共9页
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法具有低温生长、基底材料选择广泛、容易掺杂等优点,是大面积、高速率、高质量石墨烯制备的首选。首先通过比较制备石墨烯的几种主要CVD方法得出MPCVD法的优势,然后阐述了MPCVD法制备石墨烯的研究,最... 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法具有低温生长、基底材料选择广泛、容易掺杂等优点,是大面积、高速率、高质量石墨烯制备的首选。首先通过比较制备石墨烯的几种主要CVD方法得出MPCVD法的优势,然后阐述了MPCVD法制备石墨烯的研究,最后介绍了MPCVD法制备的石墨烯的应用并对MPCVD法制备石墨烯的发展趋势进行了展望。 展开更多
关键词 微波等离子体化学沉积 石墨烯 研究 应用
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电子回旋共振—微波等离子体化学气相沉积法制备a-C:H(N)薄膜 被引量:2
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作者 李新 唐祯安 +1 位作者 马国佳 邓新绿 《真空》 CAS 北大核心 2003年第5期28-30,共3页
采用电子回旋共振 -微波等离子体化学气相沉积技术 ,使用 CH4 和 N2 混合气作为反应气体 ,在硅衬底上制备掺氮含氢非晶碳 (a- C∶ H(N) )薄膜。紫外 Ram an光谱证实了薄膜的类金刚石特性 ;傅立叶变换红外光谱表明薄膜中存在 CH和 CN键... 采用电子回旋共振 -微波等离子体化学气相沉积技术 ,使用 CH4 和 N2 混合气作为反应气体 ,在硅衬底上制备掺氮含氢非晶碳 (a- C∶ H(N) )薄膜。紫外 Ram an光谱证实了薄膜的类金刚石特性 ;傅立叶变换红外光谱表明薄膜中存在 CH和 CN键结构。采用原子力显微镜 (AFM)观察薄膜的微观表面形貌 ,结果表明薄膜表面光滑。论文详细叙述了薄膜制备工艺 ,对测试结果进行了分析讨论 。 展开更多
关键词 电子回旋共振-微波等离子体化学沉积 制备 CH4 N2 非晶碳薄膜 紫外Raman光谱 原子力显微镜
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微波等离子体化学气相沉积超纳米晶金刚石膜研究 被引量:2
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作者 李莉莉 丁明清 +3 位作者 杜英华 蔡军 胡银富 冯进军 《真空电子技术》 2014年第4期62-64,71,共4页
超纳米晶金刚石(UNCD)在短毫米波特别是太赫兹真空器件输能窗中具有潜在的应用价值。本文介绍了UNCD膜的制备工艺和性能表征。利用微波等离子体化学气相沉积法在一种贫氢、富氩的反应气体中合成UNCD膜。扫描电子显微镜分析表明,合成的U... 超纳米晶金刚石(UNCD)在短毫米波特别是太赫兹真空器件输能窗中具有潜在的应用价值。本文介绍了UNCD膜的制备工艺和性能表征。利用微波等离子体化学气相沉积法在一种贫氢、富氩的反应气体中合成UNCD膜。扫描电子显微镜分析表明,合成的UNCD膜表面光滑平整,晶粒为纳米尺度,断面结构致密。X射线衍射分析显示,超纳米晶金刚石薄膜主要是以(220)取向为主的多晶体结构,计算得到的平均晶粒尺寸为10nm。拉曼光谱分析呈现出典型的超纳米晶金刚石特性,膜中存在一定的sp2相。UNCD的光学透过率测试显示:在波长≥4μm范围内,光学透过率≥60%。 展开更多
关键词 太赫兹 微波真空器件 微波等离子体化学沉积 超纳米晶金刚石
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线性微波化学气相沉积制备AlO_x/SiN_x双层薄膜及钝化性能的研究
10
作者 张健 巴德纯 +1 位作者 张振厚 赵崇凌 《真空》 CAS 2016年第3期7-11,共5页
通过线性微波化学气相沉积技术在P型单晶样品上制备了AlO_x/SiN_x双层薄膜,采用场发射电子扫描显微镜、光学椭圆偏振仪器、有效少子寿命测量仪对实验样品进行了表征和分析。结果表明,线性微波化学气相沉积技术可以制备出高生长速度、高... 通过线性微波化学气相沉积技术在P型单晶样品上制备了AlO_x/SiN_x双层薄膜,采用场发射电子扫描显微镜、光学椭圆偏振仪器、有效少子寿命测量仪对实验样品进行了表征和分析。结果表明,线性微波化学气相沉积技术可以制备出高生长速度、高质量的AlO_x薄膜和SiN_x薄膜,AlO_x薄膜生长速度达到了180nm/min,SiN_x薄膜生长速度达到了135nm/min;经过AlO_x/SiN_x双层薄膜钝化的P型单晶硅有效少子寿命达到了2300μs,且经过800℃产线烧结工序,少子寿命下降幅度很低,热稳定性优异。 展开更多
关键词 线性微波化学沉积 氧化铝薄膜 氮化硅薄膜 有效少子寿命
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微波等离子体化学气相沉积法制备的新型纳米片状碳膜(英文) 被引量:1
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作者 金哲 顾广瑞 《延边大学学报(自然科学版)》 CAS 2009年第3期223-226,共4页
在甲烷和氢气的混合系统中,利用石英管型微波等离子体化学气相沉积方法,在硅片上制备了新型的纳米片状碳膜.利用场发射扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对碳膜的结构进行了表征,结果表明碳膜是由长1μm、宽100 nm的纳米碳片相互缠绕而成.最... 在甲烷和氢气的混合系统中,利用石英管型微波等离子体化学气相沉积方法,在硅片上制备了新型的纳米片状碳膜.利用场发射扫描电子显微镜和拉曼光谱仪对碳膜的结构进行了表征,结果表明碳膜是由长1μm、宽100 nm的纳米碳片相互缠绕而成.最后简单讨论了新型碳纳米片的形成机理. 展开更多
关键词 碳膜 纳米片 微波等离子体化学沉积 场发射扫描电子显微镜 拉曼光谱
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微波等离子体化学气相沉积法制备金刚石管及其表征
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作者 高旭辉 魏俊俊 吕反修 《电子显微学报》 CAS CSCD 2005年第4期383-383,共1页
关键词 微波等离子体化学沉积 金刚石 制备 表征 钨丝 焦点
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微波等离子体化学气相沉积法合成纳米碳管
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作者 王升高 汪建华 +2 位作者 马志彬 满卫东 王传新 《新技术新工艺》 北大核心 2002年第5期41-42,共2页
长期以来等离子体化学气相沉积法广泛用于薄膜材料的合成。自纳米碳管被发现以后 ,该方法已成为纳米碳管合成的一种非常重要的手段。本研究以 1 0 X和 1 3X分子筛为载体 ,在纳米钴颗粒的催化作用下 ,利用微波等离子体化学气相沉积法在... 长期以来等离子体化学气相沉积法广泛用于薄膜材料的合成。自纳米碳管被发现以后 ,该方法已成为纳米碳管合成的一种非常重要的手段。本研究以 1 0 X和 1 3X分子筛为载体 ,在纳米钴颗粒的催化作用下 ,利用微波等离子体化学气相沉积法在较低的温度条件下合成了纳米碳管。 展开更多
关键词 纳米碳管 微波等离子体化学沉积 分子筛 合成
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微波等离子体化学气相沉积系统谐振腔研究
14
作者 邱瑞 周长庚 罗勇 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第12期1119-1122,共4页
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法是目前最有发展前景的高质量金刚石薄膜沉积方法之一,但由于谐振腔中微波与等离子体之间强烈的相互作用,人们很难根据经验对谐振腔进行改进,本文利用HFSS软件对不锈钢式MPCVD的谐振腔进行了模拟,通过... 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法是目前最有发展前景的高质量金刚石薄膜沉积方法之一,但由于谐振腔中微波与等离子体之间强烈的相互作用,人们很难根据经验对谐振腔进行改进,本文利用HFSS软件对不锈钢式MPCVD的谐振腔进行了模拟,通过分析谐振腔内电场以及等离子体的分布,对谐振腔的主要参数进行了优化处理,并根据模拟结果设计出谐振腔系统,在一定条件下,沉积出了优质的金刚石膜,沉积速率可达到0.33μm/h。 展开更多
关键词 微波等离子体化学沉积 金刚石膜 谐振腔优化 HFSS
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两段成长法改善微波电浆辅助化学气相沉积多晶金刚石之品质(英文)
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作者 李世鸿 叶忠信 +2 位作者 张永平 汪岛军 黄柏仁 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第3期223-229,共7页
以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在p型(111)硅基板... 以化学气相沉积法成长多晶金刚石薄膜时,薄膜的品质会受到成长时间、成长压力、反应气体比例、偏压与否及成核的机制等因素影响。研究采用微波电浆辅助化学气相沉积(MPECVD)法,以甲烷(CH4)和氢气(H2)作为反应气体原料,在p型(111)硅基板沉积多晶金刚石薄膜。典型沉积多晶金刚石薄膜的制程可分为四个阶段:抛蚀表面阶段、渗碳阶段、偏压增强成核(BEN)阶段及成长阶段。研究将成长阶段划分为两个阶段,第一阶段压力较低(成长I阶段),第二阶段压力较高(成长II阶段)。结果表明:第一阶段可大大改善金刚石薄膜的品质,所获多晶金刚石薄膜的晶粒具有明确的颗粒边界、较低的碳化物或缺陷,电导率急剧降低,显现出本徵金刚石半绝缘的性质。可以认为金刚石薄膜品质的改善完全为低压成长所致。实验发现在成长I阶段或成长II阶段施加偏压时,只会降低多晶金刚石薄膜的品质。 展开更多
关键词 多晶金刚石薄膜 微波电浆辅助化学沉积(MPECVD) 两段成长 偏压增强成核(BEN)
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新型微波等离子体化学沉积装置的数值仿真
16
作者 张朝琦 汪启军 罗先炽 《武汉轻工大学学报》 CAS 2024年第3期90-98,共9页
为了解决2.45 GHz微波等离子体化学沉积(MPCVD)装置沉积金刚石面积小、质量低的问题,提出了一款新型915 MHz半球形的MPCVD装置,并使用COMSOL软件对装置的结构进行优化设计。优化结果表明,当薄板与中心轴的距离为70 mm时,顶部电场强度仅... 为了解决2.45 GHz微波等离子体化学沉积(MPCVD)装置沉积金刚石面积小、质量低的问题,提出了一款新型915 MHz半球形的MPCVD装置,并使用COMSOL软件对装置的结构进行优化设计。优化结果表明,当薄板与中心轴的距离为70 mm时,顶部电场强度仅为500 V/m,可以有效屏蔽谐振腔顶部次生电场的产生。将气体入口设置在谐振腔顶部时,气流会从基片台上均匀地横向扩散到底部排气孔,保证了反应物在基片台上的均匀分布。腔体底部的调谐机构可将谐振腔内的电场强度维持在4000 V/m以上,以确保金刚石的生长条件。优化设计了同轴天线穿过矩形波导的距离和同轴波导中心到短路活塞的距离,将反射系数S11降低到-8.7 dB。设计的新型915 MHz MPCVD装置可在高功率、高气压条件下沉积大面积、高质量的金刚石薄膜,具有实际应用价值。 展开更多
关键词 微波等离子体化学沉积装置 数值仿真 915 MHz 金刚石
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微波等离子体化学气相沉积方法制备纳米金刚石薄膜 被引量:1
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作者 林晨 李义锋 张锦文 《功能材料》 CAS CSCD 北大核心 2021年第7期7001-7005,7011,共6页
为了制备出大面积均匀连续的纳米金刚石薄膜,并探索温度、气氛等条件对最终生长出的纳米金刚石薄膜样品的影响,使用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,改变CH_(4)、H_(2)、Ar气体比例以及衬底温度,在不同生长条件下制备了5组金刚石... 为了制备出大面积均匀连续的纳米金刚石薄膜,并探索温度、气氛等条件对最终生长出的纳米金刚石薄膜样品的影响,使用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)方法,改变CH_(4)、H_(2)、Ar气体比例以及衬底温度,在不同生长条件下制备了5组金刚石薄膜样品。5组样品分别使用ESEM和拉曼光谱进行成膜质量、形貌、结构以及组分的表征,分析了不同薄膜的成因和工艺参数的影响,并提出了进一步优化的方向。 展开更多
关键词 纳米金刚石薄膜 微波等离子体化学沉积 表面预处理
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高定向纳米金刚石膜的高功率微波等离子体化学气相沉积研究
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作者 唐春玖 侯海虹 +1 位作者 李明法 李文浩 《常熟理工学院学报》 2017年第2期11-15,共5页
采用高功率微波等离子体化学气相沉积法制备了高定向的纳米金刚石膜,研究了制备过程中促进<100>高定向纳米金刚石膜的生长条件与生长规律间的关联,并采用扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱和X射线衍射仪对在不同实验条件下选择相... 采用高功率微波等离子体化学气相沉积法制备了高定向的纳米金刚石膜,研究了制备过程中促进<100>高定向纳米金刚石膜的生长条件与生长规律间的关联,并采用扫描电镜、原子力显微镜、拉曼光谱和X射线衍射仪对在不同实验条件下选择相同的氮气和氧气添加比例所制备的样品形貌、光学性质和晶向织构进行表征分析.研究结果表明,<100>高定向纳米金刚石膜的形成是各种生长条件的综合效应,相同的氮气和氧气添加并非是其形成的必然条件. 展开更多
关键词 纳米金刚石 高定向 和氧添加 微波等离子体化学沉积
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微波等离子体化学气相沉积设备微波系统的仿真优化与验证 被引量:2
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作者 王心洋 曹光宇 黄翀 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2020年第10期1896-1903,1910,共9页
微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法产生的等离子体密度高,材料外延生长过程可控性好且洁净度高,是制备高质量金刚石膜的重要方法。基于谐振腔理论和三维全波电磁场仿真,对MPCVD设备微波系统中谐振腔、模式转换器、样品托等影响微波传... 微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法产生的等离子体密度高,材料外延生长过程可控性好且洁净度高,是制备高质量金刚石膜的重要方法。基于谐振腔理论和三维全波电磁场仿真,对MPCVD设备微波系统中谐振腔、模式转换器、样品托等影响微波传输效率及电场分布形态的部件进行设计和优化,并通过对微波传输系统关键参量的测试和监控,研究系统调试变量对金刚石外延生长的影响。基于自研的MPCVD设备,实现较高品质金刚石膜的合成,金刚石有效生长区域为50 mm圆面,外延生长速度10~25μm/h,单晶样品的表征结果显示合成的金刚石透光率接近理论值,材料的结晶程度良好,氮、硅等杂质含量较低。 展开更多
关键词 微波等离子体化学沉积 微波系统 谐振腔 金刚石膜 透光率 杂质含量
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微波等离子体化学气相沉积法在硅片上同时生长碳化硅和金刚石 被引量:1
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作者 唐春玖 符连社 +4 位作者 A.J.S.Fernandes M.J.Soares Gil Cabral A.J.Neves J.Grácio 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期250-258,共9页
研究了衬底温度、核化密度、衬底表面预处理等工艺参数对微波等离子体化学气相沉积法在硅片上同时生长碳化硅和金刚石的影响。采用扫描电镜、X-射线衍射、喇曼光谱和红外光谱对样品进行了表征。结果表明:从高核化密度生长的金刚石膜中... 研究了衬底温度、核化密度、衬底表面预处理等工艺参数对微波等离子体化学气相沉积法在硅片上同时生长碳化硅和金刚石的影响。采用扫描电镜、X-射线衍射、喇曼光谱和红外光谱对样品进行了表征。结果表明:从高核化密度生长的金刚石膜中探测不到碳化硅;不论对硅衬底进行抛光预处理还是未抛光预处理,从低核化密度生长的金刚石厚膜中总能探测到碳化硅。碳化硅生长在硅衬底上未被金刚石覆盖的地方,或者是在金刚石晶核之间的空洞处。碳化硅形成和金刚石生长是同时发生的两个竞争过程。此研究结果为制备金刚石和碳化硅复合材料提供了一种新的方法。 展开更多
关键词 碳化硅 金刚石厚膜 红外光谱 微波等离子体化学沉积
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