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芯片背面磨削减薄技术研究 被引量:7
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作者 王仲康 杨生荣 《电子工业专用设备》 2010年第1期23-27,共5页
通过实验数据和实物照片列出了减薄工艺参数、检测结果;并结合实例研究了现代磨削减薄系统多采用的硅片自旋转磨削技术,探讨脆性材料进行延性域磨削的加工机理。
关键词 背面减薄 自旋转磨削 亚表面损伤层 总厚度误差 延性域 崩边
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超薄化芯片 被引量:20
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作者 王仲康 《电子工业专用设备》 2006年第11期13-18,共6页
芯片的超薄化发展,正在逐步整合半导体材料加工设备及其相应工艺。简要概述了芯片超薄化发展之动态,并以超薄芯片的减薄加工为中心,综合研究了影响超薄芯片机械特性、表面质量的主要因素,讨论了超薄晶圆片的最新加工技术。
关键词 超薄芯片 损伤层 粗糙度 总厚度误差(TTV) 芯片强度崩边 背面减薄 延性域.
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