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芯片背面磨削减薄技术研究
被引量:
7
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作者
王仲康
杨生荣
《电子工业专用设备》
2010年第1期23-27,共5页
通过实验数据和实物照片列出了减薄工艺参数、检测结果;并结合实例研究了现代磨削减薄系统多采用的硅片自旋转磨削技术,探讨脆性材料进行延性域磨削的加工机理。
关键词
背面减薄
自旋转磨削
亚表面损伤层
总厚度误差
延性域
崩边
下载PDF
职称材料
超薄化芯片
被引量:
20
2
作者
王仲康
《电子工业专用设备》
2006年第11期13-18,共6页
芯片的超薄化发展,正在逐步整合半导体材料加工设备及其相应工艺。简要概述了芯片超薄化发展之动态,并以超薄芯片的减薄加工为中心,综合研究了影响超薄芯片机械特性、表面质量的主要因素,讨论了超薄晶圆片的最新加工技术。
关键词
超薄芯片
损伤层
粗糙度
总厚度误差
(TTV)
芯片强度崩边
背面减薄
延性域.
下载PDF
职称材料
题名
芯片背面磨削减薄技术研究
被引量:
7
1
作者
王仲康
杨生荣
机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
2010年第1期23-27,共5页
文摘
通过实验数据和实物照片列出了减薄工艺参数、检测结果;并结合实例研究了现代磨削减薄系统多采用的硅片自旋转磨削技术,探讨脆性材料进行延性域磨削的加工机理。
关键词
背面减薄
自旋转磨削
亚表面损伤层
总厚度误差
延性域
崩边
Keywords
Backside grinding Wafer rotating grinding SSD TTV Ductile-brittle transition value Spin
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
超薄化芯片
被引量:
20
2
作者
王仲康
机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
出处
《电子工业专用设备》
2006年第11期13-18,共6页
文摘
芯片的超薄化发展,正在逐步整合半导体材料加工设备及其相应工艺。简要概述了芯片超薄化发展之动态,并以超薄芯片的减薄加工为中心,综合研究了影响超薄芯片机械特性、表面质量的主要因素,讨论了超薄晶圆片的最新加工技术。
关键词
超薄芯片
损伤层
粗糙度
总厚度误差
(TTV)
芯片强度崩边
背面减薄
延性域.
Keywords
Ultra-thin wafers
SSD
Roughness
TTV
Strength of die
Chipping
Backside grinding
Ductile-brittle transition value
分类号
TN305.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
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作者
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1
芯片背面磨削减薄技术研究
王仲康
杨生荣
《电子工业专用设备》
2010
7
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职称材料
2
超薄化芯片
王仲康
《电子工业专用设备》
2006
20
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职称材料
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