氧等离子环境下影响多孔硅光学特性的因素

研究了多孔硅(porous silicon,PS)在氧等离子体环境中退火温度和存储时间对PS光学稳定性的影响。通过光致发光(PL)谱和傅里叶变换红外光谱对系列样品进行分析。高斯拟合结果显示PL谱由三个高斯峰叠加而成,其中至少两个高斯峰是由非量子限制效应造成的,即第一峰面积的变化与Si=O双键密切相关,第三峰面积的变化与Si-O-Si桥键以及SiHx(x=1,2)键有关;退火温度对以上两个峰的强弱变化有直接影响。