半导体激光器的新秀——微碟激光器

主要概述国内外半导体微碟激光器的发展现状以及制备技术。

MOCVD生长InGaAs/InGaAsP多量子阱光泵微碟激光器

用 MOCVD方法生长了 In Ga As/ In Ga As P多量子阱微碟激光器外延片 ,用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径 9.5μm的 In Ga As/ In Ga As P微碟激光器 ,并详细介绍了整个制备工艺过程 .在液氮温度下用氩离子激光器泵浦方式实现了低阈值光泵激射 ,测出单个微碟激光器的阈值光功率为 15 0μW,激射波长约为 1.6μm,品质因数 Q=80 0 ,激射光谱线宽为 2 nm,同时指出微碟激光器激射线宽比 F-

微碟激光器的单模低阈值激射

简单分析了碟型微腔激光器中的激射模式及自发发射系数。采用反应离子刻蚀和选择性刻蚀方法蚀刻出InGaAs InGaAsP多量子阱 (MQW)碟型激光器 ,碟直径 3 μm ,在液氮温度下进行光抽运实验 ,观察其模式特性。实现了单模激射 ,波长 1 5 μm ,抽运阈值 18μW。

半导体微碟激光器设计原理与工艺制作

用经典量子电动力学理论初步研究了半导体碟型微腔激光器的设计原理 ,采用光刻、反应离子刻蚀和选择化学腐蚀等现代微加工技术制备出抽运阈值功率很低且品质因数很高的低温光抽运InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器。这种激光器制作工艺简单 ,对有效光子状态密度调制较大 ,是比较理想的半导体微腔激光器。

固体激光器

TN248.1 2001031640光泵浦有机微碟激光器=Optical pumped organicmicro-disk lasers[刊,中]/刘云,刘星元,吴东江,赵家民,王立军(中科院激发态物理开放研究实验室)∥第二届全国有机分子及聚合物发光与激光学术会议.-长春,2000.

半导体激光器

TN248.4 2003010197激光二极管列阵侧面直接抽运方式的模拟计算和效果评估=Analog calculation and evaluation of LDA direct sidepumping[刊,中]/谌霖(中科院上海光机所.上海(201800)),侯霞…//光学学报.-2002,22(7).-825-828计算模拟了激光二极管侧面直接抽运方式,讨论了抽运距离和介质吸收系数等参数对抽运均匀性的影响,并近似地给出定量结果。证明只要选取适当的抽运参数,采用侧面直接抽运方式也能获得较好的抽运性能和激光输出。图5表2参2(严寒)