AlN-SiC微波衰减材料的高频介电性能研究

分别采用SPS和无压烧结工艺制备了AlN-SiC微波衰减材料。采用网络分析仪及扫描电镜检测仪,研究了衰减材料在X波段和Ku波段的介电性能及微观结构。研究结果表明:SPS制备的样品相对密度达到98%,介电性能在X波段ε'为14.01～13.98,tgδ为0.158～0.163,在Ku波段ε'为11.48～10.96,tgδ为0.18～0.17;采用无压烧结制备的样品密度仅为理论密度的95%,在X波段的ε'为26.97～24.26,tgδ为0.326～0.327。探讨了两种烧结方式制备样品的损耗机理。

纳米碳管复合陶瓷微波衰减材料的研究

采用无压烧结工艺,以AlN和镁橄榄石(M2S)粉作为基体制备了纳米碳管(CNT)复合陶瓷。制备了热导率高、衰减量大及频率匹配特性良好的AlN-CNT复合微波衰减陶瓷。制备出的致密的M2S-CNT复合微波衰减材料有希望替代用在真空电子器件中的氧化铝多孔渗碳微波吸收材料。

AlN-C(石墨)复相材料微波衰减性能的研究

采用热压烧结工艺,通过合理的烧结温度及保温时间的控制,制备了性能优异的AlN-C复相微波衰减材料。通过网络分析仪、SEM等测试手段,研究了衰减剂C含量对AlN-C复相材料微波衰减性能的影响,结果表明,当衰减剂C含量极小时(w≤1.0 %),AlN-C复相材料不具备衰减电磁波的特性;当衰减剂C含量为3.0 %～5.0 %时,AlN-C复相材料呈现良好的宽频衰减特性;当衰减剂C含量大于7.0 %时,AlN-C复相材料呈现明显的选频衰减特性,且随着C含量的增加,材料的衰减量增大,有效衰减带宽减小,中心谐振频率f0有向高频漂移的趋势。对AlN-C复相材料的频谱特性进行了初步的分析。探讨了AlN-C复相材料的微波衰减机理,电导损耗、界面极化损耗是其主要的微波衰减机理。

TiO_2添加剂对AlN-SiC材料微波衰减性能的影响

在AlN-SiC复相材料中加入TiO2,采用热压工艺,制备了性能优异的AlN-SiC-TiO2复相微波衰减材料。通过矢量网络分析仪、SEM等测试手段,研究了AlN-SiC复相材料微波衰减性能与SiC含量的之间的关系,以及添加剂TiO2对AlN-SiC复相材料微波衰减特性和显微结构的影响。结果表明,SiC是良好的宽频微波衰减剂,对衰减频谱曲线特征起决定作用;TiO2的添加大大促进了AlN-SiC复相材料的烧结性能和微波衰减性能,添加了TiO2后6 GHz下衰减量由0.6 dB增加到0.85 dB。初步探讨了AlN-SiC-TiO2复相材料的微波衰减机理,电导损耗、介质损耗是其主要的微波衰减机理。

TiO_2添加剂对AlN-C复相材料微波衰减性能的影响

在AlN-C复相材料中加入TiO_2,采用热压工艺,制备了性能优异的AlN-C-TiO_2复相微波衰减材料。通过矢量网络分析仪、SEM等测试手段,研究了AlN-C复相材料微波衰减性能与石墨(C)含量之间的关系,以及添加剂TiO_2对AlN-C复相材料微波衰减特性和显微结构的影响。结果表明,石墨是良好的宽频微波衰减剂,对衰减频谱曲线特征起决定作用;TiO_2的添加大大促进了AlN-C复相材料的烧结性能。初步探讨了AlN-C-TiO_2复相材料的微波衰减机理,极化损耗、介电损耗是其主要的微波衰减机理。

衰减材料对高增益相对论速调管自激振荡的抑制

在高增益相对论速调管放大器中,自激振荡严重影响器件的正常工作并导致脉冲缩短。通过粒子模拟研究了高次模式自激振荡的激励机制,并提出在器件内加入微波衰减材料来抑制该类自激振荡。详细研究了衰减材料的电导率和几何参数与高次模式衰减常数的关系,并开展了微波衰减体的冷测实验。冷测表明微波衰减体对高次模式的衰减达11.25 dB,其性能满足器件实验要求,可以用于高增益相对论速调管的热腔实验。

TiO_2对AlN-C复相材料性能的影响

以TiO2[0]为前驱体,采用热压烧结工艺,高温原位合成AlN-C-TiC复相材料。通过矢量网络分析仪、SEM和XRD等测试手段,研究了添加剂TiO2对AlN-C复相材料密度、热导率、电阻率、微波衰减特性和显微结构的影响。结果表明,添加TiO2后有新相TiC生成,热导率降低,改善了材料的衰减性能。通过调整参数,使得该复相材料在w(TiO2)为3%时,微波衰减达到-0.8dB。

真空电子陶瓷材料技术发展与应用

真空电子陶瓷是微波真空电子器件的关键基础材料。本文从微波真空电子器件技术发展需求出发,介绍了真空电子陶瓷在高耐压、微波传输、微波衰减三个方面的重要应用,并对这三个方面的技术现状和发展趋势进行了评述。

多注速调管外加载谐振腔的分析和模拟

该文对多注速调管谐振腔内加载技术和外加载技术以及相关的微波吸收材料作了分析和比较;理论上阐明外加载谐振腔品质因数的调节途径,用MWS设计出符合要求的外加载谐振腔;对由此产生的模式不对称性进行校正,找出了外加载谐振腔品质因数的影响因素和规律。