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基于电阻补偿跨导放大器的忆阻电路 被引量:1
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作者 陈家辉 段志奎 《佛山科学技术学院学报(自然科学版)》 CAS 2024年第5期18-25,共8页
忆阻器具有独特的记忆特性和非线性特征,被广泛应用在非易失存储器、神经网络、非线性系统等领域。提出了一种集成忆阻电路,该电路采用运算跨导放大器和电容积分电路实现忆阻特性,其中运算跨导放大器采用补偿电阻提高带宽,实现扩展工作... 忆阻器具有独特的记忆特性和非线性特征,被广泛应用在非易失存储器、神经网络、非线性系统等领域。提出了一种集成忆阻电路,该电路采用运算跨导放大器和电容积分电路实现忆阻特性,其中运算跨导放大器采用补偿电阻提高带宽,实现扩展工作频率范围的目的。忆阻电路基于SMIC 180 nm CMOS工艺设计实现,采用0.9 V双供电电源,可完全集成于芯片中,最高工作频率可达到100 MHz,功耗仅为0.252 mW。 展开更多
关键词 集成忆阻电路 宽频率 跨导放大器
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一种基于伪差分结构的高频忆阻电路
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作者 张欣 于昕梅 《佛山科学技术学院学报(自然科学版)》 CAS 2024年第6期46-54,共9页
提出了一种基于伪差分结构的高频忆阻电路,该忆阻电路具有非线性的电压-电流关系,电路结构由5个MOS管构成,一端作为输入,一端作为固定偏置,结构简单并能提供稳定的电压增益,电路采用SMIC 180 nm CMOS工艺,版图面积仅为0.000183 mm^(2)... 提出了一种基于伪差分结构的高频忆阻电路,该忆阻电路具有非线性的电压-电流关系,电路结构由5个MOS管构成,一端作为输入,一端作为固定偏置,结构简单并能提供稳定的电压增益,电路采用SMIC 180 nm CMOS工艺,版图面积仅为0.000183 mm^(2)。仿真结果表明,在3.3 V电源电压下,忆阻电路的工作频率可以达到300 MHZ,结合蔡氏电路可以产生优异的混沌效果。所提出的基于伪差分结构的高频忆阻电路具有结构简单、功耗低、工作频率高、面积小、易于集成等优势,可广泛应用于信息安全芯片。 展开更多
关键词 忆阻电路 抗转换器 高频 伪差分放大器
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忆阻电路的韦库模型及其建模分析
3
作者 陈墨 武花干 包伯成 《常州大学学报(自然科学版)》 CAS 2016年第6期104-107,共4页
电流、电压、电荷和磁通是电路中的4个基本物理量,由此构成了包含忆阻器在内的4种基本元件。然而,最近文献提出,磁通和电荷是一对基本物理量,生成了以忆阻器、忆感器和忆容器引领的3类基本元件。以电阻-忆阻串联电路和忆阻蔡氏电路为例... 电流、电压、电荷和磁通是电路中的4个基本物理量,由此构成了包含忆阻器在内的4种基本元件。然而,最近文献提出,磁通和电荷是一对基本物理量,生成了以忆阻器、忆感器和忆容器引领的3类基本元件。以电阻-忆阻串联电路和忆阻蔡氏电路为例,基于磁通和电荷物理量,提出了忆阻电路的韦库模型,开展了相应的数学建模,并与伏安模型进行了比较分析。结果表明:采用伏安模型,忆阻是动态元件,导致电路的阶数增加;而采用韦库模型,忆阻是非动态元件,使得电路的阶数维持不变,有利于开展复杂忆阻电路的动力学特性分析。 展开更多
关键词 元件 韦库关系 忆阻电路
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惠普忆阻电路的线性叠加分析
4
作者 丁芝侠 黄莎莉 +1 位作者 李赛 杨乐 《电子与信息学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第7期2659-2666,共8页
基于惠普(HP)忆阻器的元件特性,该文分析了惠普忆阻器的数学关系式,惠普忆阻元件的内部状态变量与忆阻阻值之间存在增量线性关系,在外加电压下惠普忆阻器阻值的变化可叠加,得出了惠普忆阻电路具有线性叠加性的结论。通过PSpice电路仿真... 基于惠普(HP)忆阻器的元件特性,该文分析了惠普忆阻器的数学关系式,惠普忆阻元件的内部状态变量与忆阻阻值之间存在增量线性关系,在外加电压下惠普忆阻器阻值的变化可叠加,得出了惠普忆阻电路具有线性叠加性的结论。通过PSpice电路仿真验证上述结论的有效性和正确性,为叠加定理在含惠普忆阻器及线性元件的线性电路中的使用提供了理论分析支撑。 展开更多
关键词 惠普忆阻电路 惠普 增量线性 叠加定理 PSPICE仿真
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忆阻电路降维建模与特性分析 被引量:4
5
作者 包伯成 王春丽 +1 位作者 武花干 乔晓华 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第2期51-59,共9页
通过对蔡氏忆阻电路的数学建模分析,提出了忆阻电路动力学建模的降维问题.以包含两个磁控忆阻器的忆阻电路为例,进行了忆阻电路降维建模,由此建立了一个三维系统模型.基于该模型,分析了忆阻电路的平衡点和稳定性,研究了电路参数变化时... 通过对蔡氏忆阻电路的数学建模分析,提出了忆阻电路动力学建模的降维问题.以包含两个磁控忆阻器的忆阻电路为例,进行了忆阻电路降维建模,由此建立了一个三维系统模型.基于该模型,分析了忆阻电路的平衡点和稳定性,研究了电路参数变化时忆阻电路的动力学特性.进一步,对包含两个磁控忆阻器的忆阻电路常规模型的分析结果和其降维模型的分析结果进行了比较.结果表明:忆阻电路降维模型的维数只与电容器的数量和电感器的数量有关,而与忆阻器的数量无关;当电路参数变化时忆阻电路存在分岔模式共存等非线性现象;降维建模降低了系统建模复杂度,有利于系统的动力学特性分析,但消除了忆阻器内部状态变量的初始条件对忆阻电路动力学特性的影响. 展开更多
关键词 忆阻电路 建模 降维 动力学
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分数阶忆阻带通滤波混沌电路动力学特性分析 被引量:1
6
作者 马晨光 于晓强 +1 位作者 杨飞飞 牟俊 《大连工业大学学报》 CAS 北大核心 2020年第2期150-156,共7页
基于一种带通滤波忆阻器混沌电路,构造了Caputo定义下的分数阶忆阻带通滤波混沌系统。通过Adomian分解算法(ADM)对该分数阶混沌系统进行数值仿真。在此基础上,利用分岔图、李雅普诺夫指数谱、吸引子相图、庞加莱截图、谱熵(SE)复杂度和C... 基于一种带通滤波忆阻器混沌电路,构造了Caputo定义下的分数阶忆阻带通滤波混沌系统。通过Adomian分解算法(ADM)对该分数阶混沌系统进行数值仿真。在此基础上,利用分岔图、李雅普诺夫指数谱、吸引子相图、庞加莱截图、谱熵(SE)复杂度和C0复杂度算法分析了系统参数和系统阶数对系统动力学特性的影响。分析结果表明,相对于整数阶忆阻混沌系统,分数阶忆阻混沌系统不仅增加了混沌系统阶数这一可变参数,而且使得系统的动力学行为更加复杂,这将更有利于分数阶混沌电路应用于保密同信领域。该研究对于分数阶忆阻混沌电路在保密通信和信息安全等领域的应用提供了理论基础。 展开更多
关键词 ADM算法 分数阶系统 动力学特性 混沌
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电力电子电路中的分岔、混沌及其应用研究 被引量:3
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作者 于东升 《煤炭学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第5期889-890,共2页
以Twin-T电路和基于忆阻器的混沌电路(Memristor based Chaotic Circuit-MCC)为辅助,主要分析了数字控制电力电子电路中的分岔和混沌现象,并将混沌应用到电力电子电路中,以达到性能优化的目的。通过在Twin-T电路中两个电容直接相连的连... 以Twin-T电路和基于忆阻器的混沌电路(Memristor based Chaotic Circuit-MCC)为辅助,主要分析了数字控制电力电子电路中的分岔和混沌现象,并将混沌应用到电力电子电路中,以达到性能优化的目的。通过在Twin-T电路中两个电容直接相连的连接点上接入发光二极管元件,设计了一个新Twin-T混沌电路。以控制信号强度为分岔参数绘制分岔图,结果显示系统随控制信号强度增加经周期递加分岔步入混沌振荡。利用忆阻器元件取代蔡氏电路非线性二极管,结合分岔图、功率谱、最大Lya-punov指数等数值分析工具研究了系统分岔路径和双涡卷奇异吸引子结构。考虑到Twin-T电路优良的选频特性,设计了一种基于Twin-T电路的陷波混沌控制器。此控制器包含了一个陷波滤波器和一个电压电流转换接口电路。理论分析和实验结果均表明此控制器可以快速有效地将系统混沌控制到周期轨道上。超混沌系统具有至少两个大于零的Lyapunov指数,系统动态规律也更为复杂。通过修改MCC,设计了一个新的四阶超混沌电路。采用奇异值分解方法计算系统的Lyapunv指数谱,结果显示系统在某些参数区间内具有两个Lyapunov指数的值大于零。目前对变换器电路中的分岔和混沌现象研究多集中在模拟控制方式下,对于数字控制方式产生的时间延迟和量化误差很少考虑。以一台数字控制同步Buck变换器(Synchronous Buck Converter-SBC)为研究对象,利用z域小信号模型分析了比例-积分补偿策略下系统的分岔行为。在此基础上,利用描述函数等效出量化误差在控制环路引入的动态增益,并估算出系统的极限环区间。开关磁阻调速系统(Switched Reluctance Drive-SRD)可以看作是包含运动部件的电力电子电路。由于其特殊的定转子双凸极结构,系统存在铁磁饱和、频繁换相等非线性特征。在假设相电感与相电流无关的基础上,对比了模拟和数字两种控制方式下SRD的分岔行为。考虑到线性模型精度不高的因素,设计了一个新的基于指数函数的磁链非线性模型,利用分岔图和功率谱分析工具研究了数字控制SRD非线性模型中的分岔和混沌行为。以MCC为测试对象,验证了相空间重构技术恢复系统原吸引子的有效性。采用互信息量和虚假邻点方法获取最佳重构时延和嵌入维数,同时结合G-P算法和小数据量方法计算了系统的分形维和最大Lyapunov指数。在此基础上,基于MATLAB的Simulink仿真环境构建了采用模糊控制策略的SRD系统,并计算其重构相空间的分形维和最大Lyapunov指数。计算结果表明模糊控制SRD系统存在较大范围的混沌区间。混沌信号的一些特殊性质可以采取措施加以利用。以MCC电压信号作信号源,实现了SBC的混沌扩频。基于模糊控制SRD存在较大范围混沌区间这一研究结论,提出一种基于反馈转差变换率序列的SRD系统混沌扩频策略,仿真和实验结果均证实此扩频策略可以有效降低系统在开关频率及次谐波点的功率谱尖峰幅值。同时,分析数字控制SRD变换器不同单相故障下滤波电容电压频率谱,结合细节电压信号的混沌特征不变量,实现了变换器单相故障的识别。 展开更多
关键词 器混沌 同步Buck变换器 开关磁 混沌 分岔 混沌扩频 故障诊断
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混合型CMOS-忆阻与非/或非单元的设计及应用
8
作者 饶历 李路平 林弥 《杭州电子科技大学学报(自然科学版)》 2023年第2期13-18,共6页
针对级联型运算单元的延迟问题,设计了一种新的CMOS-忆阻与非/或非逻辑电路结构。首先,采用阈值型压控忆阻器模型,以忆阻器和CMOS晶体管为核心,设计了一款混合型CMOS-忆阻与非/或非逻辑运算单元,有效减小了延迟时间;然后,将混合型CMOS-... 针对级联型运算单元的延迟问题,设计了一种新的CMOS-忆阻与非/或非逻辑电路结构。首先,采用阈值型压控忆阻器模型,以忆阻器和CMOS晶体管为核心,设计了一款混合型CMOS-忆阻与非/或非逻辑运算单元,有效减小了延迟时间;然后,将混合型CMOS-忆阻与非/或非逻辑运算单元应用到了八线三线编码器电路的设计中,通过控制不同的输入信号能得到对应的二进制编码信号;最后,通过PSPICE仿真验证了设计电路的正确性。 展开更多
关键词 阈值型压控 CMOS-混合 与非/或非
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一类四维忆阻混沌电路的动力学行为分析 被引量:8
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作者 刘娣 杨芳艳 +2 位作者 周国鹏 李清都 廖晓昕 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2018年第4期458-468,共11页
讨论一类4D忆阻混沌电路的动力学行为,并研究多稳定性的吸引域.为保证计算结果的高效性和准确性,利用CPU+GPU的大规模计算能力和具有128位小数的多精度GMP库及MPFR库,计算出对应吸引子的吸引域,并用区间牛顿法验证当吸引域很小时吸引... 讨论一类4D忆阻混沌电路的动力学行为,并研究多稳定性的吸引域.为保证计算结果的高效性和准确性,利用CPU+GPU的大规模计算能力和具有128位小数的多精度GMP库及MPFR库,计算出对应吸引子的吸引域,并用区间牛顿法验证当吸引域很小时吸引子的存在性;最后运用拓扑马蹄理论和构造忆阻模拟电路两种方式验证系统超混沌的存在性. 展开更多
关键词 4D混沌 多稳定性 吸引域 拓扑马蹄 超混沌
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一个新的非线性系统的隐藏动力学分析 被引量:2
10
作者 张莉 肖冉 《河北师范大学学报(自然科学版)》 CAS 2021年第2期142-152,共11页
忆阻器是一种新的电路元件,为非线性电路的设计提供了全新的发展空间.以忆阻电路为基础,建立了一个新的四维动态系统.为了获得更丰富的动力学行为,在该系统中引入了2个可调参数,从而形成了一个具有各种隐藏吸引子的统一非线性系统.通过... 忆阻器是一种新的电路元件,为非线性电路的设计提供了全新的发展空间.以忆阻电路为基础,建立了一个新的四维动态系统.为了获得更丰富的动力学行为,在该系统中引入了2个可调参数,从而形成了一个具有各种隐藏吸引子的统一非线性系统.通过改变可调参数,找到4种不同类型的隐藏吸引子和自激吸引子.通过MATLB数值仿真,利用相图和Lyapunov指数谱等工具,研究了四维混沌系统的动力学行为及其隐藏振荡行为.新的统一混沌系统有助于研究隐藏吸引子的特性、动态系统中动力学行为的复杂性. 展开更多
关键词 忆阻电路 混沌系统 隐藏吸引子 自激吸引子
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Hybrid memristor-CMOS neurons for in-situ learning in fully hardware memristive spiking neural networks 被引量:13
11
作者 Xumeng Zhang Jian Lu +11 位作者 Zhongrui Wang Rui Wang Jinsong Wei Tuo Shi Chunmeng Dou Zuheng Wu Jiaxue Zhu Dashan Shang Guozhong Xing Mansun Chan Qi Liu Ming Liu 《Science Bulletin》 SCIE EI CSCD 2021年第16期1624-1633,M0003,共11页
Spiking neural network,inspired by the human brain,consisting of spiking neurons and plastic synapses,is a promising solution for highly efficient data processing in neuromorphic computing.Recently,memristor-based neu... Spiking neural network,inspired by the human brain,consisting of spiking neurons and plastic synapses,is a promising solution for highly efficient data processing in neuromorphic computing.Recently,memristor-based neurons and synapses are becoming intriguing candidates to build spiking neural networks in hardware,owing to the close resemblance between their device dynamics and the biological counterparts.However,the functionalities of memristor-based neurons are currently very limited,and a hardware demonstration of fully memristor-based spiking neural networks supporting in-situ learning is very challenging.Here,a hybrid spiking neuron combining a memristor with simple digital circuits is designed and implemented in hardware to enhance neuron functions.The hybrid neuron with memristive dynamics not only realizes the basic leaky integrate-and-fire neuron function but also enables the in-situ tuning of the connected synaptic weights.Finally,a fully hardware spiking neural network with the hybrid neurons and memristive synapses is experimentally demonstrated for the first time,and in-situ Hebbian learning is achieved with this network.This work opens up a way towards the implementation of spiking neurons,supporting in-situ learning for future neuromorphic computing systems. 展开更多
关键词 MEMRISTOR Hybrid neuron In-situ learning Fully hardware Spiking neural network
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