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基于电应力损伤特征值的XLPE绝缘电压耐受指数评估方法研究
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作者 陈新岗 李宁一 +5 位作者 马志鹏 谭世耀 范益杰 张金京 黄宇杨 赵龙 《绝缘材料》 CAS 北大核心 2024年第3期82-88,共7页
XLPE绝缘的电压耐受指数n表征绝缘电寿命特性,对加速寿命试验中获取的失效数据进行分析可以获取n值,然而,加速寿命试验中的外施场强与试验所获失效数据的分析方法影响n值的准确性。本文研究电压耐受指数n的评估方法,对XLPE绝缘试样分别... XLPE绝缘的电压耐受指数n表征绝缘电寿命特性,对加速寿命试验中获取的失效数据进行分析可以获取n值,然而,加速寿命试验中的外施场强与试验所获失效数据的分析方法影响n值的准确性。本文研究电压耐受指数n的评估方法,对XLPE绝缘试样分别进行恒定应力试验与步进应力试验,提出基于损伤特征值的试验数据分析方法,该方法通过损伤矩阵建立试验中累积损伤阈值(Dc)与n的映射关系,以矩阵秩的变化作为n值的选取依据。结果表明:本文所提方法在恒定应力试验中获取的XLPE绝缘电压耐受指数n2=12.43,在步进应力试验中获取的XLPE绝缘电压耐受指数n3=12.04,较线性拟合获取的XLPE绝缘电压耐受指数n1=12.83仅相差3%与6%,且本文所提方法能够节省75%以上的试验时间,验证了该方法的有效性。 展开更多
关键词 XLPE绝缘 电缆 电压耐受指数 恒定应力法 步进应力
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Arrhenius方程应用新方法研究 被引量:12
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作者 马卫东 吕长志 +3 位作者 李志国 郭春生 郭敏 李颖 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期621-626,共6页
提出了一种快速评价电子元器件的新方法,该方法具有快速、准确、成本低、效率高等优点。利用Arrhenius方程,能快速准确地确定元器件退化的失效敏感参数和退化机理;可对单样品求出与失效机理相关的失效激活能和寿命;通过多样品试验,可得... 提出了一种快速评价电子元器件的新方法,该方法具有快速、准确、成本低、效率高等优点。利用Arrhenius方程,能快速准确地确定元器件退化的失效敏感参数和退化机理;可对单样品求出与失效机理相关的失效激活能和寿命;通过多样品试验,可得到寿命分布、寿命加速特性和失效率等可靠性参数。以DC/DC电源变换器和高频小功率管3DG130为例,通过实验与现场数据的对比,证明了新方法的正确性和有效性。该方法适用于失效率优于10-7/h(λ<10-7/h)的高可靠性产品的定量评价。 展开更多
关键词 Arrhenius方程 恒定应力温度斜坡 激活能
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DC/DC模块中功率器件的寿命预计方法 被引量:5
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作者 黄春益 马卫东 +3 位作者 张喆 谢雪松 吕长志 李志国 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期278-282,共5页
模拟开关电源DC/DC模块内部电路为开关电源中的功率器件—垂直导电双扩散MOS(VDMOS)和肖特基二极管(SBD)—提供恒定电应力,并对其施加温度应力进行加速寿命试验。采用恒定电应力温度斜坡法(CETRM),对开关电源中功率器件VDMOS和SBD的可... 模拟开关电源DC/DC模块内部电路为开关电源中的功率器件—垂直导电双扩散MOS(VDMOS)和肖特基二极管(SBD)—提供恒定电应力,并对其施加温度应力进行加速寿命试验。采用恒定电应力温度斜坡法(CETRM),对开关电源中功率器件VDMOS和SBD的可靠性进行评价;对其失效机理一致性进行分析,计算其失效激活能;并在失效机理一致的范围内外推正常使用条件下的寿命,为开关电源整体可靠性评价提供依据。 展开更多
关键词 开关电源 DC/DC变换器 加速寿命试验 恒定应力温度斜坡
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基于参数退化法评价功率肖特基二极管寿命 被引量:4
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作者 段毅 马卫东 +1 位作者 吕长志 李志国 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期92-95,共4页
对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻RS等参数的退化情况。可以看出,在退化的过程中,SBD的IR增加较快,n逐渐减小,ΦB逐渐增大,而RS则缓慢增加。... 对功率肖特基二极管(SBD)施加恒定电应力、序进温度应力进行退化实验,考察了反向漏电流IR、理想因子n、势垒高度ΦB以及串联电阻RS等参数的退化情况。可以看出,在退化的过程中,SBD的IR增加较快,n逐渐减小,ΦB逐渐增大,而RS则缓慢增加。综合考察这些退化曲线,采用退化最为明显的IR作为失效判据。基于IR参数退化曲线,使用恒定电应力温度斜坡法(CETRM)模型,推导出该功率肖特基二极管的寿命约为4.3×107h,测试结果与实际预测相符。 展开更多
关键词 退化试验 理想因子 势垒高度 肖特基二极管 恒定应力温度斜坡
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直流和脉冲工作的VDMOS可靠性试验 被引量:5
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作者 单尼娜 吕长志 +2 位作者 马卫东 李志国 郭春生 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期172-175,共4页
基于恒定电应力温度斜坡法(CETRM),对工作于直流状态和脉冲状态下的VDMOS功率器件进行可靠性研究,考察了器件阈值电压、跨导以及导通电阻的退化情况,得出在两种工作状态下均是跨导为失效敏感参数。在直流工作状态下,VDMOS失效激... 基于恒定电应力温度斜坡法(CETRM),对工作于直流状态和脉冲状态下的VDMOS功率器件进行可靠性研究,考察了器件阈值电压、跨导以及导通电阻的退化情况,得出在两种工作状态下均是跨导为失效敏感参数。在直流工作状态下,VDMOS失效激活能为0.57~0.68ev,寿命为7.97×10^5—1.15×10^7h;在脉冲工作状态下,VDMOS失效激活能为0.66~0.7eV,寿命为4.3×10^5-4.6×10×10^6h。对跨导的退化机理进行了分析。 展开更多
关键词 纵向双扩散金属氧化物半导体 激活能 寿命 恒定应力温度斜坡
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