氮化硼基电器用导电陶瓷的制备及性能研究

以微米h-BN和TiB2为主要原料,以微米Y2O3、AlN以及Si3N4为添加剂,采用热压烧结工艺制备了氮化硼基电器用导电陶瓷材料,并分析了烧结样品的体积密度、弯曲强度、硬度以及导电性能。结果表明,当微米h-BN添加量为48wt%,TiB2为16wt%,Y2O3为4wt%,Al N为16wt%,Si3N4为16wt%时,所制备的导电陶瓷材料性能最佳,体积密度2.69 g·cm-3,弯曲强度139.5 MPa,硬度199.7 kgf/mm2,电阻率为595μΩ·cm。