化学机械抛光对硅片表面质量影响的研究

通过显微组织观察、WM-7S wafer surface analyzer设备检测对硅片表面粒子缺陷及微粗糙度进行了研究,并对精抛中各工艺参数下硅片表面的微粗糙度（Haze）值进行了分析.结果表明：硅片表面绝大多数粒子缺陷的大小分布在0.15～0.3 μm,其主要形成原因为粗糙不平的硅片表面;化学机械抛光中化学抛光与机械抛光的比重对硅片表面微粗糙度起着重要影响,当化学抛光与机械抛光达到平衡时,能得到最佳的硅片表面质量;精抛参数为：压力25 kPa、转速80 r/min、抛光液流量300 mL/min时,所获得的硅片表面质量最好,其Haze值为0.025×10^-6.