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GaAs/AlGaAs异质结的微波调制反射谱(英文)
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作者 钱轩 谷晓芳 姬扬 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期486-489,510,共5页
基于搭建的微波调制反射谱测量系统(MMRS),确定了GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴到二维电子系统(2DES)电子基态(GS)的跃迁.微波调制反射谱与温度的依赖关系表明,随着测量温度的升高,能带带隙发生了蓝移现象;而其与磁场的依赖关系表明,... 基于搭建的微波调制反射谱测量系统(MMRS),确定了GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴到二维电子系统(2DES)电子基态(GS)的跃迁.微波调制反射谱与温度的依赖关系表明,随着测量温度的升高,能带带隙发生了蓝移现象;而其与磁场的依赖关系表明,随着测量磁场的增大,能带带隙则发生了红移现象;它们均与GaAs/AlGaAs异质结构中价带空穴的带填充效应有关.基于Kramers-Kronig关系的理论模拟给出了和实验测量相似的结果. 展开更多
关键词 微波调制反射谱 二维电子系统
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