用快速热工艺氮化超薄SiO_2膜的研究

将热生长的超薄（４～２３ｎｍ）ＳｉＯ２置于用卤素钨灯作辐射热源的快速热工艺（ＲＴＰ）系统中，用快速热氮化（ＲＴＮ）工艺制备了超薄的ＳｉＯｘＮｙ膜。研究表明，设定温度是工艺的关键。研究ＲＴＮ过程的化学皮应和动力学与温度关系及其对氮化质量的影响，比较各种不同条件ＲＴＮ制备的ＳｉＯｘＮｙ膜的ＡＥＳ测量的结果，得到ＲＴＮ反应的临界温度约为９００℃，初步揭示了灯热ＲＴＮ超薄ＳｉＯ２生长动力学的氮／氧替代的微观过程。

快速热工艺(RTP)技术及其在VLSI制备中的应用

快速热工艺(RTP)是随着VLSI的迅速发展而发展起来的一项新型的快速半导体器件工艺。本文阐述了RTP技术的基本原理、主要工艺特点,以及在超薄栅介质膜的制备,超薄硅外延层的生长,离子注入后的退火和硅化物的形成等多种VLSI制备工艺中的应用。最后展望了RTP的前景和指出了尚待解决的问题。