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用于改善PtSi红外焦平面阵列器件响应特性的长焦距GaAs微透镜阵列器件的制作研究(英文)
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作者 何苗 易新建 +2 位作者 程祖海 刘鲁勤 王英瑞 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期321-324,共4页
提出了一种新的曲率补偿法用于长焦距微透镜阵列的制作。扫描电子显微镜 ( SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的方底拱形阵列 ,表面探针测试结果显示用曲率补偿法制作的微透镜的焦距可达到 3 861.70 μm,而常规光刻热熔法很难制作出焦... 提出了一种新的曲率补偿法用于长焦距微透镜阵列的制作。扫描电子显微镜 ( SEM)显示微透镜阵列为表面极为平缓的方底拱形阵列 ,表面探针测试结果显示用曲率补偿法制作的微透镜的焦距可达到 3 861.70 μm,而常规光刻热熔法很难制作出焦距超过 2 0 0μm的相同尺寸的微透镜阵列。微透镜阵列器件与红外焦平面阵列器件在红外显微镜下对准胶合 。 展开更多
关键词 GAAS 离子束刻蚀 组合器件 红外焦平面阵列器件 响应特性 砷化镓 微透镜阵列器件 曲率补偿 焦距
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