探究片状微米铜的制备及其对聚苯胺超级电容器电极材料电容性能的改性影响

为选用合适的电极材料,保证聚苯胺超级电容器的电荷存储能力,在常温下,采用温和快速的自我牺牲模板法、化学沉淀法,完成对Cu(OH)_(2)/Cu_(7)S_(4)杂化微米线的制备,并在表征处理该材料结构的基础上,将其制作为正极,对其电化学性能进行全面的研究。结果表明,所制备的Cu(OH)_(2)/Cu_(7)S_(4)杂化微米线具有电化学性能强、功率密度大、能量密度高等特点,能完全满足聚苯胺超级电容器电极材料的制备需求。希望通过此次研究,为相关人员提供有效的借鉴和参考。

微米铜在润滑脂中自修复性能的评价

通过四球试验评价了微米铜在润滑脂中的自修复作用。结果表明:在适当的摩擦条件下,微米铜在摩擦表面沉积并与基体金属及磨损微粒熔合,重新组合为共晶焊接在摩擦表面上,形成自修复膜,使磨损得到补偿。

亚微米铜循环形变特征研究

本文研究了恒塑性应变控制下，egualchannelangularextrusion（ECAE）技术制备的亚微米铜的室温拉压时称循环形变行为，结果表明，亚微米钢在εpl＝5×10(－4)和1×10(－3)下表现出典型的循环软化特征、且直到断裂没有饱和阶段；而在εpl＝1×10(－4)下循环至5000周，应力幅仍没有明显变化，样品表面的光学显微镜及SEM－electronchannelingcontrast（SEM－ECC）技术研究发现：存在着宏观形貌与单晶表面滑移线相类似的‘滑移线’，‘滑移线’在侧面与载荷轴成45°，而在前表面与载荷轴相垂直：微观上‘滑移线’又可分为细而长的‘滑移线’和宽而短的微剪切带。

微米铜颗粒对Cu/LDPE/MVQ复合材料非等温结晶性能的影响

采用注射成型法制备了铜/低密度聚乙烯/甲基乙烯基硅橡胶(Cu/LDPE/MVQ)复合材料和低密度聚乙烯/甲基乙烯基硅橡胶(LDPE/MVQ)复合材料,采用差示扫描量热法(DSC)研究了复合材料的非等温结晶行为。结果表明,随着冷却速率的加快,复合材料的结晶度逐渐增大。铜颗粒在复合材料中作为异相成核点,同时阻碍着LDPE分子链的运动。

我国独创废弃物制亚微米铜粉技术

正北京雄财普吉科技有限公司对外宣布,该公司自主开发的利用含铜废弃物制备亚微米铜粉技术已通过工信部组织的科技成果鉴定。采用该技术生产的新一代高科技功能性金属粉体新材料、亚微米铜基润滑油、亚微米铜基油等铜基抗磨修复系列产品已批量生产并销往国内外,正式服务于石油和化学工业等相关领域。据技术发明人雄财普吉公司董事长吉维群介绍。

微米铜银复合结构与纳米银混合连接材料制备与高频感应快速烧结方法研究

利用置换反应实现了微米铜银复合结构颗粒的制备,在试验中改变反应温度、反应物比例及反应时间从而确定了制备微米铜银复合结构颗粒的最优反应参数。合成了粒径大小均匀,分散性良好的纳米银颗粒,平均粒径为14.33 nm左右。通过计算设计了两种颗粒的混合比例,按照该比例制备了微米铜银复合结构与纳米银混合焊膏并制备成三明治结构用于高频感应加热烧结,成功实现了微米铜银复合结构与纳米银混合焊膏对铜-铜基板的连接,并研究了在高频感应加热条件下,功率大小对微观连接界面的影响。试验结果表明,加热功率的增加会使界面的孔隙等缺陷减少,致密性显著提高。加热功率26 kW下,烧结时间15 s时,剪切强度可达48 MPa。

PMMA/铜微米线阵列复合材料的制备

针对内爆物理实验对编码靶的需求,采用多级集束热拉伸法,制备了包埋聚苯乙烯(PS)编码阵列结构的聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合丝,经切片、溶解等处理后,得到了具有6孔和26孔编码阵列结构的PMMA模板,再通过电化学沉积得到PMMA/Cu编码阵列复合材料。光学显微镜、微米CT及SEM观测表明,二级拉伸后PS结构直径减小到几十微米,三级拉伸得到的PMMA模板孔径及孔间距一致,分别为5μm和2μm;铜丝径及丝间距与对应的模板一致,铜丝长度达到了30μm;铜微米线在基体中呈规整的编码阵列分布,且表面完整平滑。这2种具有特定尺寸与排列方式的铜微米丝阵列的成功制备,为微纳米阵列的可控制备提供了一种新的方法。

基于电化学沉积原理的直写高密度铜微米线列

基于电化学沉积技术制备微纳米线主要依赖于具备微纳米口径的针管尖端，但这类玻璃针管尖端呈现锥形，难以实现高密度微纳米线阵列的直写。本文基于解决该限制因素，改进加工工艺，系统研究了直写针管与水平基底所成角度微铜线直写的影响，较好的解决了小间距的高宽深比微纳米线列的制备限制．为小间距微纳米线列的制备提供了一种可行性的技术方法。

基于表面银膜修饰超疏水性铜微米层低温焊接技术

研究了一种基于表面银膜修饰的铜微米层的低温焊接方法。采用电沉积方法获得表面银膜修饰的铜微米层,铜微米层表面次结构为纳米圆锥状突起,圆锥底部直径为500 nm~1μm,圆锥高为1~2μm,银膜厚度约为320 nm,用银膜修饰铜层可以有效防止铜层氧化。将两块银膜修饰的铜微米层面对面接触放置作为焊接偶,对接触区域施加一定的压力和较低的温度实现焊接互连。通过扫描电子显微镜、透射电子显微镜和焊点测试仪分析了焊接界面的形貌以及焊点的平均剪切强度。发现在焊接温度220℃、焊接压力20 MPa和焊接时间20 min的最优焊接参数条件下,铜微米层的纳米圆锥状凸起相互插入产生物理阻挡效果,圆锥状凸起结构由于纳米尺寸效应和尖端效应具有巨大的原子扩散界面,在界面处形成一定厚度的固溶强化区域,高度表面可熔化的银膜有效连接周围铜层作为中间缓冲层,减少焊接界面孔洞,显著提高焊点的平均剪切强度。热处理实验表明适当时间的热处理可以有效提高平均剪切强度,长时间受热对平均剪切强度影响不大。

纳米铜粉对中肋骨条藻的毒性效应

以中肋骨条藻作为受试藻种,研究铜离子、纳米铜和微米铜对它的毒性效应.结果表明,3种铜试剂在不同程度上都会抑制中肋骨条藻的生长,藻密度和叶绿素的增加值与铜试剂加入量基本呈负相关.在整个实验周期96h内,当Cu2+浓度大于0.1mg/L时会对藻产生很大的抑制作用,而纳米铜浓度大于0.15mg/L会严重影响藻密度和叶绿素,在24h内当微米铜浓度低于2mg/L时会促进藻的生长,在96h时高浓度(>1mg/L)会抑制其生长.纳米铜对中肋骨条藻的毒性作用一方面是溶出的铜离子,另一方面是纳米粒子本身.

用200 nm铜颗粒在空气中快速压力辅助烧结及连续无压退火提高结合强度

为了设计一种有效且适用于功率器件的烧结结合工艺,提出一种两步工艺,使用约200 nm的铜颗粒基浆料形成具有高温可持续性和优越导热性的粘结层。该工艺涉及在空气中快速压力辅助烧结和在氮气气氛中连续无压退火。当使用20%(质量分数)的羟基丁二酸和80%(质量分数)的乙二醇混合物浆料时,在300°C、5 MPa烧结30 s后的剪切强度为23.1 MPa。辅助无压烧结30 min后,剪切强度显著提高至69.6 MPa。因此,两步烧结结合工艺有望作为下一代烧结结合工艺具有极高的生产效率。

铜粉-石墨烯导热硅脂的制备及性能研究

研制高导热系数的导热硅脂是解决大功率电气、电子元器件散热问题的有效途径。本文以金属铜微米颗粒和改性石墨烯为导热填料制备导热硅脂。研究了不同粒径的金属铜颗粒级配比例以及改性石墨烯的填充量对导热硅脂的导热系数的影响规律,同时研究了所得导热硅脂的耐热稳定性。结果表明当小粒径铜粉占总铜粉体积的20%,并且改性石墨烯的质量分数为2%时,导热硅脂的导热系数为2.3 W/m K,是未添加石墨烯的导热硅脂的2.4倍,同时耐热稳定性完全符合国家标准的要求。研究结果显示了金属铜颗粒与改性石墨烯的协同作用,有利于高性能导热硅脂的设计和制造。

超长五重对称铜微米线的水热合成

利用简单水热法制备了高质量的超长铜微米线,并采用X射线衍射(XRD)仪、扫描电镜(SEM)氮气吸附表征了产品的结构和形貌、织构性质。结果表明,所得铜微米线具有五重对称的正五棱柱状孪晶结构。铜微米线的形成,被归因于CTAB对铜{100}面的吸附和铜晶体结构内部张力的协同作用。并且研究了产品对过氧化氢辅助的罗丹明B的催化脱色性能。在微米铜上过氧化氢辅助的罗丹明B脱色反应的表观反应速率常数(ka=0.004 84 min^(-1))为体相铜的(k_a=0.0014 min^(-1))3.5倍,这归因于前者较高比表面积和微米尺寸。本制备方法具有产率高(高达85.9%)、操作简单等优点,易于放大制备。

你真的了解Pentium 4吗?——Socket478 WiLLamette≠Northwood

相信很多朋友们都知道Intel推出采用Northwood核心的Pentium 4处理器,只是有些读者朋友认为,Intel早已正式发布了Northwood核心的Pentium 4。这个评论不免令我们有些困惑,细细想来,可能这些朋友将Socket 478规格的Willarnette核心Pentium 4与Northwood核心的新Pentium4混淆了。因此,我们觉得有必要在此为大家区分一下这两歉处理器,以便大家今后在选购时作出正确的选择。 Willamette核心的Pentium 4有mPGA 423和mPGA 478两种封装,后者被定名为Willamette-N,两者都采用了0.18微米铝布线工艺制造,二级缓存皆为256KB。Intel在2001年8月下旬正式发布的Socket 478规格的2GHz Pentium

酸性条件下微米级锌铜双金属降解罗丹明B

通过置换反应得到最佳组成的微米级锌铜双金属(以下简称mZn/Cu),以罗丹明B为目标污染物,研究了溶液初始pH、mZn/Cu用量和罗丹明B浓度等因素对mZn/Cu降解罗丹明B的影响,并通过单因素实验,确定了罗丹明B降解的最优条件。与单金属材料相比,由于mZn/Cu构成微电池显著提高了其供给电子的能力和化学活性,从而导致罗丹明B被更为有效降解。通过向反应体系中充入氮气去除溶解氧和加入自由基捕集剂叔丁醇和对苯醌,罗丹明B的降解率均有显著降低,并证实了在酸性条件下溶解氧从mZn/Cu表面获得电子,产生出具有强氧化性的羟基自由基和超氧根自由基,最终导致罗丹明B的氧化降解。由此可见,研究不仅基于通过简单置换反应获得的m Zn/Cu材料提出了1种新的高级氧化技术,而且还探讨了其作用机理,从而为实现低成本、高效率的水体有机污染物降解提供有价值的参考。

Silego公司推出体积小一倍电流为4.5 A的双通道全功能负载开关

近日,Silego于美国加州圣克拉拉推出一款基于Silego亚微米铜制程电源FET技术的16mΩ双通道GreenFET3负载开关产品即SLG59M1527V。该款负载开关每条通道最高电流可达到4.5A、总电流高达9.0A。并且引用Silego CuFETTM技术来实现低导通电阻、外形尺寸最小同时可靠性提高。