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第四种无源电子元件忆阻器的研究及应用进展
被引量:
16
1
作者
蔡坤鹏
王睿
周济
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期78-82,共5页
忆阻器是一类具有电阻记忆行为的非线性电路元件,被认为是除电阻、电容、电感外的第四个基本电路元件。综述了忆阻器和忆阻系统概念的产生与发展过程,实现忆阻功能的几种模型与机理,如边界迁移、自旋阻塞、绝缘体-金属转变、丝导电、氧...
忆阻器是一类具有电阻记忆行为的非线性电路元件,被认为是除电阻、电容、电感外的第四个基本电路元件。综述了忆阻器和忆阻系统概念的产生与发展过程,实现忆阻功能的几种模型与机理,如边界迁移、自旋阻塞、绝缘体-金属转变、丝导电、氧化还原反应等。阐述了忆阻器和忆阻系统在模型分析、生物记忆行为仿真、基础电路和器件设计方面的应用前景。
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关键词
忆
阻
器
忆
阻
系统
综述
忆阻机理
应用
下载PDF
职称材料
氧化物基忆阻型神经突触器件
被引量:
8
2
作者
刘益春
林亚
+1 位作者
王中强
徐海阳
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第16期113-131,共19页
忆阻器具有高密度、低功耗和阻值能够连续可调的特性,被认为是模拟神经突触最具潜力的候选者.而金属氧化物,因其氧离子可迁移,组分易于调控,与传统 CMOS 兼容等优点,是发展高性能忆阻器件的理想材料.本文首先介绍了氧化物基忆阻器件阻...
忆阻器具有高密度、低功耗和阻值能够连续可调的特性,被认为是模拟神经突触最具潜力的候选者.而金属氧化物,因其氧离子可迁移,组分易于调控,与传统 CMOS 兼容等优点,是发展高性能忆阻器件的理想材料.本文首先介绍了氧化物基忆阻器件阻变行为及其运行机制,包括数字型和模拟型忆阻器.主要综述了基于模拟型忆阻器实现的突触器件认知功能模拟,包括非线性传输特性、时域突触可塑性、经验式学习和联合式学习等.然后进一步介绍了忆阻型突触器件在模式识别、声音定位、柔性可穿戴和光电神经突触方面的潜在应用.最后总结展望氧化物基忆阻神经突触在相关领域的可能发展方向.
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关键词
氧化物
忆
阻
器
忆阻机理
突触仿生
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职称材料
界面效应调制忆阻器研究进展
被引量:
15
3
作者
贾林楠
黄安平
+2 位作者
郑晓虎
肖志松
王玫
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第21期432-442,共11页
忆阻器因其优异的非易失存储特性,且具有结构简单、存储速度快、能耗低、集成度高等优势,在新型电子器件研究领域引起了广泛关注.本文从忆阻器结构出发,对忆阻器主要材料、机理等进行了综述,介绍了忆阻器在电子电路及人工智能等领域的...
忆阻器因其优异的非易失存储特性,且具有结构简单、存储速度快、能耗低、集成度高等优势,在新型电子器件研究领域引起了广泛关注.本文从忆阻器结构出发,对忆阻器主要材料、机理等进行了综述,介绍了忆阻器在电子电路及人工智能等领域的研究进展,重点讨论了界面效应对忆阻行为及性能改善等方面的重要作用,提出了界面纳米点嵌入结构对优化忆阻性能的显著效果,并分析了忆阻器可能的发展趋势.
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关键词
忆
阻
器
忆阻机理
界面效应
非易失存储
原文传递
题名
第四种无源电子元件忆阻器的研究及应用进展
被引量:
16
1
作者
蔡坤鹏
王睿
周济
机构
清华大学新型陶瓷材料与精细工艺国家重点实验室
出处
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第4期78-82,共5页
基金
国家"863"计划资助项目(No.2007AA3Z449)
国家自然科学基金资助项目(No.90922025
No.0774087)
文摘
忆阻器是一类具有电阻记忆行为的非线性电路元件,被认为是除电阻、电容、电感外的第四个基本电路元件。综述了忆阻器和忆阻系统概念的产生与发展过程,实现忆阻功能的几种模型与机理,如边界迁移、自旋阻塞、绝缘体-金属转变、丝导电、氧化还原反应等。阐述了忆阻器和忆阻系统在模型分析、生物记忆行为仿真、基础电路和器件设计方面的应用前景。
关键词
忆
阻
器
忆
阻
系统
综述
忆阻机理
应用
Keywords
memristor
memristive system
review
memristive mechanism
applications
分类号
TM50 [电气工程—电器]
下载PDF
职称材料
题名
氧化物基忆阻型神经突触器件
被引量:
8
2
作者
刘益春
林亚
王中强
徐海阳
机构
东北师范大学紫外光发射材料与技术教育部重点实验室
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第16期113-131,共19页
文摘
忆阻器具有高密度、低功耗和阻值能够连续可调的特性,被认为是模拟神经突触最具潜力的候选者.而金属氧化物,因其氧离子可迁移,组分易于调控,与传统 CMOS 兼容等优点,是发展高性能忆阻器件的理想材料.本文首先介绍了氧化物基忆阻器件阻变行为及其运行机制,包括数字型和模拟型忆阻器.主要综述了基于模拟型忆阻器实现的突触器件认知功能模拟,包括非线性传输特性、时域突触可塑性、经验式学习和联合式学习等.然后进一步介绍了忆阻型突触器件在模式识别、声音定位、柔性可穿戴和光电神经突触方面的潜在应用.最后总结展望氧化物基忆阻神经突触在相关领域的可能发展方向.
关键词
氧化物
忆
阻
器
忆阻机理
突触仿生
Keywords
oxide
memristor
memristive mechanism
synaptic emulation
分类号
TN60 [电子电信—电路与系统]
下载PDF
职称材料
题名
界面效应调制忆阻器研究进展
被引量:
15
3
作者
贾林楠
黄安平
郑晓虎
肖志松
王玫
机构
北京航空航天大学物理系
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第21期432-442,共11页
基金
国家自然科学基金(批准号:51172009
51172013
+2 种基金
11074020)
教育部新世纪优秀人才计划(批准号:NCET-08-0029)
高性能陶瓷和超微结构国家重点实验室开放课题基金(批准号:KL201209SIC)资助的课题~~
文摘
忆阻器因其优异的非易失存储特性,且具有结构简单、存储速度快、能耗低、集成度高等优势,在新型电子器件研究领域引起了广泛关注.本文从忆阻器结构出发,对忆阻器主要材料、机理等进行了综述,介绍了忆阻器在电子电路及人工智能等领域的研究进展,重点讨论了界面效应对忆阻行为及性能改善等方面的重要作用,提出了界面纳米点嵌入结构对优化忆阻性能的显著效果,并分析了忆阻器可能的发展趋势.
关键词
忆
阻
器
忆阻机理
界面效应
非易失存储
Keywords
memristor
memristive mechanism
interfacial effect
non-volatile storage
分类号
TM501 [电气工程—电器]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
第四种无源电子元件忆阻器的研究及应用进展
蔡坤鹏
王睿
周济
《电子元件与材料》
CAS
CSCD
北大核心
2010
16
下载PDF
职称材料
2
氧化物基忆阻型神经突触器件
刘益春
林亚
王中强
徐海阳
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
8
下载PDF
职称材料
3
界面效应调制忆阻器研究进展
贾林楠
黄安平
郑晓虎
肖志松
王玫
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
15
原文传递
已选择
0
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