材料中晶粒尺寸及微观畸变对X衍射线形的影响

讨论了引起X衍射线形宽化的几种因素 ,以及材料中晶粒尺寸的大小、微观畸变与X衍射线形的关系 。

纳米晶体微观畸变与弹性模量的模拟研究

采用分子动力学方法模拟纳米晶体铜原子的结构，又对纳米晶体铜原子进行了Ｘ射线衍射模拟．计算了晶粒尺寸和点阵畸变，还计算了能量分布和弹性模量等．结果表明不但晶界产生很大的应力场，而且晶粒内部的畸变也起着与晶界相似的重要作用．由于原子半径的增加。

用X射线线形精炼法分析纳米晶体的微观结构

利用广角 X射线衍射仪 ,采用单线傅氏线形精炼分析法 。

PECVD生长纳米硅薄膜的X射线衍射分析

等离子增强化学沉积生长的纳米硅薄膜是由纳米级尺寸的晶粒和晶界组成的厚度极薄的薄膜,采用X射线薄膜衍射法即X射线以低掠射角(1°～5°)入射,延长X射线在薄膜中的行程,同时将聚焦光路改为平行光光路,以提高来自薄膜的衍射强度,得到纳米硅薄膜的衍射峰。借此方法,研究了本征膜和掺磷薄膜的硅晶体结构及掺磷浓度对硅晶粒大小和晶格微观畸变的影响。

表面纳米化工业纯锆的显微组织与残余应力研究

对工业纯锆进行了不同时间的机械研磨处理(SMAT),利用透射电子显微镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对试样表层平均晶粒尺寸和平均微观畸变进行了分析表征,采用光学显微镜(OM)观察了试样的横截面显微组织,利用X射线应力仪测试了试样距表面不同深度的宏观残余应力。结果表明,SMAT处理可以实现工业纯锆的表面纳米化,并且在试样的最表层形成了厚约10μm的纳米结构。试样表面平均微观畸变随着SMAT处理时间的增加逐渐增大,处理时间为60 min时,平均微观畸变约为0.41%。试样表层的宏观残余应力为压应力,且表层残余压应力由表面到基体先增大而后减小。随着处理时间的增加,试样表面残余压应力σsrs先增大而后减小;最大残余压应力σmrs先增大而后趋于稳定,约为–620 MPa;最大残余压应力距表面的距离Zm和残余压应力场深度Z0均逐渐增大。