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题名直拉硅单晶的杂质工程:微量掺锗的效应
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作者
孙玉鑫
陈加和
余学功
马向阳
杨德仁
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机构
浙江大学材料科学与工程学院硅材料国家重点实验室
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出处
《中国科学:信息科学》
CSCD
北大核心
2019年第4期369-384,共16页
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基金
国家自然科学基金(批准号:51532007
61674126
61721005)资助项目
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文摘
直拉硅单晶是集成电路的基础材料,因而在过去几十年来被广泛而深入研究.直拉硅单晶的缺陷以及机械强度对集成电路制造的成品率有显著的影响.传统上,人们认为直拉硅单晶中除了掺杂所需的电活性杂质以及不可避免的氧杂质以外,其他杂质越少越好.在此情形下,直拉硅单晶的缺陷控制和机械强度的改善几乎只能依赖于晶体生长工艺的优化.为了打破这种限制,我们提出在直拉硅单晶中掺入特定的非电活性杂质,既可以通过这些杂质原子与点缺陷的相互作用来调控维度更高的缺陷的行为,又可以发挥增强机械强度的作用,这就是直拉硅单晶的杂质工程.本文首先阐述直拉硅单晶的杂质工程的研究背景与意义,随后综述作为直拉硅单晶的杂质工程的一个范本——微量掺锗的效应,包括掺锗对氧沉淀和空洞等缺陷形成的影响及其对集成电路制造的有益作用,以及掺锗对硅片机械强度的增强作用.
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关键词
直拉硅单晶
杂质工程
微量掺锗
缺陷控制
机械强度
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Keywords
Czochralski silicon
impurity engineering
germanium-doping
defect control
mechanical strength
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分类号
O613.72
[理学—无机化学]
TN405
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名微量掺锗直拉硅单晶
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出处
《科技开发动态》
2004年第6期49-50,共2页
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关键词
微量掺锗直拉硅单晶
空洞缺陷
成品率
生产成本
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分类号
TN325.2
[电子电信—物理电子学]
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