MOS结构辐照陷阱消长研究的快速I—V技术

建立一套用于ＭＯＳ结构辐照陷阱消长规律研究的快速Ｉ－Ｖ在线测试系统，用此系统可进行自动加偏和Ｉｄｓ－Ｖｇｓ亚阀曲线测试，从面可快速定性定量获得辐照和退火环境中氧化物电荷和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面随辐照剂量，时间，偏置等的依赖关系，快速Ｉ－Ｖ测试系统最高可以达到１次／秒的Ｉｄｓ－Ｖｇｓ测量速度，用此系统研究了ＰＭＯＳＦＥＴ５×１０＾３Ｇｙ（Ｓｉ）总剂量辐照后１００℃恒温退火下，辐照陷阱的消长规律和机制。