微电子工艺模拟及器件分析的CA方法研究进展

综述了用于微电子工艺模拟和器件分析的元胞自动机(CA)方法的研究进展,分析了现有CA方法的优势,并比较了CA方法与其它方法的优缺点。在此基础上,展望了微电子工艺模拟及器件分析的CA方法的发展前景。对研究采用CA方法模拟微电子加工工艺和进行微电子器件分析具有参考意义。

微电子器件金属化系统失效的电子显微分析

随着微电子器件向着超高频,超高速和高集成度化方向发展,电徒动引起的器件金属化系统失效问题变得日益突出。所谓电徒动是指高电流密度作用下,金属导体中发生质量输运的现象。电徒动使器件的内部金属化系统条状铝薄膜上出现小丘。晶须(质量堆积)和空洞(质量耗尽)现象,造成短路和开路失效。本文叙述了AL-Cu金属化系统电徒动寿命的测试和电镜分析。从实验获得了在300C.氮气环境中,高电流密度(0.6×10~6和1.2×10~6A.cm^(-2)作用下的Al-Cu薄膜电阻随时间的变化率,并计算了薄膜中值电徒动失效前的时间。用SEM和TEM观察和分析了钝化层覆盖效应。

加强气体分析测试技术研究为微电子工业振兴服务

阐述了分析测试工作在国民经济建设中的重要作用，以及气体分析测试、系统污染监测有关基础研究工作对微电子工业振兴的必要性．介绍了ＳＥＭＩ国际际准比组织的有关工作，并提出了国内开展气体分析测试技术基础研究工作的具体建议．

国产半导体器件测试分析中典型问题案例研究

国产半导体器件在电子产品中的应用越来越广泛,但与进口器件相比,其在质量和可靠性方面仍然存在着一定的差距。对器件开展功能性能测试、结构分析和环境适应性和设计可靠性评估等,能够识别半导体器件的可靠性水平。对半导体器件在测试中出现的典型问题进行了研究,并提出了相应的改进措施,有助于了解目前国产元器件存在的薄弱环节,同时为提高国产元器件整体质量和可靠性水平提供了方向。

微电子器件材料和工艺的专利分析

[目的/意义]面向我国信息化战略和集成电路重大需求,基于专利文献分析把握微电子器件材料和工艺的发展现状和趋势。[方法/过程]以德温特世界专利索引数据库2000-2020年的专利为基础,从三个层次进行专利分析:(1)宏观上对专利数量、时间趋势等进行基本统计分析;(2)中观上对专利国家/地区、专利权人以及研发团队合作关系等进行关联分析;(3)微观上利用Citespace分析关键材料和工艺的主题演化进程和发展趋势。[结果/结论]美国微电子器件材料和工艺专利量领先全球;全球形成以IBM-三星、日本日立和荷兰飞利浦为中心的美日欧三个研发团体,且美日间合作关系较强;传统复合材料、化合物材料已趋于成熟,新型半导体材料、纳米线、纳米管以及石墨烯及其衍生物等材料是未来研发重点。本文能弥补未总结微电子器件关键材料和工艺的研究空白,为我国相关技术发展提供参考和启示。

电子元器件低频电噪声测试技术及应用分析

电子元器件低频电噪声是载流子的微运动表现,其精确的测量能够为噪声特性、产生机理研究与应用分析奠定基础。通过噪声测试能够对电子元器件中与载流子输运相关基础理论进行有效验证,同时促进对噪声现象物理本源的探索。电噪声应用是噪声测试技术与噪声机理研究的目的之一,对电子元器件应力损伤、缺陷、质量以及工艺水平、可靠性与低频电噪声之间的相关性进行研究,可发展基于噪声的表征方法,再应用到元器件可靠性筛选、质量评定、工艺控制以及设计优化方面。本文系统的对电子元器件低频噪声监测技术以及应用方法进行了研究,主要有低噪声放大技术、低噪声处理技术方面关键原理与应用。

微电子器件测试技术(上)

本文分析了微电子器件的发展趋势,论述了微电子器件的测试筛选与质量控制的关系。重点结合了华峰测控的STS2100系列测试系统介绍了各种微电子器件的相关测试技术,同时也介绍了测试失效分析及其重要性。

2012微电子与元器件计量测试研讨会在京召开

2012年12月20日,由工业和信息化部电子工业标准化研究院、中国半导体协会、国防科技工业微电子元器件一级计量站主办的＂2012微电子与元器件计量测试研讨会＂在北京顺利召开。国家质监局计量司宋伟副司长、陈红处长,工业和信息化部科技司韩俊副司长、技术基础处常利民处长,

微电子测试图形在半导体器件、集成电路生产中的应用

一、概述 工艺质量监测与控制是半导体器件和集成电路制造技术所要探讨的重要课题。国外在集成电路研制和生产过程中,推广使用微电子测试图形作为质量控制工具来及时掌握和控制工艺质量问题,获得很大成功。在生产中例行使用的测试图形有着各种用途,诸如工艺控制、工艺设计、电路中元件的测试、生产线之间的相互比较、新产品提高成品率的改进等等都很有实用价值。因此,我们开展了一些试验和探讨。

微电子器件的静电防护分析

在我国 IT产业发展水平不断提高的背景下,市面上的IT产品数量越来越多,产生的静电也随之增多,其会增加微电子器件受到静电干扰的可能性。因此,作为相关的技术人员,应该在设计微电子器件的过程中,全面考虑会对器件形成静电影响的因素,提前采取静电防护措施进行风险规避,保证微电子器件处于正常运转状态。本文首先分析加强微电子器件静电防护的方式,其次探讨在开展防静电工作时需要遵守的规定要求,以期对相关研究产生一定的参考价值。

中国电子技术标准化研究院召开微电子与元器件计量测试研讨会

近日，中国电子技术标准化研究院、中国半导体协会、国防科技工业微电子元器件一级计量站在京联合召开“2012微电子与元器件计量测试研讨会”。国家质监局计址司宋伟副司长、工信部科技司韩俊副司长在讲话时强调了微电子与元器件计量测试的重要性，

显微云纹技术在微电子器件力学测量中的应用

电子工业的不断发展促进了电子器件的微小型化,作为新型产品设计基础的微电子器件可靠性分析成为人们非常关注的问题.力学参数的测量可以为可靠性评价提供有价值的实验依据.概括总结了显微云纹技术的发展,主要介绍了云纹干涉法和扫描显微镜云纹方法及其在微电子器件全场变形场测量中的应用.

微电子机械系统尺寸效应的泛函分析

尺寸效应涉及微电子机械系统研究领域的各个方面 ,在分析归纳微器件或系统中尺寸对其特性影响的基础上 ,提出从纯尺寸因素和非尺寸因素综合考虑尺寸效应 ,建立了一个尺寸效应的基本数学模型 ,并从尺寸泛函的绝对值、相对值和对尺寸的灵敏度三个方面对该数学模型进行泛函分析 。

SEM在电子元器件破坏性物理分析中的应用

探讨了在电子元器件破坏性物理分析(DPA)中,如何利用扫描电子显微镜(SEM)的高分辨、景深深、放大倍数高和立体感强等一系列技术特点,对微电子器件的互连金属化层异常缺陷进行定位观察、成像和分析的技术。实践证明,SEM可以很好地解决光学显微镜无法解决的一些技术问题,可以提高DPA结果的准确性。

国内外电子元器件失效分析新技术及其采用的仪器设备

1 引言 电子元器件的失效分析技术,由于集成电路的产生和发展,发生了重大的变革。 从80年代初VLSI出现,至今线宽已减到亚微米数量级并有可能继续减小。由于每芯片元件数的急剧增加,线宽和元件尺寸的大幅度减小,主要失效机理也发生了根本性的变化。分立晶体管和中小规模集成电路的主要失效机理为:引线键合缺陷、封装缺陷、钠离子沾污、氧化层针孔和金属半导体接触退化等,而大规模和超大规模集成电路的主要失效机理为:金属化引线电迁移、介质击穿、热载流子注入、ESD损伤和软失效等。

功率器件功率循环测试技术的挑战与分析

功率循环测试被称为考核功率器件封装可靠性最重要的实验,尤其是碳化硅金属–氧化物半导体场效应晶体管(silicon carbon metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,SiC MOSFET)功率器件的快速发展,是近几年的研究热点。与其他可靠性测试不同的是,功率循环测试原理虽然简单,但测试技术、测试方法和数据处理却涉及到半导体物理、电磁学、传热学、结构力学和信号分析等多学科交叉,处理不当将得到错误的结论。文中基于功率循环测试基本原理,从测试技术、测试方法和数据处理3个大方面对其存在的挑战进行深入分析,并提出相应的解决方案。测试技术主要包括电气测量噪声、结温测量延时和数据采集点,电气测量噪声和测量延时影响功率循环测试中结温的准确性,数据采集点则是影响器件的失效模式判定和寿命。测试方法主要包括结温测试方法、电流激励方法和宽禁带器件SiC MOSFET的相关测试方法,其中电流激励方法会影响器件的失效机理和寿命,需要特别关注。数据处理部分则是从可靠性数理统计角度出发,探究测试样本数量和对测试结果的修正,以得到准确的测试结果。该文可以为功率循环测试技术和设备的发展奠定一定理论和方法基础,为功率循环测试和数据分析提供一些借鉴。

印刷微电子设计软件需求分析

随着微电子技术的高速发展，人们对电子产品的要求越来越高，虽然蕊片的集成度已经达到了一定程度，但是，对于线路的设计要求，也是越来越高的。在微电子技术发展的同时，各行业对微电子器件的需求量与日俱增，但微电子生产速度却受到极大限制。很多单位及科研机构开始利用印刷方式高速、快捷地制备全印刷微电子器件，