SOI(Silicon On Insulator)技术是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的,它是在集成电路进入亚微米、深亚微米后能突破体硅材料与硅集成电路限制的新型集成电路技术。绝缘体上的硅以其独特的材料结构和优异的特性,有效地克服了...SOI(Silicon On Insulator)技术是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的,它是在集成电路进入亚微米、深亚微米后能突破体硅材料与硅集成电路限制的新型集成电路技术。绝缘体上的硅以其独特的材料结构和优异的特性,有效地克服了体硅材料的不足,充分发挥了硅集成技术的潜力,因而它被称为是'21世纪的微电子材料'。展开更多
绝缘体上的锗硅技术(SiGe on Insulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术 (Strained Silicon on Insulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是近年来人们广泛 重视的研究热点和硅基集成电路产业进一步发展的重要研究方向,...绝缘体上的锗硅技术(SiGe on Insulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术 (Strained Silicon on Insulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是近年来人们广泛 重视的研究热点和硅基集成电路产业进一步发展的重要研究方向,是国际半导体技术发展路线图 (ITRS)中CMOS技术今后几年发展的方向。文章综述了SGOI薄膜的多种制备方法和最新研究进 展。展开更多
文摘SOI(Silicon On Insulator)技术是在硅材料与硅集成电路巨大成功的基础上出现的,它是在集成电路进入亚微米、深亚微米后能突破体硅材料与硅集成电路限制的新型集成电路技术。绝缘体上的硅以其独特的材料结构和优异的特性,有效地克服了体硅材料的不足,充分发挥了硅集成技术的潜力,因而它被称为是'21世纪的微电子材料'。
文摘绝缘体上的锗硅技术(SiGe on Insulator,SGOI)和以它为衬底开发的应变硅技术 (Strained Silicon on Insulator,sSOI)融合了SiGe技术和SOI技术二者的优点,是近年来人们广泛 重视的研究热点和硅基集成电路产业进一步发展的重要研究方向,是国际半导体技术发展路线图 (ITRS)中CMOS技术今后几年发展的方向。文章综述了SGOI薄膜的多种制备方法和最新研究进 展。