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掺锑二氧化锡半导体材料导电性的理论解析
被引量:
2
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作者
陆云
《广东化工》
CAS
2014年第3期7-8,共2页
文章运用Untitled-MS Modeling中的CASTEP计算方法计算了掺锑二氧化锡(ATO)的电子云分布、键长分布、总能量、能带结构、晶体态密度等参数,并和二氧化锡(SnO2)进行对比,从而得出结论掺杂锑后的二氧化锡具有更好的导电性能。
关键词
掺锑二氧化锡
能带结构
态密度分布曲线
导电性
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职称材料
题名
掺锑二氧化锡半导体材料导电性的理论解析
被引量:
2
1
作者
陆云
机构
广东省化学工业公共实验室
出处
《广东化工》
CAS
2014年第3期7-8,共2页
文摘
文章运用Untitled-MS Modeling中的CASTEP计算方法计算了掺锑二氧化锡(ATO)的电子云分布、键长分布、总能量、能带结构、晶体态密度等参数,并和二氧化锡(SnO2)进行对比,从而得出结论掺杂锑后的二氧化锡具有更好的导电性能。
关键词
掺锑二氧化锡
能带结构
态密度分布曲线
导电性
Keywords
antimony doped tin oxide: electronic band structure: the density ofstates distribution curve: electricalconductivity
分类号
O174.5 [理学—基础数学]
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作者
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1
掺锑二氧化锡半导体材料导电性的理论解析
陆云
《广东化工》
CAS
2014
2
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