大容量快闪存储器在压力式波潮仪中的应用

文中介绍在国家 86 3计划 81 8主题资助项目压力式波潮仪的研制中 ,应用KM 2 9N32 0 0 0TS大容量快闪存储器作为数据存储器 ,较好地解决了大存储容量和低功耗、高可靠性的矛盾。

快闪存储器KM29N16000TS与单片微机的接口

介绍快闪存储器KM29N1600OTS的特性及其与单片机的接口和编程方法

一种适用于NOR结构快闪存储器的快速页编程算法

为了降低NOR结构快闪存储器的编程时间,本文提出一种能够根据编程数据的特点改变编程脉冲时序的快速页编程算法。它通过一个简单的判断电路对输入的编程数据中"1"的个数进行判断,并在状态机的控制下产生具有最小编程时间的页编程脉冲时序,从而达到缩短页编程时间的目的。统计结果表明,本算法的页编程时间不到传统方法的70%。

快闪存储器大有可为

快闪存储器经历过高速发展时间,由于供过于求,目前行情看跌,但发展前景无疑是远大的。重点介绍了英特尔、AMD和三星的最新产品和重大市场举措。最后简要介绍了当前快闪存储器的技术发展趋势。

单片机对快闪存储卡的控制

介绍快闪存储卡与８７Ｃ５１单片机的接口以及８７Ｃ５１单片机存取快闪存储卡数据的技术。因为这种快门存储卡具有类似ＩＤＥ的接口，故还可以推广到其他单片机与ＩＤＥ接口的场合。

快闪存储器及测试编程技术

快闪存储器日益广泛地应用于电子装置上 ,严格测试其逻辑功能和电参数十分必要。文章首先简单介绍 FL ASH的工作原理 ,然后叙述对这类器件进行数据编程的测试技术以及交流参数测试方法。

快闪存储器技术研究与进展

快闪存储器是在八十年代末逐渐发展起来的一种新型半导体不挥发性存储器,它具有结构简单、高密度、低成本、高可靠性和在系统的电可擦除性等优点,是当今半导体存储器市场中发展最为迅速的一支。本文首先对其工作机理进行了介绍,对Multi-Level技术、3-D结构单元、BBBHE编程技术和SONOS技术等新型技术进行了深入的探讨,并对国内外发展的现状和未来趋势等进行了阐述。

金属纳米晶快闪存储器研究进展

金属纳米晶具有态密度高、费米能级选择范围广以及无多维载流子限制效应等优越性,预示着金属纳米晶快闪存储器在下一代闪存器件中具有很好的应用前景。从金属纳米晶存储器的工作原理、纳米晶的制备方法、以及新型介质材料和电荷俘获层结构等方面,对金属纳米晶存储器近年来的研究进展进行了总结。

快闪存储器──存储器家族的新成员

磁盘和快闪存储器有一个共同的特点，即整块数据存储。计算机通常采用磁盘存储整块数据，而快闪存储器在数据存储方面更具有优越性。我们研究了快闪存储单元及其工作原理，从中了解到快闪存储器的特性以及与便携式计算机比较的结果。

快闪存储器阈值电压分布读取和修正方法

在快闪存储器中,多晶硅浮栅的漏电、存储单元之间的干扰、长期的编程擦除操作都会使存储单元的阈值电压发生漂移,使采用多电平技术的快闪存储器的阈值电压分布规划变得越来越困难。针对这一问题,提出了一种快闪存储器阈值电压分布读取方法,该方法能准确地测量快闪存储器的阈值电压分布,给快闪存储器阈值电压分布规划和编程擦除算法的设计提供参考。

与非型快闪存储器可靠性评价方法分析

针对与非型快闪存储器(NAND FLASH)的耐久、数据保持、编程干扰、读干扰等可靠性指标,分析当前可靠性评价中面临的困扰及国内外现有研究基础;根据其失效机理,研究提出各项指标的评价方法,以及试验应力的选取思路。

快闪存储器伴你行

市场和应用世界快闪存储器市场将以每年大约２５％的速度持续增长，从１９９７年的３０亿美元提高到２０００年的６０亿美元。产品主要应用于大哥大、数字静止照相机和网络设备等。尤其是大哥大，各公司正竞相开发以８／１６兆位为中心的低电压超小超薄型封装产品。为降低...

单片机系统中28FXXXS5系列快闪存储器的应用

介绍Intel公司生产的28FXXXS5系列大容量快闪存储器中的三种器件的性能及其与单片机的接口方法。

外置快闪存储器的语音处理器W5701

数码语音技术采用半导体集成芯片存储语音信号,具有体积小、无介质磨损、寿命小、调用搜索快捷、控制方便、抗振强度高、适应复杂环境等特点,在各种家用电器、工业仪器设备、商业宣传产品、交通工具、声讯电话系统等中得到广泛应用。当然,和传统磁带式录放音的模拟语音处理技术相比,数码语音技术也有它的不足之处,即录放音时间短、相对成本高、音质不好、断电时语音易丢失等。但随着半导体集成技术的发展,数码语音技术已得到了极大的发展。美国ISD公司出品的一系列内置快闪存储器语音芯片,其语音音质好,不需专用编程器就可反复录放音,断电时语音保持不丢,只是目前芯片成本较高,录放音时间较短,分段控制较复杂,内置固定存储器不便扩展使用,产品应用受到了限制。

快闪存储器的特点及应用

快闪存储器是一种新型存储元件，它的存储容量大，数据不挥发，使用方便，可靠性高，具有广泛的应用前景。典型元件 Ａ Ｍ２９ Ｆ０４０ Ｂ 的读写十分方便，还具有独特的整片擦除和分区擦除功能。

分离栅式快闪存储器擦除性能的工艺优化

随着电子产品的普及,分离栅式快闪存储器作为闪存的一种,由于具有高效的编程速度以及能够完全避免过擦除的能力,无论是在单体还是在嵌入式产品方面都得到了人们更多的关注。随着闪存市场高集成度的发展需求,分离栅式快闪存储器的尺寸也在逐渐地缩小。从结构和工艺优化方面探讨在这一微缩过程中,如何有效提高分离栅式快闪存储器的擦除效率。通过实验发现通过形成非对称性浮栅结构,优化浮栅到擦除栅侧的结构形貌,可以显著改进分离栅式工艺快闪存储器的擦除性能。

快闪存储器技术市场蒸蒸日上

DRAM一直是当今世界半导体市场的主导产品,它追随PC机发展,芯片的存储容量愈来愈大,产品的价格日益下降。世界制造商的大腕,并非日本而是韩国的高技术企业。随着芯片价格下滑,韩国的高技术企业的收益开始降低,并暴露出产品结构单一的弊端。日本电子工业试图东山再起,已把发展战略目标转向主宰未来半导体市场的快闪存储器芯片。