用于亚微米图形加工的离轴照明技术

本文主要介绍了国外用于提高光学片子步进机成像性能的高分辨率、大焦深的离轴照明技术。通过几种照明技术的比较，指出了可用于亚半微米器件图形转印的环形照明技术在未来６４Ｍ～２５６ＭＤＲＡＭ器件时代进行规模生产的潜力所在。

利用照相平板印刷术制作钢表面微米图形技术

采用微机电系统关键技术的照相平版印刷术,利用电化蚀刻术进行钢表面微米图形的摩擦学设计和制作以及不同蚀刻方法的基础研究;观察在不同电化蚀刻时间和图形密度下微米图形蚀刻深度和加工表面的变化规律,并分析他们之间相关关系。结果表明,控制电化蚀刻时间可获得不同面积的钢表面微米图形以及不同蚀刻深度的微米图形,而且其变化具有一定的规律。在金属材料表面微米图形加工中,照相平版印刷术加工方法与其他传统的加工方法相比具有微米图形清晰、表面质量好、便于控制图形形状以及可大量生产等优点。在高强度金属材料表面上加工微米图形中,照相平版印刷术具有便于加工不同形状、大小和深度的微米图形以及很好的适应性。

基于混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法

提出了一种基于投影式光刻机和电子束光刻机混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法,该方法可用于制作对精度要求比较高的亚微米图形。具体的做法是将亚微米图形分解成高精度图层和普通精度图层,并将两个图层分别采用电子束直写和投影式光刻机依次在同一层光刻胶曝光后,经过一次显影得到完整图形。通过该方法不仅可以大幅减少采用电子束直写亚微米图形所需的时间,还可以有效地保证图形的线宽精度。从图形的数据处理和实验制作两个方面,详细地介绍了采用该方法在硅衬底上制作SU-8亚微米图形的过程。经SEM测试得出,本方法制作的图形尺寸精度和棱角的锐度都非常精确,可比较理想地实现设计者的设计要求。

基于热压印的微米级图形转移精度的研究

利用热压印(HEL)技术实现了微米级图形的高精度转移.这种方法利用制作的模板,在温度达到PMMA聚合物玻璃转化温度之上后施加一定的压力将模板压印到PMMA聚合物表面,使得微米级模板结构转移到样品上.通过对影响图形转移精度的一些相关参数分析并采用MEMS专用设计软件IntelliSuite仿真PMMA聚合物填充过程,解决了影响图形转移精度的问题并优化了影响图形转移精度的参数.最后,利用Obduct纳米压印机,采用优化的参数,制备出了具有高分辨率的微米级图形.

聚硅烷用作紫外亚微米光刻胶

讨论了用醇酸树脂或聚氨脂树脂为平坦层 ,几种不同的枝状和线状聚硅烷为抗蚀层 ,在玻璃基片上的XeCl准分子激光光刻效果 .由于聚硅烷与其它树脂相容性不好 ,作者将含氯聚硅烷作为添加剂添加到枝状聚硅烷中进行光刻实验 ,获得最小分辨率为 0 .5 μm的明暗线条等宽图形 ,对以不同聚硅烷相互作为添加剂 ,将其配方性能优化进行了有益的尝试 .

提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术(Ⅱ)

提高亚半微米微细图形光刻分辨力的新技术（Ⅱ）罗先刚陈旭南姚汉民（中国科学院光电技术研究所，成都６１０２０９）４相移掩模技术［５］相移掩模（ｐｈａｓｅｓｈｉｆｔｍａｓｋ，ＰＳＭ）最初由美国的Ｍ．Ｄ．Ｌｅｖｅｎｓｏｎ于１９８２年提出，真正成为热点是在８０...