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五位RF MEMS开关延迟线移相器 被引量:3
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作者 金铃 《微波学报》 CSCD 北大核心 2011年第2期84-87,共4页
设计并研制了一种6~11GHz、超宽带5位RF MEMS开关延迟线移相器,器件实现了5位延迟:λ、2λ、4λ、8λ、16λ。该器件采用微带混合介质多层板技术,分4层制作,尺寸为45mm×20 mm。整个器件包括20个RFMEMS悬臂梁开关,用60~75V的静电... 设计并研制了一种6~11GHz、超宽带5位RF MEMS开关延迟线移相器,器件实现了5位延迟:λ、2λ、4λ、8λ、16λ。该器件采用微带混合介质多层板技术,分4层制作,尺寸为45mm×20 mm。整个器件包括20个RFMEMS悬臂梁开关,用60~75V的静电压驱动。6~11GHz频带内,对32个相移态的测试结果表明:一般回波损耗S11<-10dB,各状态平均插入损耗为-8~-10dB;中心频率处,器件可实现的最大延迟位时延为1680ps,总时延为3255ps。 展开更多
关键词 开关延迟线移相器 微机电系统(MEMS) 悬臂梁开关 微波混合介质多层板
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