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GaAs及GaN微波毫米波多功能集成电路芯片综述 被引量:1
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作者 彭龙新 邹文静 +1 位作者 孔令峥 张占龙 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2023年第2期121-135,共15页
综合论述了GaAs和GaN微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性,简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法,给... 综合论述了GaAs和GaN微波毫米波的收发多功能芯片、幅相多功能芯片和GaAs限幅放大器集成芯片的发展状况、电路结构和性能特性,简述了收发多功能中的功率放大器和低噪声放大器的设计方法、幅相多功能中数字移相器和衰减器的设计方法,给出了限幅低噪声放大器中限幅器的设计参考。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管 氮化镓高电子迁移率晶体管 微波单片集成电路 多功能芯片 低噪声放大器 功率放大器 数控衰减器 数控移相器 开关 GaAs数字电路
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GaAs微波单片集成电路(MMIC)的可靠性研究 被引量:9
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作者 黄云 《微电子技术》 2003年第1期49-52,共4页
本文介绍了GaAsMMIC的可靠性研究与进展 ,重点介绍了工艺表征工具 (TCV)、工艺控制监测 (PCM )和统计工艺控制 (SPC)等实现产品高质量、高可靠性和可重复性的可靠性保障技术 ,为国内GaAsMMIC可靠性研究提供了新的思路。
关键词 mmic 砷化镓 微波单片集成电路 可靠性 失效机理
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砷污染环境风险概述——以某砷化镓单片微波集成电路(GaAsMMIC)项目为例
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作者 田豫川 付豪 +1 位作者 姚金豆 唐纲 《区域治理》 2020年第16期150-151,共2页
本文以某砷化镓单片微波集成电路(GaAsMMIC)项目为例,对项目砷污染环境风险进行了概要分析论述,并提出了可行的砷污染风险防范措施。
关键词 砷化镓单片微波集成电路 砷污染 环境风险
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MMIC——单片式微波集成电路 被引量:1
4
作者 陈夏生 《电子器件》 CAS 1999年第1期64-67,共4页
本文简单介绍MMIC——单片式微波集成电路及其应用。
关键词 单片式 微波集成电路 mmic
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MMIC-单片式微波集成电路 被引量:1
5
作者 陈夏生 《集成电路应用》 1998年第5期46-47,共2页
本文介绍MMIC-单片式微波集成电路及其应用。
关键词 单片式 微波集成电路 mmic
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集成电路器件微波损伤效应实验研究 被引量:23
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作者 方进勇 申菊爱 +1 位作者 杨志强 乔登江 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第6期591-594,共4页
 主要介绍了微波脉冲参数变化对集成电路器件微波易损性的影响。实验表明:集成电路器件损伤功率阈值随着微波频率的增加而增大,随着脉冲重复频率的增加而减小。随脉冲宽度的变化较为复杂,总体是随着脉冲宽度的增加损伤功率阈值逐渐降低...  主要介绍了微波脉冲参数变化对集成电路器件微波易损性的影响。实验表明:集成电路器件损伤功率阈值随着微波频率的增加而增大,随着脉冲重复频率的增加而减小。随脉冲宽度的变化较为复杂,总体是随着脉冲宽度的增加损伤功率阈值逐渐降低,但存在一拐点区域(约100ns),在此区域后,脉冲宽度增加但器件损伤功率阈值变化不甚明显。器件损伤功率阈值基本呈正态分布,且方差较小,因此,器件的损伤概率近似于0~1分布。 展开更多
关键词 集成电路器件 微波损伤效应 实验研究 微波易损性 脉冲宽度 损伤功率阈值 高功率微波
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宽带低噪声放大器单片微波集成电路 被引量:5
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作者 戴剑 要志宏 +2 位作者 赵瑞华 宋学峰 刘帅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期259-263,共5页
从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2~20GHz单片微波集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益,采用了一个共源场效应... 从行波放大器设计理论出发,研制了一款基于低噪声GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺设计的2~20GHz单片微波集成电路(MMIC)宽带低噪声放大器。该款放大器由九级电路构成。为了进一步提高放大器的增益,采用了一个共源场效应管和一个共栅场效应管级联的拓扑结构,每级放大器采用自偏压技术实现单电源供电。测试结果表明,本款低噪声放大器在外加+5V工作电压下,能够在2~20GHz频率内实现小信号增益大于16dB,增益平坦度小于士0.5dB,输出P-1dB大于14dBm,噪声系数典型值为2.5dB,输入和输出回波损耗均小于-15dB,工作电流仅为63mA,低噪声放大器芯片面积为3.1mm×1.3mm。 展开更多
关键词 砷化镓赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 单片微波集成电路(mmic) 低噪 声放大器 宽带 行波
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微波集成电路的发展趋势 被引量:20
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作者 徐锐敏 陈志凯 赵伟 《微波学报》 CSCD 北大核心 2013年第5期55-60,共6页
回顾了第一代波导立体电路、第二代微波混合集成电路和第三代微波单片集成电路与多芯片组件的发展,介绍了第四代片上系统、系统级封装和封装级系统,对比总结了各自的关键技术、特点和应用,并对微波集成电路今后的发展趋势做出展望。
关键词 微波集成电路 小型化 集成技术 发展趋势
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微波集成电路技术—回顾与展望 被引量:24
9
作者 顾墨琳 林守远 《微波学报》 CSCD 北大核心 2000年第3期278-290,共13页
半个多世纪来 ,微波电路技术经历了从分立电路、两维微波集成电路、三维微波集成电路等阶段。在回顾这一发展历程后 ,介绍多层微波集成电路和三维微波集成电路。阐述其产生背景、关键技术及发展方向。文中将涉及微加工技术以及从直流至... 半个多世纪来 ,微波电路技术经历了从分立电路、两维微波集成电路、三维微波集成电路等阶段。在回顾这一发展历程后 ,介绍多层微波集成电路和三维微波集成电路。阐述其产生背景、关键技术及发展方向。文中将涉及微加工技术以及从直流至射频的多芯片全集成新概念。瞻望二十一世纪前景。 展开更多
关键词 微波集成电路 微加工 多芯片模块 微波电路
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LTCC及其在三维微波集成电路中的应用 被引量:10
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作者 魏启甫 孟庆鼐 郑建彬 《微波学报》 CSCD 北大核心 2005年第5期58-62,70,共6页
介绍了用于三维微波集成电路(3D-MIC)的新技术LTCC(低温共烧陶瓷)的物理性能及主要特点;阐述了LTCC的制作工艺;重点讨论了基于LTCC的三维微波集成电路和内埋无源元件技术。
关键词 低温共烧陶瓷 三维微波集成电路 内埋无源元件 工艺流程 微波集成电路 LTCC 三维 应用 物理性能 制作工艺
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用于微波/射频集成电路的一种新型低损耗介质——多孔硅及氧化多孔硅厚膜 被引量:5
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作者 龙永福 朱自强 +2 位作者 赖宗声 忻佩胜 石艳玲 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期609-613,共5页
提出在单片微波集成电路 (MMIC)中用多孔硅 /氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜 .研究了厚度为 70μm的多孔硅 /氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成 ,这层厚膜增加了衬底的电阻率 ,减少了微波的有效介质损耗 .通过测量在低... 提出在单片微波集成电路 (MMIC)中用多孔硅 /氧化多孔硅厚膜作微波无源器件的低损耗介质膜 .研究了厚度为 70μm的多孔硅 /氧化多孔硅厚膜在低阻硅衬底上的形成 ,这层厚膜增加了衬底的电阻率 ,减少了微波的有效介质损耗 .通过测量在低阻硅衬底上形成的氧化多孔硅厚膜上的共平面波导的微波特性 ,证明了在低阻硅衬底上用厚膜氧化多孔硅可以提高共平面传输线 (CPW) 展开更多
关键词 集成电路 微波/射频 多孔硅/氧化多孔硅 介质膜 损耗
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科锐展示业界首款用于卫星通信的C波段GaN HEMT单片式微波集成电路(MMIC)高功率放大器 被引量:1
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《电子技术应用》 北大核心 2011年第7期114-114,共1页
科锐公司日前在巴尔的摩举行的2011年IEEE国际微波研讨会上展出业界首款面向卫星通信应用的GaN HEMT MMIC高功率放大器(HPA)。与现有商用GaAs MESFET晶体管或基于行波管的放大器相比,该产品可大幅提高性能。
关键词 高功率放大器 微波集成电路 卫星通信 HEMT GaN C波段 单片式 MESFET
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MMIC单片微波集成电路的原理及应用 被引量:2
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作者 司朝良 《国外电子元器件》 2002年第7期48-50,共3页
介绍了MMIC单片微波集成电路的特点和分类 ,分析了其内部电路原理 ,列举了几种常用的MMIC的性能指标 ,给出了典型应用电路 ,最后就使用中的问题提出了几点建议。
关键词 mmic 高频放大器 自排列晶体管 微波集成电路
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开口波导法无损测量微波集成电路基片复介电常数 被引量:6
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作者 李纪鹏 龚勋 蔡树榛 《微波学报》 CSCD 北大核心 1999年第4期317-322,共6页
提出一种测量微波集成电路基片复介电常数的新方法。通过测量贴于开口矩形波导外的介质基片的反射系数,可计算得基片的介电常数和损耗角。经过理论分析,给出求解复介电常数的计算公式和优化算法。对一些基片的复介电常数进行了实际测... 提出一种测量微波集成电路基片复介电常数的新方法。通过测量贴于开口矩形波导外的介质基片的反射系数,可计算得基片的介电常数和损耗角。经过理论分析,给出求解复介电常数的计算公式和优化算法。对一些基片的复介电常数进行了实际测量,结果表明该测量方法运算量小,精度高,且具有设备简单,不需对样品进行特殊加工或破坏样品等优点。 展开更多
关键词 微波集成电路 介电常数 开口波导 无损测量
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微波单片集成电路及其发展趋势 被引量:6
15
作者 费元春 陈世伟 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 1996年第3期297-302,共6页
讨论了微波集成电路(MMIC)的发展过程、特点、材料和元件,它的设计、制造、应用以及国内MMIC发展概况.
关键词 电子战 相控阵 微波集成电路 砷化镓 FET
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微波混合集成电路的三维集成设计研究 被引量:6
16
作者 白锐 徐达 韩玉朝 《固体电子学研究与进展》 CAS 北大核心 2020年第6期412-417,共6页
介绍了一种可实现微波混合集成电路三维集成的设计方法。该方法在陶瓷基板上采用薄膜混合集成工艺制作多层薄膜电路结构,利用球栅阵列连接实现多个基板的三维集成互联组装。该设计可使混合集成电路的集成度进一步提高,并可改善安装方式... 介绍了一种可实现微波混合集成电路三维集成的设计方法。该方法在陶瓷基板上采用薄膜混合集成工艺制作多层薄膜电路结构,利用球栅阵列连接实现多个基板的三维集成互联组装。该设计可使混合集成电路的集成度进一步提高,并可改善安装方式和调试难度。同时对三维集成设计方式和应用特点进行了分析和研究,为小型化混合集成电路应用提供了有效的解决方案。 展开更多
关键词 微波混合集成电路 三维集成 球栅阵列 电路设计
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集成电路高功率微波易损性预测评估模型 被引量:4
17
作者 方进勇 张治强 +1 位作者 黄文华 江伟华 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期565-568,共4页
介绍了集成电路高功率微波易损性的基本概念,给出了利用人工神经网络建立集成电路高功率微波易损性预测评估模型的基本步骤,通过一个实例,对预测评估模型的有效性进行了检验。实践表明:人工神经网络作为一个有效工具,可以较好地应用到... 介绍了集成电路高功率微波易损性的基本概念,给出了利用人工神经网络建立集成电路高功率微波易损性预测评估模型的基本步骤,通过一个实例,对预测评估模型的有效性进行了检验。实践表明:人工神经网络作为一个有效工具,可以较好地应用到集成电路高功率微波易损性预测评估工作中。 展开更多
关键词 高功率微波 易损性评估模型 集成电路 人工神经网络
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三维微波集成电路的发展 被引量:5
18
作者 王安国 吴咏诗 《微波学报》 CSCD 北大核心 1999年第2期167-173,共7页
近几年来,三维微波集成电路的研制在各方面均取得了一定的进展,作为新一代体积更小的微波集成电路,必将随着信息时代的发展,在移动通信、卫星直播电视等装置中获得广泛应用。本文综述三维微波集成电路近几年来的发展。
关键词 三维 微波集成电路 单片 多层
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大规模集成电路中的互连问题和微波技术 被引量:11
19
作者 李征帆 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第5期67-73,共7页
本文叙述了大规模和超大规模集成电路中当电路规模和工作速度增加时的互连问题,此时互连系统中出现的波效应将十分明显,并将影响集成电路的电性能。为对这种效应进行估算并和集成电路的整体设计相配合,必须与微波理论和方法相结合,本文... 本文叙述了大规模和超大规模集成电路中当电路规模和工作速度增加时的互连问题,此时互连系统中出现的波效应将十分明显,并将影响集成电路的电性能。为对这种效应进行估算并和集成电路的整体设计相配合,必须与微波理论和方法相结合,本文对这一领域的研究工作进行了概括性的评述。 展开更多
关键词 互连 时域响应 互耦 集成电路 微波
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微波集成电路基片复介电常数快速宽频带测试技术 被引量:2
20
作者 唐宗熙 张其劭 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第5期81-86,共6页
本文提出了一种微波集成电路基片复介电常敛测试技术,其测试频率范围为1~20CHz,εJ的测试范围为2~25,tanδ的测试范围为3×10^(-4)~1×10^(-2),可以测试各种柔性和刚性的介质基片材料,则试ε′_r的不确定度优于±1%,ta... 本文提出了一种微波集成电路基片复介电常敛测试技术,其测试频率范围为1~20CHz,εJ的测试范围为2~25,tanδ的测试范围为3×10^(-4)~1×10^(-2),可以测试各种柔性和刚性的介质基片材料,则试ε′_r的不确定度优于±1%,tanδ的不确定度约为±10%。该测试技术实现了无损和自动化测量,测试电路简单,测试速度快,尤其适用于介质基片的批量和在线检测。 展开更多
关键词 微波集成电路 介电常数 频带 测试
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