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机床用Al_2O_3/TiB_2复相陶瓷刀具材料的研究
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作者 颜景润 王占英 +2 位作者 朱春华 霍珍珍 倪笑宇 《中国陶瓷》 CAS CSCD 北大核心 2015年第6期72-76,共5页
以α-Al2O3和TiB2为主要原料,采用真空热压烧结工艺制备机床用Al2O3/TiB2复相陶瓷刀具材料。测试和分析了烧结样品的相对密度、弯曲强度、断裂韧性、硬度值、相组成以及显微结构。结果表明,当α-Al2O3添加量为75 wt%,微米TiB2添加量为20... 以α-Al2O3和TiB2为主要原料,采用真空热压烧结工艺制备机床用Al2O3/TiB2复相陶瓷刀具材料。测试和分析了烧结样品的相对密度、弯曲强度、断裂韧性、硬度值、相组成以及显微结构。结果表明,当α-Al2O3添加量为75 wt%,微米TiB2添加量为20 wt%时,所制备的Al2O3/TiB2复相陶瓷刀具材料性能最佳,其相对密度值为98.8%,弯曲强度为606.25 MPa,断裂韧性为4.85 MPa·m1/2,硬度值为26.55 GPa。最佳样品的主晶相为刚玉(Al2O3)和硼化钛(TiB2),次要晶相为氧化钇(Y2O3)。 展开更多
关键词 Α-AL2O3 微米tib2 热压烧结 微观结构
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氮化硼基电器用导电陶瓷的制备及性能研究 被引量:3
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作者 方振龙 《热加工工艺》 CSCD 北大核心 2015年第18期111-114,共4页
以微米h-BN和TiB2为主要原料,以微米Y2O3、AlN以及Si3N4为添加剂,采用热压烧结工艺制备了氮化硼基电器用导电陶瓷材料,并分析了烧结样品的体积密度、弯曲强度、硬度以及导电性能。结果表明,当微米h-BN添加量为48wt%,TiB2为16wt%,Y2O3为4... 以微米h-BN和TiB2为主要原料,以微米Y2O3、AlN以及Si3N4为添加剂,采用热压烧结工艺制备了氮化硼基电器用导电陶瓷材料,并分析了烧结样品的体积密度、弯曲强度、硬度以及导电性能。结果表明,当微米h-BN添加量为48wt%,TiB2为16wt%,Y2O3为4wt%,Al N为16wt%,Si3N4为16wt%时,所制备的导电陶瓷材料性能最佳,体积密度2.69 g·cm-3,弯曲强度139.5 MPa,硬度199.7 kgf/mm2,电阻率为595μΩ·cm。 展开更多
关键词 微米h-BN 微米tib2 晶界相 热压烧结 导电性能
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