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用于改善PtSi红外焦平面阵列器件响应特性的长焦距GaAs微透镜阵列器件的制作研究(英文)
1
作者
何苗
易新建
+2 位作者
程祖海
刘鲁勤
王英瑞
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期321-324,共4页
提出了一种新的曲率补偿法用于长焦距微透镜阵列的制作。扫描电子显微镜 ( SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的方底拱形阵列 ,表面探针测试结果显示用曲率补偿法制作的微透镜的焦距可达到 3 861.70 μm,而常规光刻热熔法很难制作出焦...
提出了一种新的曲率补偿法用于长焦距微透镜阵列的制作。扫描电子显微镜 ( SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的方底拱形阵列 ,表面探针测试结果显示用曲率补偿法制作的微透镜的焦距可达到 3 861.70 μm,而常规光刻热熔法很难制作出焦距超过 2 0 0μm的相同尺寸的微透镜阵列。微透镜阵列器件与红外焦平面阵列器件在红外显微镜下对准胶合 。
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关键词
GAAS
离子束刻蚀
组合
器件
红外焦平面
阵列
器件
响应特性
砷化镓
微透镜阵列器件
曲率补偿
焦距
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职称材料
题名
用于改善PtSi红外焦平面阵列器件响应特性的长焦距GaAs微透镜阵列器件的制作研究(英文)
1
作者
何苗
易新建
程祖海
刘鲁勤
王英瑞
机构
华中科技大学激光技术国家重点实验室
中国航天总公司二院
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001年第5期321-324,共4页
基金
国防科技重点实验室基金 (编号 99JS11.2 .0 JW0 5 0 5 )资助项目
国家自然科学基金 (编号 60 0 860 0 3)~~
文摘
提出了一种新的曲率补偿法用于长焦距微透镜阵列的制作。扫描电子显微镜 ( SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的方底拱形阵列 ,表面探针测试结果显示用曲率补偿法制作的微透镜的焦距可达到 3 861.70 μm,而常规光刻热熔法很难制作出焦距超过 2 0 0μm的相同尺寸的微透镜阵列。微透镜阵列器件与红外焦平面阵列器件在红外显微镜下对准胶合 。
关键词
GAAS
离子束刻蚀
组合
器件
红外焦平面
阵列
器件
响应特性
砷化镓
微透镜阵列器件
曲率补偿
焦距
Keywords
GaAs
microlenses array
ion beam milling
hybrid device
IRFPA device
分类号
TN215 [电子电信—物理电子学]
TH742 [机械工程—光学工程]
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题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
用于改善PtSi红外焦平面阵列器件响应特性的长焦距GaAs微透镜阵列器件的制作研究(英文)
何苗
易新建
程祖海
刘鲁勤
王英瑞
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2001
0
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职称材料
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