敞开酸溶—氢化物发生原子荧光光谱法测定煤中微量锗

论述了应用氢化物发生原子荧光光谱法（HG-AFS）测定煤中微量锗的分析方法：煤样经低温灰化、硝酸-氢氟酸-硫酸-磷酸混合酸敞开酸溶，在磷酸介质中直接用HG-AFS测定煤中的微量锗；该方法的检出限为4．2ng／g，加标回收率在96．7％-101．6％；用土壤国家一级标准物质GBW07402、GBW07406验证，结果与标准值吻合，其相对标准偏差RSD（n=12）为1．65％、2．20％；该方法具有操作简便、分析干扰少、检出限低和准确度高等优点。

十六烷基三甲基溴化胺介质中分光光度法测定微量锗(Ⅳ)

研究了在十六烷基三甲基溴化胺（CTMAB）溶液存在下，5-（对羧基苯偶氮）-8-羟基喹哪啶（5-CPAHQD）与微量锗（Ⅳ）发生显色反应的条件，建立了新的测定微量锗（Ⅳ）的高灵敏度分光光度法。实验结果表明，在硼酸钠-氢氧化钠介质中，5-（对羧基苯偶氮）-8-羟基喹哪啶与微量锗（Ⅳ）发生灵敏的显色反应，生成配合比为3∶1的橙红色配合物。配合物的最大吸收峰位于540 nm，表观摩尔吸收系数为2．5×10^ L·mol^-1·cm^-1，在10 mL溶液中，微量锗（Ⅳ）质量在0．03～2．8μg之间符合比耳定律，检出限为0．1 mg/L，并且该显色反应具有较强的抗干扰能力，可用于茶水中微量锗（Ⅳ）的测定，方法的回收率在103．2％～104．1％之间，测得其相对标准偏差（n＝6）≤2．5％，结果与原子吸收光谱法相一致。

大量氟化物存在下冶金物料中微量锗的分光光度法测定

研究了在Ｇｅ（ＩＶ）—苯基荧光酮（ＰＦ）—溴化十六烷基三甲胺（ＣＴＭＡＢ）测定体系中，Ｆ－对测定微量锗的干扰与消除。本法采用蒸馏分离其它干扰物质，让Ｆ－与Ｇｅ（ＩＶ）同时蒸出，在显色前加入一定量的ＡＬ（Ⅲ）络合Ｆ－，用于实际测定结果满意。

表面活性剂增敏—火焰原子吸收光谱法测定中草药中微量锗

建立了表面活性剂增敏—火焰原子吸收光谱法测定微量元素锗。当表面活性剂聚乙烯醇存在时,测定锗的吸光度增加了2.95倍,氯化钠、硝酸分别为消电离剂、释放剂消除基体物质的干扰。方法的线性范围为0.6-5.0μg·mL-1,检出限为0.5μg·mL-1,此法用于中草药中微量锗的测定,结果满意。

矿物岩石中微量锗的催化导数极谱测定

锗是一种典型的分散元素,常伴生在铅锌矿及煤矿中,含量一般在0.001—0.000X%范围内。对于矿物岩石及烟道灰中的微量锗,一般在6mol/L盐酸中蒸馏出锗或用四氯化碳从9—10mol/L的盐酸萃取分离出锗后,分光光度法测定,不仅操作麻烦,且引起严重污染。多年来,为找寻一种不需分离富集而直接测定锗的快速灵敏的分析方法,是分析生产人员的愿望和要求。极谱法测定锗,虽有一些报导.

微量锗分析测定的研究进展

主要梳理了近年来微量锗测定分析方法研究的进展情况,从微量锗样品原料的前期处理工作开始介绍,对各种微量锗的测定分析方法进行分析和研究,其中包括极谱法、光度吸光法、原子光谱吸收法等测定分析方法,同时对各种方法进行了有针对性的总结评述,并对微量锗测定分析方法的未来发展加以展望。

高灵敏高选择测定微量锗的研究及其应用——Ge-SAF-CTMAB分光光度法

微量锗的测定,已有水杨基萤光酮-溴化十六烷基三甲铵的分光光度法,该法用4mol/LHCl作介质,Mo^(6+)、W^(6+)、V^(5+)、Sn^(4+)、Nb^(5+)有不同程度的干扰。

用苯芴酮萃取分光法测定微量锗

本文探讨了用苯芴酮萃取分光法测定微量锗的实验条件和步骤．结果表明，用此法测定微量锗灵敏度高、操作简便、准确，是测定微量锗的较好方法．可用于对植物和食品中的微量锗进行检测．

氢化物原子荧光法测定地质样品中的微量锗

试样经氢氟酸、硝酸分解,在5％—25％的磷酸介质中,可不经分离在原子荧光光度计上直接测定地质样品中的微量锗。方法的检出限为6.25×10^(-9)g/ml,相对标准偏差为3.20％,回收率加9.2％—105.5％。

极谱络合吸附波测定微量锗

本文提出了导数极谱法测定微量锗的体系，在Hcl-Sb(Ⅲ）-Mo（Ⅵ）－丙酮－丁酮体系中，Ge(Ⅳ）和Mo(Ⅵ)形成三元杂多酸，在示波极谱仪上，该三元杂多酸的峰电流与所加入的锗量成线性关系，峰电位为－0．41V（VS．SCE）。研究表明，此波属于杂式酸吸附波。

PF－吐温－80分光光度法测定煤中微量锗

ＰＦ－吐温－８０分光光度法测定煤中微量锗展闽（煤化９３０１班）０概述锗是一种稀散元素，在地壳中含量不高，但它的用途却十分广泛。特别是在电子工业应用中，锗的原子结构决定了它在某些方面比其它半导体材料具有更大的优越性，反应动作快，电子迁移率强。因此，在制...

薏米中微量有机锗测定的研究

依据二甲氧基羟基苯芴酮与锗的显色原理，用分光光度法对薏米中微量锗进行测定，研究了于HAC-NaAC的缓冲体系，在溴化十六烷基三甲铵(CTMAB)存在下，二甲氧基羟基苯芴酮与Ge(Ⅳ)形成红色络合物，其络合物的最大吸收波长为529珊，Ge(Ⅳ)在0～1．0ug／mL范围内符合比尔定律．拟定方法具有较好的选择性，多数金属离子不干扰检测，用于薏米中微量有机锗的测定，该方法简单可靠，并获得满意的分析结果。

农产品中微量元素锗的分析方法研究

对农产品中微量元素锗的分析方法进行了综述。其分析方法包括原子荧光光谱法、原子发射光谱法、原子吸收光谱法、原子质谱法、X射线光谱法、分光光度法、分子荧光法、化学发光法、催化极谱法、溶出伏安法和离子色谱法等。

全国第三届锗研讨会及全国第六届锗科技交流会简介

由中国微量元素锗研究会(筹)、中国有色金属工业稀有金属情报网和中国微量元素科学研究会共同主办的全国第三届锗研讨会和全国第六届锗科技交流会于1995—08—24～29在昆明市召开。参加会议的有来自全国各地的112名代表。本次会议共收到论文122篇,其中117篇编入了会议论文集。

直拉硅单晶的杂质工程:微量掺锗的效应

直拉硅单晶是集成电路的基础材料,因而在过去几十年来被广泛而深入研究.直拉硅单晶的缺陷以及机械强度对集成电路制造的成品率有显著的影响.传统上,人们认为直拉硅单晶中除了掺杂所需的电活性杂质以及不可避免的氧杂质以外,其他杂质越少越好.在此情形下,直拉硅单晶的缺陷控制和机械强度的改善几乎只能依赖于晶体生长工艺的优化.为了打破这种限制,我们提出在直拉硅单晶中掺入特定的非电活性杂质,既可以通过这些杂质原子与点缺陷的相互作用来调控维度更高的缺陷的行为,又可以发挥增强机械强度的作用,这就是直拉硅单晶的杂质工程.本文首先阐述直拉硅单晶的杂质工程的研究背景与意义,随后综述作为直拉硅单晶的杂质工程的一个范本——微量掺锗的效应,包括掺锗对氧沉淀和空洞等缺陷形成的影响及其对集成电路制造的有益作用,以及掺锗对硅片机械强度的增强作用.

蛇毒与白细胞介素已治疗肺癌910例

蛇毒与白细胞介素已治疗肺癌９１０例上海警备区机关门诊部梁光裕作者应用久龄蛇毒丸，联合应用白细胞介素２（ＩＬ２），对肺癌的治疗进行了探索。１材料与方法１．１临床资料：９１０名肺癌患者中男７２２例，女１８８例。５０岁以上５３１例。５０岁以下３７７例。有吸...