通过基于电子学取数的测试系统,在地磁场环境对两种不同聚焦级结构的微通道板型光电倍增管(microchannel plate type photomultiplier tubes,MCP-PMT)进行了各项性能测试,例如单光电子谱、后脉冲、渡越时间涨落、信号上升下降时间、收...通过基于电子学取数的测试系统,在地磁场环境对两种不同聚焦级结构的微通道板型光电倍增管(microchannel plate type photomultiplier tubes,MCP-PMT)进行了各项性能测试,例如单光电子谱、后脉冲、渡越时间涨落、信号上升下降时间、收集效率等。并通过改变光电倍增管与地磁场的相对位置,测得不同角度下MCP-PMT的性能,并且经对比屏蔽磁场条件下与地磁场环境下MCP-PMT的性能,定性分析了地磁场对MCP-PMT的性能影响。展开更多
TN144 96063905微通道板增益模型的首次碰撞问题=The firstcollision problem of a MCP gain model[刊,中]/常增虎(中科院西安光机所瞬态光学国家重点实验室.陕西,西安(710068))//光子学报.—1995,24(4).—318—323研究了入射电子首次...TN144 96063905微通道板增益模型的首次碰撞问题=The firstcollision problem of a MCP gain model[刊,中]/常增虎(中科院西安光机所瞬态光学国家重点实验室.陕西,西安(710068))//光子学报.—1995,24(4).—318—323研究了入射电子首次碰撞微通道板(MCP)所产生的二次电子的初能量对基于"能量正比假设"的MCP增益模型的影响,给出的增益公式与实验结果在很大的电压范围内符合较好。图3参8(严兰)TN144 96063906微通道板皮秒选通特性的数值模拟=Numericmodeling of the MCP characteristics展开更多
TN144 95031935微道板技术进展(一)=Progress in microchannelplate technology[刊,中]/黄钧良(昆明物理研究所.云南,昆明(650223))∥红外技术.—1995,17(1).—37—41系统地评述了微道板技术的最新进展,包括玻璃表面结构的研究.增益衰...TN144 95031935微道板技术进展(一)=Progress in microchannelplate technology[刊,中]/黄钧良(昆明物理研究所.云南,昆明(650223))∥红外技术.—1995,17(1).—37—41系统地评述了微道板技术的最新进展,包括玻璃表面结构的研究.增益衰减模型,微道板新的制造方法和各种高性能新器件的特性。展开更多
TM564 98053370非线性光导开关输出脉冲延迟时间的研究=Delaytime of output pulse in nonlinear photoconduc—tive semiconductor switches[刊,中]/石顺祥,万贤军(西安电子科技大学技术物理系。陕西,西安(710071))∥光学学报。—1998,...TM564 98053370非线性光导开关输出脉冲延迟时间的研究=Delaytime of output pulse in nonlinear photoconduc—tive semiconductor switches[刊,中]/石顺祥,万贤军(西安电子科技大学技术物理系。陕西,西安(710071))∥光学学报。—1998,18(3).—365—369利用非线性光导开关的雪崩注入模型,讨论了光导开关工作偏压、光导开关材料的深能级杂质浓度、光脉冲能量等参量对非线性光导开关输出脉冲延迟时间的影响,给出了一些有意义的结论。图6参4(严寒)展开更多
9913029128～128阵列 MAMA 器件[刊]/黄丽英//光电子技术.—1999,19(2).—117～120(Y)介绍了最新研制的128×128阵列 MAMA 器件。该器件采用了叠合式阵列阳极、三块微通道板近贴聚焦等先进技术,脉冲上升时间为0.3ns,单光子计数率为2...9913029128～128阵列 MAMA 器件[刊]/黄丽英//光电子技术.—1999,19(2).—117～120(Y)介绍了最新研制的128×128阵列 MAMA 器件。该器件采用了叠合式阵列阳极、三块微通道板近贴聚焦等先进技术,脉冲上升时间为0.3ns,单光子计数率为2×10~5/s 等器件的主要性能参数达到了国外同类产品水平。展开更多
文摘通过基于电子学取数的测试系统,在地磁场环境对两种不同聚焦级结构的微通道板型光电倍增管(microchannel plate type photomultiplier tubes,MCP-PMT)进行了各项性能测试,例如单光电子谱、后脉冲、渡越时间涨落、信号上升下降时间、收集效率等。并通过改变光电倍增管与地磁场的相对位置,测得不同角度下MCP-PMT的性能,并且经对比屏蔽磁场条件下与地磁场环境下MCP-PMT的性能,定性分析了地磁场对MCP-PMT的性能影响。
文摘TN144 96063905微通道板增益模型的首次碰撞问题=The firstcollision problem of a MCP gain model[刊,中]/常增虎(中科院西安光机所瞬态光学国家重点实验室.陕西,西安(710068))//光子学报.—1995,24(4).—318—323研究了入射电子首次碰撞微通道板(MCP)所产生的二次电子的初能量对基于"能量正比假设"的MCP增益模型的影响,给出的增益公式与实验结果在很大的电压范围内符合较好。图3参8(严兰)TN144 96063906微通道板皮秒选通特性的数值模拟=Numericmodeling of the MCP characteristics
文摘TN144 95031935微道板技术进展(一)=Progress in microchannelplate technology[刊,中]/黄钧良(昆明物理研究所.云南,昆明(650223))∥红外技术.—1995,17(1).—37—41系统地评述了微道板技术的最新进展,包括玻璃表面结构的研究.增益衰减模型,微道板新的制造方法和各种高性能新器件的特性。
文摘TM564 98053370非线性光导开关输出脉冲延迟时间的研究=Delaytime of output pulse in nonlinear photoconduc—tive semiconductor switches[刊,中]/石顺祥,万贤军(西安电子科技大学技术物理系。陕西,西安(710071))∥光学学报。—1998,18(3).—365—369利用非线性光导开关的雪崩注入模型,讨论了光导开关工作偏压、光导开关材料的深能级杂质浓度、光脉冲能量等参量对非线性光导开关输出脉冲延迟时间的影响,给出了一些有意义的结论。图6参4(严寒)
文摘9913029128～128阵列 MAMA 器件[刊]/黄丽英//光电子技术.—1999,19(2).—117～120(Y)介绍了最新研制的128×128阵列 MAMA 器件。该器件采用了叠合式阵列阳极、三块微通道板近贴聚焦等先进技术,脉冲上升时间为0.3ns,单光子计数率为2×10~5/s 等器件的主要性能参数达到了国外同类产品水平。
