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L波段Si微波脉冲功率晶体管射频加速寿命试验 被引量:4
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作者 黄雒光 董四华 +1 位作者 刘英坤 郎秀兰 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第5期494-497,共4页
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pi... Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用L波段Si微波脉冲功率晶体管在射频脉冲工作条件下(f=1.3GHz,Pin=40W,TW=150μs,D=10%)进行了壳温为200℃的高温加速老化试验,应用Arrhenius模型对试验结果进行了分析和计算。推导得出了L波段Si微波脉冲功率晶体管在室温(25℃)工作条件下的平均寿命为6.2×106h。 展开更多
关键词 微波脉冲功率晶体管 加速老化 可靠性 寿命试验 Arrhenius模型
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高性能S波段Si微波脉冲功率晶体管研制
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作者 邓建国 刘英坤 +5 位作者 张鸿亮 潘茹 马红梅 李明月 胡顺欣 崔现锋 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期477-479,共3页
采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管,该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作,宽带输出功率大于50 W,增益大于7.4 dB,效率大于36%;在Vcc... 采用等平面自对准工艺技术研制成功的一种高增益、高效率和高可靠的S波段Si微波脉冲功率晶体管,该器件在fo为3.1-3.4 GHz、Vcc=32 V、PW=500μs、D=10%条件下共基极C类工作,宽带输出功率大于50 W,增益大于7.4 dB,效率大于36%;在Vcc=36 V时,宽带输出功率大于64 W,增益大于8.5 dB,效率大于36%,抗驻波失配能力达到3∶1不烧毁,表现出了良好的微波性能和高的可靠性。 展开更多
关键词 等平面自对准工艺 微波脉冲功率晶体管
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L波段250W宽带硅微波脉冲功率晶体管 被引量:3
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作者 硅微波脉冲功率晶体管攻关组 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期373-373,共1页
关键词 L波段 微波脉冲功率晶体管 功率增益 性能 功率密度
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固态脉冲功率放大器脉冲波形顶降的研究 被引量:12
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作者 赵夕彬 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期381-384,392,共5页
针对固态脉冲功率放大器存在脉冲波形顶降问题,从功率放大器的基本原理构成出发,对引起脉冲顶降的三个主要方面进行了分析讨论:GaAs晶体管脉冲调制开关电路、Si微波脉冲功率晶体管自身顶降以及功率晶体管的匹配电路,通过理论推导指出了... 针对固态脉冲功率放大器存在脉冲波形顶降问题,从功率放大器的基本原理构成出发,对引起脉冲顶降的三个主要方面进行了分析讨论:GaAs晶体管脉冲调制开关电路、Si微波脉冲功率晶体管自身顶降以及功率晶体管的匹配电路,通过理论推导指出了脉冲顶降产生的原因,结合设计制作固态功率放大器时常出现的脉冲顶降问题,提出了解决办法及改善途径,并通过实验进行了验证,使脉冲顶降得到了改善。 展开更多
关键词 脉冲功率放大器 微波脉冲晶体管 调制电路 脉冲波形顶降
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