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L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验
被引量:
4
1
作者
黄雒光
董四华
+1 位作者
刘英坤
郎秀兰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期494-497,共4页
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pi...
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。
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关键词
硅
微波
脉冲
功率
晶体管
加速老化
可靠性
寿命试验
Arrhenius模型
下载PDF
职称材料
高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
2
作者
邓建国
刘英坤
+5 位作者
张鸿亮
潘茹
马红梅
李明月
胡顺欣
崔现锋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期477-479,共3页
采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管,该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作,宽带输出功率大于50 W,增益大于7.4 dB,效率大于36%;在Vcc...
采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管,该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作,宽带输出功率大于50 W,增益大于7.4 dB,效率大于36%;在Vcc=36 V时,宽带输出功率大于64 W,增益大于8.5 dB,效率大于36%,抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁,表现出了良好的微波性能和高的可靠性。
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关键词
硅
等平面自对准工艺
微波
脉冲
功率
晶体管
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职称材料
L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
被引量:
3
3
作者
硅微波脉冲功率晶体管攻关组
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期373-373,共1页
关键词
L波段
硅
微波
脉冲
功率
晶体管
功率增益
性能
功率密度
下载PDF
职称材料
固态脉冲功率放大器脉冲波形顶降的研究
被引量:
12
4
作者
赵夕彬
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期381-384,392,共5页
针对固态脉冲功率放大器存在脉冲波形顶降问题,从功率放大器的基本原理构成出发,对引起脉冲顶降的三个主要方面进行了分析讨论:GaAs晶体管脉冲调制开关电路、Si微波脉冲功率晶体管自身顶降以及功率晶体管的匹配电路,通过理论推导指出了...
针对固态脉冲功率放大器存在脉冲波形顶降问题,从功率放大器的基本原理构成出发,对引起脉冲顶降的三个主要方面进行了分析讨论:GaAs晶体管脉冲调制开关电路、Si微波脉冲功率晶体管自身顶降以及功率晶体管的匹配电路,通过理论推导指出了脉冲顶降产生的原因,结合设计制作固态功率放大器时常出现的脉冲顶降问题,提出了解决办法及改善途径,并通过实验进行了验证,使脉冲顶降得到了改善。
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关键词
脉冲
功率放大器
微波脉冲晶体管
调制电路
脉冲
波形顶降
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职称材料
题名
L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验
被引量:
4
1
作者
黄雒光
董四华
刘英坤
郎秀兰
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第5期494-497,共4页
文摘
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。
关键词
硅
微波
脉冲
功率
晶体管
加速老化
可靠性
寿命试验
Arrhenius模型
Keywords
Si microwave pulse power transistor
accelerated fatigue
reliability
lifetime test
Arrhenius model
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
TN306 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
2
作者
邓建国
刘英坤
张鸿亮
潘茹
马红梅
李明月
胡顺欣
崔现锋
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期477-479,共3页
文摘
采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管,该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作,宽带输出功率大于50 W,增益大于7.4 dB,效率大于36%;在Vcc=36 V时,宽带输出功率大于64 W,增益大于8.5 dB,效率大于36%,抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁,表现出了良好的微波性能和高的可靠性。
关键词
硅
等平面自对准工艺
微波
脉冲
功率
晶体管
Keywords
Si
equi-planar and self-aligned technology
microwave pulsed power transistor
分类号
TN325.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
被引量:
3
3
作者
硅微波脉冲功率晶体管攻关组
机构
南京电子器件研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003年第3期373-373,共1页
关键词
L波段
硅
微波
脉冲
功率
晶体管
功率增益
性能
功率密度
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
固态脉冲功率放大器脉冲波形顶降的研究
被引量:
12
4
作者
赵夕彬
机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第4期381-384,392,共5页
文摘
针对固态脉冲功率放大器存在脉冲波形顶降问题,从功率放大器的基本原理构成出发,对引起脉冲顶降的三个主要方面进行了分析讨论:GaAs晶体管脉冲调制开关电路、Si微波脉冲功率晶体管自身顶降以及功率晶体管的匹配电路,通过理论推导指出了脉冲顶降产生的原因,结合设计制作固态功率放大器时常出现的脉冲顶降问题,提出了解决办法及改善途径,并通过实验进行了验证,使脉冲顶降得到了改善。
关键词
脉冲
功率放大器
微波脉冲晶体管
调制电路
脉冲
波形顶降
Keywords
pluse power-amplifier
microwave pulse transistor
modulated circuit
pulse waveform drop
分类号
TN722.75 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验
黄雒光
董四华
刘英坤
郎秀兰
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
下载PDF
职称材料
2
高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
邓建国
刘英坤
张鸿亮
潘茹
马红梅
李明月
胡顺欣
崔现锋
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
下载PDF
职称材料
3
L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管
硅微波脉冲功率晶体管攻关组
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
2003
3
下载PDF
职称材料
4
固态脉冲功率放大器脉冲波形顶降的研究
赵夕彬
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
12
下载PDF
职称材料
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