一种基于集总电荷的大功率PIN二极管改进电路模型

提出了一种基于集总电荷建模方法的大功率PIN二极管改进电路模型。传统的集总电荷模型使用有效载流子寿命模型,未考虑载流子寿命和基区电荷浓度之间的关系,导致模型的仿真精度偏低。该文在研究传统PIN二极管集总电荷模型的基础上,首先分析了二极管基区载流子寿命随注入浓度和温度的变化规律,并提出了载流子寿命随浓度和温度变化的集总电荷模型。然后,基于提出的载流子寿命模型建立了改进的PIN二极管集总电荷电路模型,并加入模型物理参数的温度函数,实现了模型对不同温度下PIN二极管通态和瞬态特性的表征,并在PSPICE仿真平台中实现了该模型。最后,用1 700 V/1 000 A IGBT模块中反并联续流二极管对模型进行了实验,仿真和实验结果对比验证了该模型的准确性。

基于集总电荷的PIN二极管反向恢复模型

以MUR8100PIN二极管为对象,研究了PIN二极管模型参数抽取的试验方法和试验手段。在小电压等级下,利用试验抽取的二极管模型参数建立其反向恢复模型,并用仿真软件Saber验证了模型的正确性。最后,分析了影响模型精度的近似条件和物理效应。

基于Saber的IGCT集总电荷模型研究

在此使用MAST语言在Saber软件中建立了非对称型IGCT的集总电荷模型。应用IGCT通用测试电路测试电路对该模型进行了测试,给出了IGCT开通与关断时的实验与仿真波形,分析了造成两者差异的原因,证明了所建立模型的有效性。在此基础上,将该模型应用在IGCT并联研究中,仿真结果与实际实验中IGCT电流拥挤现象吻合。IGCT集总电荷模型兼顾了器件物理原理与仿真速度,在研究器件并联以及保护方面有一定的指导意义。

500A MeV^(40)Ar与铜靶作用弹核碎裂电荷变化总截面及碎片产生分截面研究

本文对最高能量为500 A MeV的^(40)Ar与铜靶作用弹核碎裂电荷变化总截面及碎片产生分截面进行了实验研究,并与相近能区^(40)Ar诱发铜靶核碎裂的实验结果及理论模型计算结果进行了比较.结果表明:电荷变化总截面与相近能区实验结果一致,也与Bradt-Peters及Nilsen半经验公式预言一致;NUCFRG2和PHITS模型预言低于实验结果.弹核碎片产生分截面在所研究的能区范围与束流能量没有明显依赖关系,EPAX3及FRACS半经验参数化公式可以较好地再现实验结果.

纸浆纤维的表面电荷分布及测定

分析了漂白马尾松化学浆、漂白芦苇化学浆、马尾松热磨机械浆和废纸浆的长、中、短纤维含量以及它们的总电荷量和表面电荷量。结果表明浆种间纤维组分存在着较大的差别。纸浆纤维的总电荷量远大于表面电荷量,浆种间的电荷分布也大不相同,微细纤维的表面电荷量较高,木浆和废纸浆的表面电荷分布较均匀,芦苇浆的表面电荷量比木浆、机械浆和废纸浆的高,其长纤维组分与短纤维组分的表面电荷量相差较大。

西南红壤,黄壤的电荷特性

通过对云南，贵州，四川的黄壤，红壤的电化学特性研究指出：西南红壤，黄壤的可变净电荷零点ｐＨ，在３－４范围，是较低的。通过施石灰等措施提高土壤的ＰＨ而使土壤总负电荷量增加，这对淋溶作用强烈的西南红壤和黄壤的养分吸持，从而提高其保肥能力具有极为重要的实践意义，又从永久和可变电荷分别发生量的研究得知：永久电荷只占总荷量的５％－４０％。

基于扩展规格书数据的SiC功率MOSFET建模

本文提出一种实用的SiC功率MOSFET建模方法。所建立的模型可在图形化仿真软件中实现,用于电力电子电路损耗分析。首先,基于器件规格书数据建立器件的静态模型;然后,对SiC功率MOSFET的物理结构、物理特性进行分析,依据分析结果对规格书数据进行扩展,建立模型的各个动态部分,从而构成完整的模型;最后,建立多种商用SiC功率MOSFET模型,并对模型进行仿真和实验验证,验证结果显示模型具有令人满意的精度和适用范围。本文建模方法所用数据仅源自产品规格书,无须通过测量获取规格书之外的其他数据。

高压大容量变换器中快恢复二极管的模型

以高压大容量变换器中的快恢复二极管为研究对象,结合集总电荷模型和功能模型,提出一种新的二极管混合模型。模型采用四个阶段准确描述反向恢复过程,正向恢复过程考虑"电感效应"。模型在电路仿真软件PSIM中实现,仿真结果与产品手册数据、实验结果对比表明,所提模型能准确地反映二极管正向和反向恢复特性。

大功率变换器中快恢复二极管复合模型研究

以大功率变换器中的快恢复二极管(FRD)为研究对象,有效利用物理模型和功能模型的优点,提出一种新的FRD复合模型。在集总电荷模型基础上增加电流过渡阶段和拖尾电流阶段,精确描述反向恢复过程;正向恢复过程考虑器件引线所产生的电感效应,完善暂态正向过电压。模型在Matlab软件中实现,仿真结果与器件技术手册参数数据、测试波形的对比表明该模型能精确描述FRD开关暂态特性。

三电平移相全桥变换器整流二极管RC吸收参数多目标优化设计

传统的整流二极管RC吸收参数设计基于谐振等效电路,不能精确刻画二极管反向恢复过程,RC参数难以优化。为此,基于大功率PIN二极管集总电荷模型,采用多目标优化设计RC吸收电路参数。首先,根据三电平移相全桥变换器拓扑结构及调制方式,分析了RC参数对整流二极管反向电压尖峰的影响规律。其次,基于大功率PIN二极管的集总电荷模型对理论分析进行了仿真验证。然后,采用多目标优化设计RC吸收电路。最后,实验结果验证了最优RC参数抑制整流二极管反向电压尖峰的有效性。

多因素耦合作用下混凝土氯盐侵蚀模糊网络评估模型

单位时间内通过混凝土结构的总电荷量是反映混凝土结构氯离子渗透能力的一个重要指标。针对传统经验公式法预测了氯离子总电荷量的不足,建立了一个模糊-神经网络模型以预测氯离子总电荷量。此模型能同时考虑多种因素及其非线性耦合作用,方便易行、通用性好,较之其它神经网络具有运算速度快、不容易陷入局部最优、训练效果好的特点。训练样本训练后的结果表明,该模型具有较高的准确度,能可靠预测氯离子总电荷量,准确评价混凝土结构的抗氯盐侵蚀能力,为实际工程的耐久性设计和评价提供依据。

固态断路器中快恢复二极管的反向恢复模型

本文简要阐述了固态断路器中快恢复二极管的反向恢复问题,详细分析了二极管的关断过程,建立了二极管反向恢复的集总电荷模型,并在Matlab\Simulink中进行了实现。仿真结果和产品数据手册保持一致,验证了模型的有效性和实用性。

混合断路器中串联功率二极管反向恢复暂态过程研究

简要介绍了功率二极管在混合式断路器中的应用,在Matlab\Simulink中建立了二极管的反向恢复集总电荷模型,详细分析了串联二极管的反向恢复暂态过程,并进行了数学推导和仿真研究,计算和仿真结果表明了暂态分析方法的合理性和有效性。

混合断路器用大功率二极管高频特性研究

本文以混合断路器用大功率二极管为研究对象,详细分析了功率二极管的正向导通过程,建立了正向恢复的集总电荷模型,对影响二极管正向恢复过电压的相关参数进行了探讨,实验结果证明了理论分析的正确性。

4.5kV高压快恢复二极管的Spice子电路设计

阐述基于4.5kV高压快恢复二极管,采用集总电荷法搭建了高压快恢复二极管的等效子电路,探讨LTSpice仿真软件进行测试仿真,通过双脉冲电路对模型参数进行调整,使得到的子模型能够完整地描述高压快恢复二极管的特性。通过与常温与高温实测波形进行比对,证实Spice子电路对描述二极管器件特性的可行性,提出的子电路模型,对于高压快恢复二极管的系统仿真和器件结构仿真,具有参考价值。

290 A MeV ^(12)C与Al靶核碎裂反应截面研究

本文对最高束流能量为290 A MeV的^(12)C核诱发铝靶核反应射弹碎裂电荷变化反应总截面及碎片粒子产生分截面进行研究.结果显示射弹碎裂电荷变化总截面及碎片粒子产生分截面在误差范围内与束流能量无关,核碎裂电荷变化总截面计算结果与Bradt-Peter公式及PHITS,NUCFRG2理论模型预测值一致,碎片粒子产生分截面值与NUCFRG2理论模型预测值一致.

400 A MeV^(12)C诱发Pb靶核反应弹核碎裂研究

论文对最高束流能量为400 A MeV的^(12)C核诱发铅靶核反应弹核碎裂电荷变化反应总截面、弹核碎片产生分截面、弹核散射角及弹核碎片发射角分别进行了研究.实验结果表明弹核碎裂电荷变化总截面及电荷数Z=5的弹核碎片产生分截面在实验误差范围内与弹核能量无关,弹核碎裂反应电荷变化总截面的实验结果与Bradt-Peter半经验公式及PHITS,NUCFRG2理论模型计算结果一致;弹核粒子平均散射角小于电荷数Z=5的弹核碎片的发射角,且在所研究的束流能量范围内在误差范围内保持不变.

中高能28^Si碎裂截面研究进展

介绍了利用CR-39探测器对^(28)Si与不同靶作用的电荷变化总截面和分截面的研究进展,给出723AMe V^(28)Si与碳靶作用电荷变化总截面和分截面的最新实验结果。对^(28)Si与靶核反应电荷变化总截面和分截面与束流能量和靶核质量的关系进行了讨论,发现束流能量大于200 AMeV时,中高能^(28)Si与不同靶核反应电荷变化总截面与束流能量无关,分截面表现出明显的奇偶效应,且随靶核质量数的增加而增加。

功率MOSFET的主要参数

功率MOSFET的参数可分为最大极限参数、静态参数及动态参数。一般的功率MOSFET选择指南或简易手册中主要给出最大极限参数。动态参数主要是MOSFET的极间电荷及开关上升时间及下降时等参数，只在高速开关中需要考虑。本文重点介绍它的极限参数。