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一种基于FVF结构的快瞬态响应LDO设计 被引量:3
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作者 刘兴 胡毅 +4 位作者 马永旺 李振国 冯曦 冯文楠 唐晓柯 《微电子学》 CAS 北大核心 2020年第4期509-513,共5页
提出了一种快瞬态响应、宽输入电压范围、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO),应用于给主控(MCU)芯片中的Flash供电。该稳压器基于超级源跟随器结构,由快慢两个通路构成。采用电容耦合方式感知负载变化,进一步增强瞬态响应。电路采用UMC... 提出了一种快瞬态响应、宽输入电压范围、无片外电容的低压差线性稳压器(LDO),应用于给主控(MCU)芯片中的Flash供电。该稳压器基于超级源跟随器结构,由快慢两个通路构成。采用电容耦合方式感知负载变化,进一步增强瞬态响应。电路采用UMC 55 nm工艺设计实现,使用Spectre软件进行了仿真验证。仿真结果表明,当负载电流以10 ps的跳变边沿在0~10 mA范围变化时,输出电压的最大上冲值和下冲值分别为109 mV、153 mV。在输入电压2~3.6 V范围内,线性调整率和负载调整率分别为2.6 mV·V^-1和0.5 mV·mA^-1。 展开更多
关键词 无片外电容LDO FVF 快瞬态响应 宽电源电压范围 MCU
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