钙钛矿忆阻器的开关特性实验研究

卤化物钙钛矿(ABX3)材料由于其离子迁移和电荷俘获效应,在忆阻器材料中具有很强的应用潜力。Cs0.05(FA0.85MA0.15)0.95Pb I2.55Br0.4由于生成能低、铅和碘原子之间结合强度弱,碘离子很容易从钙钛矿晶格中丢失,产生缺陷和不饱和的铅原子。太阳能电池领域研究表明,通过引入碘三离子,可以明显减少钙钛矿薄膜中的缺陷,显著提高薄膜质量。因此通过向钙钛矿前驱体溶液中加入不同量的碘单质,引入碘三离子来探究其对于由Cs0.05(FA0.85M A0.15)0.95Pb I2.55Br0.4组成的钙钛矿忆阻器的影响。实验结果表明:通过加入不同量的碘单质,忆阻曲线出现了三种较为明显的变化:I-V曲线中电流呈现逐渐下降的趋势;忆阻器SET与RESET的突变特性发生明显改变;忆阻器开关比变化较大。通过研究引入碘三离子对钙钛矿忆阻器的影响,为调节钙钛矿忆阻器电流与开关比,以适用于不同应用领域,同时为未来钙钛矿忆阻器忆阻性能的提高提供了方向。