微波等离子体增强法合成氮杂二氧化钒

选用V2O5为前驱物,通过在玻璃片上镀膜,利用高纯氢和高纯氮作为气源,采用微波等离子体增强法,在低温条件下合成了氮杂二氧化钒(VO2-xNy)样品。通过XRD表征了样品的成分,结果表明:合成的样品为氮杂二氧化钒,样品的结晶度较低,颗粒尺寸较小;相变温度测试结果表明:通过氮掺杂可以有效降低二氧化钒薄膜的相变温度,目前最低可以降低至42℃。

利用微波等离子体增强化学气相沉积法定向生长纳米碳管的研究

利用微波等离子体增强化学气相沉积法在氢气和甲烷的混合气体中定向生长纳米碳管 .经扫描电子显微镜观察与分析 ,发现纳米碳管在与基板垂直的方向上整齐排列 。

新型微波ECR-PECVD装置的研制

介绍一台新型的ECR PECVD装置。这一装置设计和采用了一种由单个电磁线圈和永磁体单元组合的新型磁场 ,使整个装置结构明显简化。为提高装置的微波转换效率 ,通过计算机仿真微波场在等离子体室的分布 ,选择和采用了一种新型的矩形耦合波导。应用这一装置分解H2 稀释的SiH4气体以沉积a Si:H薄膜 ,获得了

碳氮纳米管薄膜及其场致电子发射特性

利用微波等离子体增强化学气相沉积技术,在玻璃衬底上600℃～650℃的低温下制备出了碳氮纳米管薄膜,氮含量为12%,采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子谱(XPS)和Raman光谱等测试手段对所制备薄膜的表面形貌、微结构和成分进行了分析,并研究了其场致电子发射特性,阈值电场为3.7V/μm。当电场为8V/μm时,电流密度为413.3μA/cm2。实验表明该薄膜具有优异的场发射性能,而且用这种方法制备的薄膜将大大简化平板显示器件的制作工艺。

类富勒烯纳米晶CN_x薄膜及其场致电子发射特性

利用微波等离子体增强化学气相沉积技术制备出了CNx 薄膜 ,并利用x射线光电子能谱、x射线衍射、扫描电子显微镜和Raman光谱等测试手段对所制备的CNx 薄膜的微结构和成分进行了分析 .研究了其场致电子发射特性 .发现薄膜的结构和场发射特性与反应系中的甲烷、氮气及氢气的流量比有关 ,当甲烷、氢气及氮气流量比为 8 5 0 5 0sccm时 ,制备的薄膜具有弯曲层状的纳米石墨晶体结构 (类富勒烯结构 )和很好的场发射特性 .场发射阈值电场降低至 1 1V μm .当电场为 5 9V μm时 ,平均电流密度达 70 μA cm2 ,发射点密度大于 1× 10 4 cm- 2 .