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均匀布风与节能 被引量:2
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作者 黄煜丁 王宝政 《冷藏技术》 1984年第2期37-41,共5页
食品的冻结电耗占冷库总电耗的80%以上,冻结工艺技术的改造是节约用电的关键。上海龙华肉联厂的冻结间在均匀布风问题上作了些技术改造,实践证明,冻结速度快,白条肉冻结温度均勾,电能消耗少。从八二年十二月份的实测情况来看,冻结间进... 食品的冻结电耗占冷库总电耗的80%以上,冻结工艺技术的改造是节约用电的关键。上海龙华肉联厂的冻结间在均匀布风问题上作了些技术改造,实践证明,冻结速度快,白条肉冻结温度均勾,电能消耗少。从八二年十二月份的实测情况来看,冻结间进未预冷的白条肉19·3吨屯(设计20吨)经10时30分钟的冻结,肉中心温度达-11.6℃,电耗.73.9度/吨。 展开更多
关键词 白条肉 冻结速度 冻结间 节约用电 冻结温度 电能消耗 总电耗 实测情况
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外循环立磨技术在生料粉磨系统中的应用实践
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作者 王飞 钟根 +1 位作者 康宇 崔恒波 《水泥工程》 CAS 2020年第6期28-29,共2页
0前言水泥粉磨电耗占水泥生产总电耗的60%~70%左右。因此,提高粉磨技术水平、降低粉磨电耗在水泥生产中具有十分重要的意义。长期以来,承担水泥粉磨任务的设备主要是球磨机[1],它们的粉磨效率极低,能耗很高(一般小于3%),其余多以噪音、... 0前言水泥粉磨电耗占水泥生产总电耗的60%~70%左右。因此,提高粉磨技术水平、降低粉磨电耗在水泥生产中具有十分重要的意义。长期以来,承担水泥粉磨任务的设备主要是球磨机[1],它们的粉磨效率极低,能耗很高(一般小于3%),其余多以噪音、热量消耗掉。而内循环立磨集粉磨、烘干、选粉于一体,系统简单,粉磨效率高,但是由于本身的带料、选粉机理等因素,内循环立磨的选粉装置一般置于磨机壳体内,物料主要通过喷嘴环设计及气力输送的方式将细粉与小颗粒送至内置选粉机进行成品分选,经分选后的细粉作为成品被带出立磨,粗颗粒物料在磨机本体内进行循环,由于喷嘴环需要控制一定的风速才能实现风将料带入选粉区,使得立磨本体阻力较大,后置原料磨风机消耗的能耗偏高[2]。 展开更多
关键词 选粉机 粉磨效率 水泥粉磨 立磨 水泥生产 粉磨电耗 原料磨 总电耗
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我厂球磨机配球的一点体会
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作者 关振杰 《建材技术与应用》 1994年第4期46-47,35,共3页
我厂球磨机配球的一点体会关振杰(临汾地区水泥厂)众所周知,在水泥厂中提高球磨机的效率是至关重要的,据测算,每生产一吨水泥,需要粉磨各种物料3—4吨,在总电耗中,粉磨生料、熟料和原煤这三种物料的电耗约占65—70%,其... 我厂球磨机配球的一点体会关振杰(临汾地区水泥厂)众所周知,在水泥厂中提高球磨机的效率是至关重要的,据测算,每生产一吨水泥,需要粉磨各种物料3—4吨,在总电耗中,粉磨生料、熟料和原煤这三种物料的电耗约占65—70%,其生产成本占水泥总成本的35%左右,... 展开更多
关键词 总电耗 循环负荷 钢球直径 研磨体 选粉机 辅机故障 生料磨 闭路循环 生产成本 最佳状况
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挖潜大有可为
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《煤炭科学技术》 CAS 1977年第12期19-,共1页
当前,各矿正在把提高单产、单进和资源回收率作为老矿挖潜的主攻方向来抓,随着单产的提高,相应地要求矿井提升、运输、通风、排水等环节与之相适应。改造矿井的薄弱环节,是提高矿井的综合生产能力必须考虑的一个重要方面。但是革新。
关键词 资源回收率 综合生产能力 主攻方向 通风能力 通风电耗 万度 陶庄 总电耗 度之
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Total Ionizing Dose Radiation Effects of RF PDSOI LDMOS Transistors 被引量:1
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作者 刘梦新 韩郑生 +4 位作者 毕津顺 范雪梅 刘刚 杜寰 宋李梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2158-2163,共6页
The effects of total ionizing dose radiation on direct current (DC) and small-signal radio frequency (RF) performance of multi-finger RF partial deplete silicon-on-insulator lateral double diffused MOS (PDSOI LD... The effects of total ionizing dose radiation on direct current (DC) and small-signal radio frequency (RF) performance of multi-finger RF partial deplete silicon-on-insulator lateral double diffused MOS (PDSOI LDMOS) transistors are investigated. The radiation response of the LDMOS transistors with different device structures is characterized for an equivalent gamma dose up to 1Mrad(Si) at room temperature. The front and back gate threshold voltages, off-state leak- age, transconductance, and output characteristics are measured before and after radiation, and the results show a significant degradation of DC performance. Moreover, high frequency measurements for the irradiated transistors indicate remarkable declines of S-parameters, cutoff frequency, and maximum oscillation frequency to 1Mrad(Si) exposure levels. Compared to the transistors with the BTS contact structure,the transistors with the LBBC contact do not show its excellent DC radiation hardness when the transistors operate at alternating current (AC) mode. 展开更多
关键词 PDSOI LDMOS RF total ionizing dose radiation
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