快速热氧化制备二氧化硅薄膜的红外研究

通过傅立叶红外吸收光谱分析了不同温度和时间下在硅衬底上快速热氧化(RTO)处理后的样品。结果表明,在处理相同的时间下,随着热处理温度的升高,二氧化硅薄膜的非对称伸展振动模式峰强度增强,其峰位发生了偏移。在800℃下制备二氧化硅薄膜的热氧化动力学规律不同于1200℃下的情况。在800℃下,快速热氧化制备的薄膜中含有非化学计量比的氧化硅(SiOx),SiOxDE再氧化使得薄膜的氧化生长速率不断增加,同时也是导致红外吸收光谱中ASM峰位向长波数方向偏移。在1200℃下,快速热氧化制备的薄膜成份是二氧化硅,这种薄膜具有良好的介电性能。

清净分散剂对高密度燃料热氧化安定性的影响

高密度燃料的热氧化安定性对其换热安全性乃至高超音速飞行器的飞行安全至关重要。在燃料中加入清净分散剂可减少热氧化沉积前驱体及沉积物的生成,有助于提高燃料的热氧化安定性。采用快速小型热氧化安定仪研究了不同清净分散剂结构对高密度燃料JP-10热氧化安定性的影响规律,结果表明:在140℃,700 kPa氧气压力下氧化5 h后,当高分子量聚异丁烯基丁二酰亚胺T161(分子量>1000)在JP-10(5 mL)中添加量为100 mg/L时,氧化沉积物的质量减少了56%(94.5 mg),且适当增加分散剂中非极性基团的链长和极性基团的体积,有利于提高JP-10的热氧化安定性;此外,当清净分散剂中极性基团位于分子中部时,对沉积物的抑制效果则更加显著。

多孔硅在太阳能电池应用中的相关研究

本文用化学腐蚀法在多晶硅基片上制作多孔硅,通过SEM、XPS对多孔硅的表面微结构及其组成进行了研究,定性地分析了氧在多孔硅层中的作用及主要热行为。分析了多孔硅用于太阳能电池时应注意的问题:多孔层微孔尺寸、太阳电池工艺中各热处理过程的温度和时间、多孔层与电极材料是否形成欧姆接触及快速热氧化(RTO)的钝化效果。

应用于中红外波段的阵列化多孔硅一维光子晶体的制备

首先通过光刻工艺制作了阵列化岛状硅衬底,然后利用交替变换阳极腐蚀电流,通过合理地控制制备参数,适当的热氧化条件,成功地制备了禁带中心位于5μm、6μm、7μm、10μm的阵列化多孔氧化硅一维光子晶体.随后在其表面淀积一层低应力的Si3N4,通过原子力显微镜(AFM)和傅里叶红外反射谱(FTIR)测试证明,沉积Si3N4后该结构仍然具有良好的平整度和较高的反射特性.该阵列结构不但具有较好的隔热和高反射特性,而且岛状的阵列结构可使其与其他器件互联变得简单易行,必将为制备多功能、一体化器件提供有利条件.

获得多孔硅蓝绿光发射的新方法

对多孔硅进行“胺液浸泡 +快速热氧化”处理 ,光致发光谱显示 ,经处理样品的发光峰值波长短到 5 0 0nm ,而且在干燥空气中存放 160d后 ,发光强度变化很小。红外吸收谱表明 ,处理后的多孔硅的主要成分是硅和氧 ,胺液没有在发蓝绿光的样品中留下残迹 ,电子自旋共振谱表明 ,这种蓝绿光样品有相当低的悬挂键密度。这些结果揭示 ,量子限制效应和表面态在多孔硅蓝绿光发射中起着关键性的作用。这种制备发蓝绿光样品的方法简单易行 ,成功率可达 70 %。

通用工艺与设备

Y2000-62185-9 0100370EKC265 处理寿命及衬垫上氟与碳的玷污=A study onEKC265 bath life and Fluorine & carbon contaminationon bond pads[会,英]/An.L.H.& Lai.K.K.//1998IEEE International Conference on Semiconductor Elec-tronics.—9～12(EC)Y2000-62185-80 0100371硅片背面薄膜对快速热氧化(RTO)生长的影响=Theeffect of backside films on rapid thermal oxidation(RTO)growth on silicon wafers[会,英]/Omar,A.B.