0.13微米制造工艺的应用 明后年将达到高峰

英特尔发表的有关企业产品制造状况表明,目前英特尔晶圆厂具备实时支持能力,而且已经具有90纳米研发生产技术,未来晶圆厂产能利用会先以处理器为主,并进一步扩展到无线通讯、闪存生产方面,而2003～2004年将是0.13微米制造工艺生产高峰.

ST TCG1．2可信平台采用0．15微米工艺

继推出符合TCG（可信计算组）TPM1．2规范的可信平台模块（TPM）后，意法半导体又推出了个采用该公司先进的0．15微米CMOS EEPROM制造工艺的新模块。新产品ST29NP18是在取得巨大成功的上代ST19WP18TPM的基础上改进而成的，制造技术采用了能够给PC制造商带来更多成本效益的0．15微米制造工艺。

0.16微米CMOS工艺技术

和舰科技自主创新研发的0.16微米硅片制造工艺技术在原有比较成熟的0.18微米工艺技术基础上,将半导体器件及相关绕线尺寸进行10%微缩（实际尺寸为0.162微米）,大大降低了芯片的面积尺寸;且能与现有的0.18微米制造工艺相互兼容,大幅度缩短了新产品达到量产的时间，具有低成本、高效能、高良率、工艺成熟的优点；可以为客户生产更具有技术和价格竞争力的产品，并填补了国内晶圆厂在该领域的空白。同时公司立足于内需巨大的中国市场，拥有一支优秀的技术团队，除了能为客户提供具有低成本、方便快捷供货的优势外，

全新图像传感器技术

IBM推出面向拍照手机、数码相机和其他消费产品的CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器．这种基于0．18微米制造工艺，内置超薄2．5微米铜堆栈、片上色彩过滤器和显微镜头的CMOS传感器可进一步提高图像质量，其中，铜堆栈厚度比标准铝制造工艺大约薄了30％，满足拍照手机等产品在低光照条件下的拍摄需要．在数码成像领域，CCD（光电荷耦合器件）由于其图片质量较高主宰着传感器市场．与CCD技术相比，CMOS技术具有低能耗、高集成度和低生产成本等优势．

S3发布DellaChrome图形芯片（图）

S3在正式发布了支持DirectX9.0的DeltaChrome系列图形芯片，基于0.13微米制造工艺，具备与nVIDIA GeForceFX相似的8条渲染管线规格．该产品将直指nVIDIA和ATi的中高端显卡产品。据悉，S3新的图形核心初期会分为三大系列。

中国将成为最大IC市场 3年欲建30家硅片厂

日前，Applied Materials亚洲区总裁David Wang在上海表示，未来的3年内，中国将建立30家硅片工厂。其中绝大多数将基于0．25微米和0．13微米制造工艺。这意味着，在未来几年内，中国将至少投资数百亿美元用于部署制造设备。

ATi 9550完美超频解决方案

自从ATi发布R9550显卡后．销量非常好，很多游戏发烧友对其充满了兴趣。原因非常简单．这类显卡采用了RV350LX显示核心，虽然在内部编号上与R9600标准版、R9600Pro等显卡采用的RV350有所区别，可实际上它们采用的核心完全相同，采用FC-PGA封装，0.13微米制造工艺：而其工作频率仅为250MHz，这也意味着其超频潜力很大。另外，RV350和RV350LX核心在特效上支持Smartshader2.0、Smoothvsion2.1和HyperZ Ⅲ+显存优化等众多先进技术，所以只要把频率超上去了就能当9600Pro使用。

为压制AMD大锤 Intel忙展示安腾3

Intel目前将McKinIey改名安腾2，它采用0．18微米制造工艺，配备了3MB高速缓存，内部晶体管数量达2．2亿颗。与安腾2相比，Madison的相关规格则高了一倍：它采用0．13微米制造工艺，并配备了最高达6MB的高速缓存，其内部晶体管数目则高达5亿颗。

Intel发展史回顾(八) “江湖大哥”的传奇故事

1999年2月26日,Intel发布了全新一代的PentiumⅢ处理器。同时还采用了最新的0．25微米制造工艺,核心集成度也提升到了950万个晶体管。自此,Intel开始踏上了PentiumⅢ,并在20世纪末创造了无可匹敌的辉煌。

低端显卡的DirectX9领跑者——GeForceFX5200横向评测

虽然NVIDIA早就发布了全面支持DirectX 9的NV30,但599美元的价格并不是绝大多数用户所能接受的,毕竟中低端市场才是主流消费市场。NVIDIA也深深认识到了这点,为了完善自己的产品线,也为了在中低端市场能有更好的表现。NVIDIA于3月14日正式发布了面向中端市场的GeForceFX 5600/Ultra(NV31)和面向低端市场的GeForceFX 5200/Ultra(NV34)。