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光激励C_2HCl_3原子团对铜薄膜的微细刻蚀 被引量:1
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作者 吴鼎祥 《光子学报》 EI CAS CSCD 1995年第2期142-147,共6页
本文主要讨论在由O_2携带的C_2HCl_3气氛中,利用准分子激光对铜薄膜印刷板进行微细刻蚀的机理和实验研究结果.
关键词 光激励 微细刻蚀 C2HCl3 原子因 铜薄膜
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微米与纳米级加工技术 被引量:4
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作者 朱荻 《航空制造技术》 北大核心 2002年第6期22-25,39,共5页
论述了微细刻蚀、LIGA、微细特种加工、纳米切削和基于扫描探针技术等微米、纳米级加工技术的原理。
关键词 微细加工 纳米加工 扫描探针技术 微细刻蚀
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193nm光刻胶研究现状
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作者 洪啸吟 《国际学术动态》 1999年第2期43-46,共4页
第23届SPIE微细光刻学术会议于1998年2月22日至27日在美国加利福尼亚州Sa-ta clara市召开。与会者有1500余人,发表论文约500篇。分会场有:①新的微细刻蚀技术,②光刻技术的计量、检验和程序控制,③抗蚀剂进展,④光学光刻技术。笔者以&qu... 第23届SPIE微细光刻学术会议于1998年2月22日至27日在美国加利福尼亚州Sa-ta clara市召开。与会者有1500余人,发表论文约500篇。分会场有:①新的微细刻蚀技术,②光刻技术的计量、检验和程序控制,③抗蚀剂进展,④光学光刻技术。笔者以"无显影气相光刻在蚀剂氮化硅上的应用"一文参加了"新的微细刻蚀技术"的分会。 展开更多
关键词 光刻胶 无显影气相光刻 抗蚀剂 光敏产酸物 激光光刻 主体树脂 分辨率 微细刻蚀 美国加利福尼亚州 发表论文
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新的微细加工技术
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作者 安卫 《航空精密制造技术》 1996年第3期43-43,共1页
新的微细加工技术美国国家标准技术研究所和哈佛大学正在研究一种新的微细刻蚀方法,即用粒子束代替光束.目前,用光刻的方法剜蚀集成电路可达035pm的尺寸.在10年内,光刻尺寸将达到013pm的极限.使用新的加工方法可$J... 新的微细加工技术美国国家标准技术研究所和哈佛大学正在研究一种新的微细刻蚀方法,即用粒子束代替光束.目前,用光刻的方法剜蚀集成电路可达035pm的尺寸.在10年内,光刻尺寸将达到013pm的极限.使用新的加工方法可$J蚀出具有几十纳米尺寸的图形.光刻尺... 展开更多
关键词 微细加工技术 带电粒子 微细刻蚀 美国国家标准 离子束刻蚀 哈佛大学 空间电荷 技术研究所 原子刻蚀 加工方法
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