四阶忆阻考毕兹混沌振荡器研究

通过在三阶考毕兹混沌振荡器中引入一阶广义忆阻器,提出了一种新颖的四阶忆阻考毕兹混沌振荡器,其中一阶广义忆阻器由二极管桥级联一阶RC滤波器构成。建立了忆阻考毕兹混沌振荡器的动力学模型,研究了它的平衡点和稳定性,结果表明:四阶忆阻考毕兹混沌振荡器具有唯一的不稳定鞍焦。进一步开展了依赖于电路元件参数的动力学特性研究。采用理论分析、数值仿真和实验验证相结合的方法,对电路展现出的混沌吸引子、周期极限环等复杂的非线性现象进行了研究,实验结果与数值仿真结果相一致,较好地验证了理论分析结果。

基于文氏振荡器的忆阻混沌电路

该文采用文氏桥振荡器和磁通控制的分段线性忆阻器,设计了一种新的单一参数控制的混沌电路。通过调节控制参数,该系统在忆阻器的非线性作用下,通过倍周期分岔产生了混沌和超混沌现象。利用常规的动力学分析手段研究了电路参数变化时系统的动力学特性,例如平衡点稳定性分析,李雅普诺夫指数谱和分岔图。为了验证电路的正确性,该文采用集成运放和压控开关实现了一个分段线性磁控忆阻器的模拟等效电路,并将该系统应用于提出的混沌电路,Pspice仿真结果与理论分析完全吻合。

基于忆阻的低通滤波振荡器准周期与混沌环面振荡研究

准周期与混沌环面振荡行为是一类具有2个零李雅普诺夫指数的特殊非线性现象,这类现象很少同时发生在非线性振荡器中。论文提出了一种基于忆阻的低通滤波振荡器,它是通过将二阶二极管桥忆阻模拟器直接耦合到Sallen-Key低通滤波器上实现的。建立了四阶忆阻振荡电路的数学模型,采用常规动力学分析方法与0-1测试,开展了以电感参数为可变量的动力学行为的数值仿真。随着电感参数的变化,该电路可呈现出准周期振荡与混沌环面振荡等复杂动力学行为。基于分立元器件制作了硬件电路,实验测试结果很好地验证了数值仿真结果。

忆阻混沌振荡器的动力学分析

忆阻器(memristor)是一种有记忆功能的非线性电阻器,它是除电阻器、电容器和电感器之外的第四种基本电路元件.采用一个具有光滑磁控特性曲线的忆阻器和一个负电导替换蔡氏振荡器中的蔡氏二极管,导出了一个基于忆阻器的振荡器电路.采用常规的动力学分析手段研究了电路参数和初始条件变化时该光滑忆阻振荡器的动力学特性.研究结果表明,光滑忆阻振荡器与一般的混沌系统完全不同,它的动力学行为除了与电路参数有关外,还极端依赖于电路的初始条件,存在瞬态混沌和状态转移等奇异的非线性物理现象.